多芯片组件(MCM)技术

本文概述了微电子封装技术的发展历史和多芯片组件(Multichip Module)技术的发展过 程,介绍了MCM技术的基本内容和发展现状,并分析预测了未来微电子封装的发展趋势。

多芯片组件(MCM)技术的发展及应用

简要介绍了多芯片组件(MCM)技术的概念、分类、发展现状、应用情况等。

多芯片组件（MCM）技术

对日益广泛采用的多芯片组件（ＭＣＭ）技术的基本构成、基本类型、芯片安装／内连接、测试与诊断等作了较系统的介绍。

多芯片组件（MCM）封装技术

多芯片组件（ＭＣＭ）封装技术是当今世界范围内最新的特殊的封装技术。本文就此技术所涉及的多种技术，其中包括多密度衬底工艺技术、芯片粘贴技术、布局和布线ＣＡＤ技术以及ＭＣＭ的电学分析和测试技术等问题进行了讨论并作扼要介绍。

利用热阻网络拓朴关系对多芯片组件热分析技术的研究

与单芯片封装相比,对多芯片组件(MCM:Multi-Chip Module)进行热分析时,由于存在多个热源,各个热源之间相互影响,使得热分析变得比较复杂。现通过几种基本的MCM类型,利用一维热阻网络拓朴关系进行了热场的计算和分析,并与有限元仿真结果进行了对比,得到结点温度与有限元仿真结果误差相差不超过10%,说明了利用热阻网络拓朴分析技术可在某种程度上应用于3D MCM组件的热学分析技术中。

多芯片组件技术的发展

本文综述了多芯片组件（ＭＣＭ）的制造工艺和设计技术的发展现状，展望了ＭＣＭ的应用前景．

多芯片组件热分析技术研究

多芯片组件(MCM)是实现电子系统小型化的重要手段之一。由于封装密度大、功耗高,MCM内部热场对器件的性能和可靠性的影响日益严重。文章讨论了MCM内部热场影响器件可靠性的机理,比较了MCM热场计算的方法和特点,研究了有限元分析的方法和求解过程,进行了实际计算,并提出了几种有效的降低MCM结温的方法。

多芯片组件技术

概述了微电子封装技术的发展历史和多芯片组件MCM)技术的发展过程,介绍了MCM技术的特点、基本类型及其特性、三维多芯片组件和MCM的应用,并分析预测了未来微电子封装的发展趋势。

多芯片组件(MCM)技术的发展及应用

为了适应目前电路组装高密度要求,微电子封装技术的发展正日新月异,各种新技术、新工艺层出不穷。最新出现的CSP(芯片尺寸封装)更是使裸芯片尺寸与封装尺寸基本相近,这样在相同封装尺寸时可有更多的Ⅰ/0数,使电路组装密度大幅度提高。但是人们在应用申也发现,无论采用何种封装技术后的裸芯片,在封装后裸芯片的性能总是比未封装的要差一些。于是人们对传统的混合集成电路(HIC)进行彻底的改变,提出了多芯片组件(Multi Chip Module,即MCM)这种先进的封装模式。

浅谈多芯片组件（MCM）的可靠性技术

介绍了多芯片组件（MCM）可靠性的研究方法和关键技术，指出多芯片组件（MCM0可靠性研究应以失效物理评价方法为主。

新一代电子组装技术——表面组装技术与多芯片组件技术

２０世纪９０年代初，表面组装技术（ＳＭＴ）已成为世界电子整机组装的主流，现正向窄间距技术、高速、高精度、多功能、免洗焊接和采用无铅焊料发展。微组装技术（ＭＰＴ）则是在半导体ＩＣ技术、混合ＩＣ技术和ＳＭＴ的基础上发展起来的第五代电子组装技术。多芯片组件（ＭＣＭ）是ＭＰＴ的代表产品，ＭＣＭ的关键技术是高密度多层基板技术、叠层芯片技术。

红外热像技术在微波多芯片组件中的应用

探讨了红外热像技术在微波多芯片组件 (MMCM )中的应用 ,重点描述了其中微波功率芯片、调制芯片和小信号微波放大器芯片组装和互连的热设计、过热点控制、故障诊断以及工艺改进等方面的问题。本文通过红外成像的分析 ,完成了对微波多芯片组件的热设计改进 ,并取得了明显的效果。

多芯片组件热阻技术研究

在传统单芯片封装热阻定义的基础上,针对多芯片组件(MCM)传统热阻表示方法的不足,基于线性叠加原理,采用有限元模拟技术,提出了MCM的结到壳的热阻表示方法——热阻矩阵,并利用有限元模拟方法对热阻矩阵进行了验证。结果表明,采用热阻矩阵方法预测器件结温的误差小于2%。

MCM──多芯片组件

针对电子系统中由传统的封装与互连工艺引起的互连信号延迟、串扰噪声、电感／电容耦合以及电磁辐射等问题，介绍一种新型的多芯片组装技术（ＭｕｌｔｉＣｈｉｐＭｏｄｕｌｅ）．

电子陶瓷材料在多芯片组件(MCM)中的应用

论述了电子陶瓷在多芯片组件(MCM)中的应用、性能要求及优点。重点叙述低温共烧陶瓷基板技术以及AlN陶瓷基板材料的合成与优异性能。

多芯片组件技术的近期发展评述

多芯片组件技术近期发展主要体现在三个方面，一是高级多芯片组件的发展，二是向商业领域产品应用发展，三是研究新的材料。

多芯片组件(MCM)的可测性设计

为克服在线测试技术测试MCM时不能达到满意的故障覆盖率的困难,采用可测性技术对MCM进行设计.根据MCM的特点和测试要求,提出了在JTAG标准基础上扩展指令寄存器,添加专门的用户指令,融合扫描通路法、内建自测试法等可测性方法,分层次地对MCM进行全面测试.建立模型进行验证的结果表明:该方法能有效地测试MCM,缩短了测试时间,故障覆盖率达到95%以上.

多芯片组件(MCM)的互连延时

高速、高性能MCM中，往往把电路设计在欠阻尼小振荡输出的工作状态，以保持信号在互连传输线中的快速和平稳传播。已有文献关于互连延时的研究往往是针对过阻尼或欠阻尼大振荡工作状态，即对应于通常的IC和PCB互连，即使对高速VLSI互连延时的研究，考虑到计算的复杂性和有效性，也往往只处理过阻尼和欠阻尼大振荡两种状态，因此若将给出的结果用于研究MCM互连延时，误差相当大甚至无效。本文提出了一种研究MCM互连延时的方法，并给出了延时在3种工作状态下与各物理参数之间的确定公式。

多芯片组件(MCM)测试策略的研究

本文对多芯片组件(MCM)的测试问题和测试要求作了分析和研究,并对当前常用的K—探针测试、阵列探针卡测试、电子束测试、内建自测试(BIST)和边界扫描测试等MCM测试方法进行了简单地介绍和比较,在此基础上,作者提出了一种基于多芯片组件的测试策略.

多芯片组件(MCM)的可靠性

可靠性是目前阻碍多芯片组件技术推向市场的一大难题，文章简述了ＭＣＭ可靠性研究的范围、特点及研究方法和研究重点。