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计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型 被引量:1
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作者 张鸿欣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期286-289,共4页
提出的层次模型将包括多芯片多基片模块的复杂热场模拟 ,分解为有确定耦合关系的形状简单的层次单元的热场计算 ,通过迭代将分区计算结果连成模块的热场 .在计算一个层次单元 (芯片、基片或底座 )的热场时 ,将其所在的层次单元 (母层次... 提出的层次模型将包括多芯片多基片模块的复杂热场模拟 ,分解为有确定耦合关系的形状简单的层次单元的热场计算 ,通过迭代将分区计算结果连成模块的热场 .在计算一个层次单元 (芯片、基片或底座 )的热场时 ,将其所在的层次单元 (母层次单元 )的上表面温度 ,作为该层次单元下表面的边界条件 ,而把它上表面上的层次单元 (子层次单元 )的下表面的向下热流作为置于它上表面的等效热源 .通过芯片→基片→底座→基片→芯片→基片…的几轮迭代就可收敛到正确值 .提出的层次单元间的耦合强度 (即每轮计算中 ,母层次单元上表面的温度改变不是全部 ,而是部分用于更新其子层次单元的下表面的边界条件 )保证了所有情况下的迭代收敛 .层次模型算法不仅速度数量级地高于普通的模块一体计算 ,而且热场与产生它的热源关系清楚 ,便于指导模块设计 .计算与测量在实验误差 ( 5℃ ) 展开更多
关键词 层次模型 多芯片多基片 模块 稳态热场
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