推拉型有机材料的多重存储特性研究

推拉型有机材料的多重存储特性研究魏振乾朱新羽戴振庭费浩生杨延强杨庆鑫孙桂娟（吉林大学物理系长春１３００２３）非线性光学技术的广泛应用，促使人们不断探索新的高效非线性光学材料。有机，尤其是偶氮类非线性光学材料，由于其特有的优点而更受人们注意。在实用中，...

光折变晶体多重存储实验研究

本文首先讨论了在光折变晶体同一体积内复用多幅全息图的等衍射效率记录方法 ,即递减时间曝光方法。然后采用这种曝光方法 ,分别以掺杂为 0 .0 3 %的Fe :LiNbO3和双掺杂晶体Zn :Fe:LiNbO3为存储介质 ,以Δθ=ΔΘ(ΔΘ =0 .0 94°)为复用角度间隔 ,存储了 12个字母 ,并再现出了清新的图像。

利用栅增强技术提高光折变多重存储衍射效率

提出了一种结合折射率栅自增强读出和固定技术的光折变多重存储的记录方法。利用自增强读出时折射率栅在记录晶体中（ｚ向）移动的特点，把同一位置记录的不同全息图的折射率栅置于晶体中ｚ方向分离的位置，最大限度的利用了晶体各处的折射率的最大动态范围，提高了多重存储衍射效率。

一种提高光折变多重存储密度的记录方法

提出了一种新的双面交替写入了光折变多重存储的记录方法。利用读出时折射率栅在记录晶体中移动的特点 ,把不同全息图的折射率栅置于晶体中纵向分离的位置 ,最大限度的利用了整个记录晶体的折射率动态范围 ,提高了光折变多重存储的实际存储密度。双面交替写入是把最先写入的折射率栅置于记录晶体的中心 ,最后写入的两折射率栅置于记录晶体前后表面附近 。

光折变多重存储的栅自增强读出特性研究

研究了光折变重存储读出时折射率栅自增强特性与记录晶体厚度、记录时的光强比以及写入的折射率栅振幅之间的关系．结果表明记录晶体的厚度大于某一值，才有自增强效应；较小的参物光强比具有较大的自增强效果，能获得较大的读出衍射效率；自增强读出所能达到的最大衍射效率与写入的栅振幅大小无关。

推拉型有机材料的多重存储特性研究

将新合成的推拉型偶氮化合物掺入ＰＭＭＡ中制成薄膜器件，研究了该器件的多重存储特性，实现了三重存储摄影记录及三重存储光电时间状态观测，研究了多重存储的竞争现象。

多重全息存储中曝光均匀性的研究

本文分析了光折变晶体多重全息存储中扇形效应对光栅写入时间常数的影响和写入光耦合对光栅振幅的影响，给出了两种因素影响下角度编码多重全息存储中时间递减曝光法的计算公式和方法，该计算公式和通常的有所不同。数值计算结果表明，按照这种计算方法所得多重存储中各幅全息光栅振幅不仅均匀性好，而且振幅也相对较大，这种曝光方法有利于提高晶体的存储容量。

光折变晶体多重全息存储衍射效率均匀性的研究

推导出了全息多重存储时间递减曝光法各幅图象写入时间的解析表达式，研究了时间递减法和循环曝光法单次曝光时间、总曝光时间以及循环次数随存储图象的幅数之间的变化关系，结果表明时间递减法不但对记录系统的要求较低，而且也可获得相当均匀的衍射效率．

甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料红光多重全息存储

甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料在两束相干光照射下生成相位光栅.当改变一束相干光光程,通过监测相位光栅的一级衍射信号强度的变化,可以检测相位光栅的生长和擦除过程.在此实验基础上,讨论了甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料多重全息存储的原理与结果.

有机材料的多波长共线存储研究

以全波段共线输出四个波长的Ar离子激光器作为光源，采用简并四波混频（DFWM）光路装置，对一种新合成的偶氮材料样品作了多波开共线读出存储特性研究。实现了此类有机材料的实时和永久共线读出的存储，获得了良好的照片记录。实现了多波长读出双重存储，观测到并理论解释了多重存储、多波长存储之间的竞争现象。

光折变体全息存储研究

对光折变全息存储中的光折变效应、多重存储时复用编码技术作了论述 。

光存储及恢复技术

TP333.4 98042452可实现存储光栅快速增强的新型全息存储结构=Anew hoiographic data storage architecture capa-ble of fast self—enhancement of stored gratings[刊,中]/李晓春,邬敏贤,金国藩,严瑛白(清华大学精密仪器系.北京(100084))∥光学学报.—1997,17(11).—1479—1485提出了一种新型全息数据存储结构。

推拉型偶氮化合物的多重图像存储

将新合成的推拉型偶氮化合物掺入聚甲基丙稀酸甲脂（ＰＭＭＡ）中制成薄膜器件，用其实现了多重存储，获得了良好的实时和长时的多重图像信息存储，并实现了联想存储。

光折变晶体 η- 2 θ曲线峰值位置明显偏移的研究(英文)

实验发现在 Ce:(K0 .5Na0 .5) 0 .2 (Sr0 .6 1Ba0 .39) 0 .9Nb2 O6 (Ce:KNSBN)光折变晶体的同一点记录两幅光栅时 ,其中一幅光栅的衍射效率 (η)相对于两光束夹角 (2θ)的关系曲线峰值位置由仅存储一幅光栅时的 3 6°变为 44°.采用跳跃模型的微扰分析方法解释了这一现象 .

Selective Erasure of Multiplexed Holograms in Fe: LiNbO3 by Complementary Holography

研究光折变晶体中多重体全息存储的选择性擦涂和重写技术.根据光折变晶体中位相全息图形成的机理，利用互补全息图与原始全息图的非相干迭加，实现选择性擦涂.成功地实现了在掺铁铌酸锂晶体中的选择性擦涂和重写.互补全息术是实现光折变晶体中多重全息存储的选择性擦涂和重写的有效而简便的可行方法.

Marvell推出基于四核Cortex-A72和双核Cortex-A53的超大规模芯片

美满电子科技（Marvell）推出高性能、超大规模Mar-yellAP806和ARMADAA3700芯片，这是Marvell的旗舰64位ARMPowered、基于Marvell革命性的模块化芯片架构或MoChi架构的产品。AP806集成了MarvellFinal-LevelCache（FLC）架构，作为虚拟SoC（MarvellVSoC）使用，配备了多重存储和网络协同模块。

光电功能材料

O437 99010658推拉型有机材料的多重存储特性研究=Research onmultiple storage characteristics of push—pullorganic materials[刊,中]/魏振乾,朱新羽,戴振庭,费浩生,杨延强,杨庆鑫,孙桂娟(吉林大学物理系.吉林,长春(130023))//大连理工大学学报.—1997,37(增2).-S244采用一种新合成的推拉型偶氮化合物开展了多重存储研究。给出了该材料的化学结构式;

有利于客户的改组

报道了有关Roche药物实验室法国分支机构改组的情况。该分支机构的改组．是在用户的影响下，以及由于打算改为采用在Unix管理下工作并适应于SAPR／3管理系统软件的信息系统的情况下进行的。企业领导人将这两个问题的解决．与实验室的改组以及顺便从等级管理结构向职能管理结构的过近联系起来。上述改组，使用户对他们感兴趣的那些具体职能的重要性提高的要求得到了满足。介绍了有关改组措施细节的信息。介绍了新旧机构设置图．以及与信息技术变化和由多重虚拟存储器系统（MVS）向Unix系统过渡有关的实验室活动情况、

存储于同一空间点的两幅光折变相位栅交扰问题的研究

给出了利用角度复用技术同时存储两幅光栅于光折变记录介质同一空间点上的稳态空间电荷场解析表达式。发现第一幅光栅的基频分量中含有第二幅光栅的二阶分量的交扰 ,而其二阶分量中却含有第二幅光栅的基频分量的交扰。发现空间电荷场基频分量、二阶分量随归一化的光栅波矢 (k/k0 )变化的最大值偏离了单幅存储时的最大值 ,以及第二幅光栅的自身变化对第一幅光栅的二阶分量的交扰影响远大于其对第一幅光栅的基频分量的交扰影响。同时还发现了调制度m只影响空间电荷场的振幅 ,并不影响空间电荷场随k/k0 变化的极值点位置。