质子注入缓冲层结构的高压FS-IGBT动态坚固性研究

具有多重质子注入(multiple proton injection,MPI)缓冲层结构的FS-IGBT,相比传统磷注入缓冲层结构的同类型器件,其动态坚固性发生了改变。通过对MPI缓冲层结构的FS-IGBT的短路特性研究发现,MPI缓冲层的峰数越多,抗短路热失效能力越强,但是峰数太多,可能会引起IGBT在短路时的栅极电压振荡,造成器件失效。这与IGBT在短路大电流下的Kirk效应有关。Kirk效应造成短路时IGBT栅电极下电场降低,电子运动速率减小,进而栅电极下累积的电子造成栅极输入电容的改变,引起栅电压振荡。此外,实验发现,MPI缓冲层峰的氢相关施主(hydrogen-related donors,HDs)浓度不仅与注入剂量和激活温度有关,还与注入次数有关,具体表现为注入次数多,辐射损伤多,HDs浓度越高。文中研究不同MPI缓冲层结构的IGBT关断坚固性。

C和Mo多重离子注入H13钢的腐蚀性能

研究了C +Mo +C注入结构和相变 ,用多重扫描电位法研究了其抗腐蚀特性 ,得出了抗腐蚀相生成的条件 ,以及这些相对抗腐蚀特性的作用 ,并对其改性机理进行了讨论 .实验结果表明 ,在C +Mo +C双注入H13钢中 ,可有效地提高H13钢的抗腐蚀性 ,并能提高点蚀电位 ,使之更耐点蚀 .三重注入生成了含Fe2 Mo ,FeMo合金相和MoC ,Fe5C3,Fe7C3,Mo和MoO等的表面钝化膜 .这种钝化膜的存在可提高H13钢的耐腐蚀性和抗点蚀特性 .其抗腐蚀和抗点蚀特性优于单注入和双注入 .这种多重注入最可贵之处在于既可提高钢表面的抗点蚀特性 。

注入条件对SIMOX材料的影响

利用ＲＢＳ和ＴＥＭ技术分析研究了不同注入剂量、注入方式（单重注入，多重注入）对ＳＩＭＯＸ材料各层结构的影响，特别着重研究了Ｓｉ／ＳｉＯ＿２界面过渡区受注入条件的影响．结果表明，在注入剂量相同的情况下，多重注入不仅能改善顶层单晶、ＳｉＯ＿２绝缘层的质量，而且能显著减小Ｓｉ／ＳｉＯ＿２界面过渡区宽度。