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多量子阱红外探测器耦合光栅的新型制备工艺 被引量:2
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作者 孙伟业 邓军 +1 位作者 何磊磊 杜欣钊 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第1期66-72,共7页
基于微米球刻蚀技术设计了一种制备多量子阱红外探测器(QWIP)表面二维光栅的新型工艺,通过改变微米球的直径可以为不同探测波长的QWIP制备表面二维光栅,有效降低了制备成本和技术难度。采用GaAs衬底作为实验片制作光栅、聚苯乙烯(PS)材... 基于微米球刻蚀技术设计了一种制备多量子阱红外探测器(QWIP)表面二维光栅的新型工艺,通过改变微米球的直径可以为不同探测波长的QWIP制备表面二维光栅,有效降低了制备成本和技术难度。采用GaAs衬底作为实验片制作光栅、聚苯乙烯(PS)材质小球作为表面掩膜,对小球的单层排布、PS小球刻蚀和光栅的刻蚀等工艺进行了深入的实验研究,并得出了最优的工艺参数。制备出了具有良好均匀性和一致性的二维光栅结构。通过傅里叶光谱仪测得表面光栅的耦合波长为6~9μm。最后研究了不同工艺条件对耦合结果的影响,证实当光栅直径为PS球直径的0.74倍时获得的耦合效果最优。 展开更多
关键词 二维光栅 微米球刻蚀 量子 反应离子刻蚀(RIE) 多量子阱红外探测器(QWIP)
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低噪声GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器 被引量:1
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作者 邓军 王斌 +2 位作者 韩军 李建军 沈光地 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1018-1020,共3页
提出了一种新结构的多量子阱红外探测器(QWIP)。在常规多量子阱结构的基础上加入P型欧姆接触层,实现以小的隧道电流代替原有的大的补偿电流,从而减小器件的暗电流实现低噪声器件。对器件暗电流的理论计算与实验曲线符合的很好。制备了... 提出了一种新结构的多量子阱红外探测器(QWIP)。在常规多量子阱结构的基础上加入P型欧姆接触层,实现以小的隧道电流代替原有的大的补偿电流,从而减小器件的暗电流实现低噪声器件。对器件暗电流的理论计算与实验曲线符合的很好。制备了新结构器件,其噪声只是同结构的常规QWIP的1/3。 展开更多
关键词 多量子阱红外探测器(QWIP) 隧道 补偿电流
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多量子阱红外光电探测器
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作者 《红外》 CAS 2003年第6期8-8,共1页
在红外传感器中,量子阱红外光电探测器是可以控制探测波长范围的。因此,如果用具有许多个探测波长范围的量子阱红外光电探测器获取许多个波长范围的信息的话,那么武器制导和防御系统便可以获得更加详细的信息。
关键词 多量子红外光电探测器 器件组成 电流积分装置 转换器 多量子膜层
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光电探测技术及器件
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《中国光学》 EI CAS 1994年第2期68-70,共3页
TN215 94021285GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的电极引接损伤研究=Study of electrode bonding damageof GaAs/AlGaAs multiple quantum well infrareddetector[刊,中]/黄醒良,方晓明,沈学础,袁诗鑫(中科院上海技物所红外物理国家实验... TN215 94021285GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的电极引接损伤研究=Study of electrode bonding damageof GaAs/AlGaAs multiple quantum well infrareddetector[刊,中]/黄醒良,方晓明,沈学础,袁诗鑫(中科院上海技物所红外物理国家实验室)// 红外与毫米波学报.-1993,12(5).-379~384从柱形流变模型出发讨论了压焊引接电极时受压面的压强分布、压力损伤半径和深度以及超声压焊时的损伤,并讨论了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的超声压焊的压力损伤和In球熔焊的Au丝力损伤。图1表2参6(方舟) 展开更多
关键词 多量子阱红外探测器 光电技术 半导体 压力损伤 器件 毫米波 压强分布 光谱分析 压焊 红外物理
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《半导体光电》2008年第29卷总目次
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《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期988-992,共5页
关键词 光子晶体光纤 光纤光栅 多量子阱红外探测器 半导体激光器 半导体光激射器 红外焦平面阵列 半导体光电 目次
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Energy band design for p-type tensile strained Si/SiGe multi-quantum well infrared photodetector 被引量:4
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作者 李金涛 陈松岩 +3 位作者 亓东锋 黄巍 李成 赖虹凯 《Optoelectronics Letters》 EI 2011年第3期175-177,共3页
The band structure of the confined states is calculated for Si/SiGe multi-quantum well infrared photodetector(M-QWIP).The influence of the Ge component in pseudosubstrate on the energy band structure of Si/Si0.54Ge0.4... The band structure of the confined states is calculated for Si/SiGe multi-quantum well infrared photodetector(M-QWIP).The influence of the Ge component in pseudosubstrate on the energy band structure of Si/Si0.54Ge0.46 multi-quantum wells(MQWs) is investigated.It is found that the high energy levels in the MQWs move up while the low energy levels move down as the Ge component in pseudosubstrate increases.The influence of the barrier width on the energy band structure of MQWs is also studied based on the 6 × 6 k.p method.The results show that the Si barrier between 5 nm and 10 nm is optimized to enhance the intersubband absorption in the MQWs. 展开更多
关键词 Band structure GERMANIUM Infrared detectors Optoelectronic devices Semiconductor quantum wells
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