期刊文献+
共找到275篇文章
< 1 2 14 >
每页显示 20 50 100
一款多色叠层量子阱红外探测器的读出电路设计
1
作者 张露漩 于艳 李敬国 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期746-749,共4页
一款完整的红外焦平面探测器主要包含探测器件、读出电路、封装结构和制冷组件。目前根据不同应用场景,探测波段范围不断变宽、探测灵敏度需求提高、成像速度要求加快,对探测器设计提出了更严格、更复杂的指标要求。其中,读出电路将探... 一款完整的红外焦平面探测器主要包含探测器件、读出电路、封装结构和制冷组件。目前根据不同应用场景,探测波段范围不断变宽、探测灵敏度需求提高、成像速度要求加快,对探测器设计提出了更严格、更复杂的指标要求。其中,读出电路将探测光信号转换为电信号传输至系统,是探测器组件的关键核心模块。本文设计了一款对应多色叠层量子阱型器件的红外焦平面探测器读出电路,能够实现同时间、同空间对四波段信号进行探测,并且同时读出,四波段信号的探测积分与读出之间没有互相干扰。探测器规格640×512,像元间距50μm(四波段),各波段信号可实现分时积分、分别可调,采用边积分边读出工作模式,读出帧频可达到四波段探测时≥50 Hz,电路噪声≤0.5 mV,动态范围≥70 dB,电功耗≤600 mW,是一款超大规模低噪声高帧频的高性能读出电路。 展开更多
关键词 多色 量子 红外探测器 读出电路
下载PDF
时域有限差分法模拟量子阱红外探测器光栅的光耦合(英文) 被引量:10
2
作者 疏小舟 吴砚瑞 +1 位作者 陈效双 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期401-404,共4页
由于量子选择定则的限制,对于量子阱红外探测器(QWIP),必须利用衍射光栅增强其光学耦合效率.本文给出了一种基于时域有限差分法(FDTD)的数值方法,计算制备在QWIP器件上的金属光栅的衍射效应.模拟计算的结果表明,FDTD方法是解析这种复杂... 由于量子选择定则的限制,对于量子阱红外探测器(QWIP),必须利用衍射光栅增强其光学耦合效率.本文给出了一种基于时域有限差分法(FDTD)的数值方法,计算制备在QWIP器件上的金属光栅的衍射效应.模拟计算的结果表明,FDTD方法是解析这种复杂结构内电磁场问题的有效手段.可以计算QWIP器件内各点电磁场所有分量的详细分布,进而可以估算衍射光栅的耦合效率,以及优化QWIP结构设计. 展开更多
关键词 qwip 量子红外探测器 时域有限差分法 衍射光栅 光耦合 FDTD方法 器件 金属光栅 衍射效应 分量
下载PDF
基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器 被引量:10
3
作者 李献杰 刘英斌 +6 位作者 冯震 过帆 赵永林 赵润 周瑞 娄辰 张世祖 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第4期435-438,共4页
采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAsQWIP焦平面探测器阵列。用液氮温度下的暗电流... 采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAsQWIP焦平面探测器阵列。用液氮温度下的暗电流和傅里叶红外响应光谱对单元测试器件进行了评估,针对不同材料结构,实现了9μm和10.9μm的截止波长;黑体探测率最高达到2.6×109 cm.Hz1/2.W-1。将128×128 AlGaAs/GaAs QWIP阵列芯片与CMOS读出电路芯片倒装焊互连,成功演示了室温环境下目标的红外热成像;并进一步讨论了提高QWIP组件成像质量的途径。 展开更多
关键词 MOCVD ALGAAS/GAAS 量子红外探测器 红外热成像
下载PDF
320×256 GaAs/AlGaAs长波红外量子阱焦平面探测器 被引量:11
4
作者 金巨鹏 刘丹 +4 位作者 王建新 吴云 曹菊英 曹妩媚 林春 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第4期833-837,共5页
量子阱红外探测器(Quantum well infrared photodetector,QWIP)已经经历了20多年的深入研究,各种QWIP器件,包括量子阱红外探测器焦平面阵列(FPA)的研制也已经相当成熟。但是在国内,受制于整体工业水平,QWIP焦平面阵列器件的研制仍然处... 量子阱红外探测器(Quantum well infrared photodetector,QWIP)已经经历了20多年的深入研究,各种QWIP器件,包括量子阱红外探测器焦平面阵列(FPA)的研制也已经相当成熟。但是在国内,受制于整体工业水平,QWIP焦平面阵列器件的研制仍然处于起步阶段。研制了基于GaAs/AlxGa1-xAs材料、峰值响应波长为9.9μm的长波320×256 n型QWIP焦平面阵列器件,其像元中心距25μm,光敏元面积为22μm×22μm。GaAs衬底减薄后的QWIP焦平面阵列,与Si基CMOS读出电路(ROIC)通过铟柱倒焊互连,并且在65 K工作温度下进行了室温环境目标成像。该焦平面器件的规模和成像质量相比之前国内报道的结果都有较大提高。焦平面平均峰值探测率达1.5×1010cm.Hz1/2/W。 展开更多
关键词 量子红外探测器 GAAS/ALGAAS 焦平面 红外热成像
下载PDF
MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较 被引量:5
5
作者 李娜 李宁 +9 位作者 陆卫 窦红飞 陈张海 刘兴权 沈学础 H.H.Tan LanFu C.Jagadish M.B.Johnston M.Gal 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期441-444,共4页
用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性 ,峰值波长7.9μm,响应率达到 6× 1 0 3V/W,与分子束外延法 ( MBE)生长... 用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性 ,峰值波长7.9μm,响应率达到 6× 1 0 3V/W,与分子束外延法 ( MBE)生长的材料和相关器件进行了比较 ,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求 . 展开更多
关键词 ALGAAS 量子 红外探测器 MOCVD 砷化镓
下载PDF
160×128元多量子阱长波红外焦平面探测器件研制 被引量:7
6
作者 种明 苏艳梅 +4 位作者 张艳冰 胡小燕 马文全 孙永伟 陈良惠 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第5期702-704,共3页
报道了新研制出的160×128元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面器件。使用MBE的方法在半绝缘的GaAs衬底上生长器件结构;开发了用普通光刻技术和离子束刻蚀法制备2D光栅技术,以及探测器芯片与读出电路互联技术。在77 K时测试,器件... 报道了新研制出的160×128元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面器件。使用MBE的方法在半绝缘的GaAs衬底上生长器件结构;开发了用普通光刻技术和离子束刻蚀法制备2D光栅技术,以及探测器芯片与读出电路互联技术。在77 K时测试,器件的平均峰值探测率Dλ*=1.28×1010 cmW-1Hz1/2,峰值波长为λp=8.1μm,截止波长为λc=8.47μm。器件的非盲元率≥98.8%,不均匀性10%。 展开更多
关键词 长波红外探测器 量子 焦平面阵列
下载PDF
2μm像元间距GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面探测器 被引量:6
7
作者 史衍丽 曹婉茹 +2 位作者 周艳 杨明珠 何丹 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第6期968-971,共4页
量子阱焦平面探测器具有大面阵焦平面探测器重复性和均匀性好、成品率高、成本低等明显的产业化优势,在军民两用领域获得了广泛而重要的应用。为了尽快研制出全国产化高性能量子阱红外焦平面探测器,通过完全正向的器件设计,采用常规光... 量子阱焦平面探测器具有大面阵焦平面探测器重复性和均匀性好、成品率高、成本低等明显的产业化优势,在军民两用领域获得了广泛而重要的应用。为了尽快研制出全国产化高性能量子阱红外焦平面探测器,通过完全正向的器件设计,采用常规光刻和反应离子刻蚀方法,成功研制出87.1%的高占空比320×256长波量子阱焦平面探测器,峰值波长9μm,平均峰值探测率1.6×1010cm·Hz1/2·W-1。第一支样管的噪声等效温差为33.2mK,响应率不均应性8.9%,面阵盲元率1%。在70K温度下获得了1km和4.2km处的建筑物的清晰成像。实验结果充分显示了器件设计的正确性及研制技术的可控性。 展开更多
关键词 GAAS/AIGAAS 量子红外探测器 长波 焦平面 噪声等效温差
下载PDF
双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制 被引量:3
8
作者 种明 马文全 +3 位作者 苏艳梅 张艳冰 胡小燕 陈良惠 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第6期782-784,共3页
采用GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs多量子阱,研制出了双色同像素读取结构的中波/长波量子阱红外探测器及160×128元中波/长波双色多量子阱红外探测器芯片。器件的材料结构生长是采用分子束外延技术,在5.08 cm半绝缘GaAs衬底上完成的... 采用GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs多量子阱,研制出了双色同像素读取结构的中波/长波量子阱红外探测器及160×128元中波/长波双色多量子阱红外探测器芯片。器件的材料结构生长是采用分子束外延技术,在5.08 cm半绝缘GaAs衬底上完成的。发展了双色大面阵制备工艺,二维光栅的制备使用标准光刻和离子束刻蚀技术。在77 K时,对量子阱红外探测器测试,得到中、长波段峰值探测率分别为Dλ=(1.61~1.90)×1010 cmHz1/2W-1和(1.54~2.67)×1010 cmHz1/2W-1。中、长波段峰值波长分别为(2.7~3.8)μm和8.3μm。 展开更多
关键词 红外探测器 量子 双色 大面阵
下载PDF
中波-长波双色量子阱红外探测器 被引量:5
9
作者 赵永林 李献杰 +5 位作者 刘英斌 齐利芳 过帆 蔡道民 尹顺政 刘跳 《微纳电子技术》 CAS 2008年第12期689-693,共5页
采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器(QWIP)器件,器件采用正面入射二维光栅耦合,光栅周期设计为4μm,宽... 采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器(QWIP)器件,器件采用正面入射二维光栅耦合,光栅周期设计为4μm,宽度2μm;对制作的500μm×500μm大面积双色QWIP单元器件暗电流、响应光谱、探测率进行了测试和分析。在-3V偏压、77K温度和300K背景温度下长波(LWIR)和中波(MWIR)QWIP的暗电流密度分别为0.6、0.02mA/cm2;-3V偏压、80K温度下MWIR和LWIR QWIP的响应光谱峰值波长分别为5.2、7.8μm;在2V偏压、65K温度下,LWIR和MWIR QWIP的峰值探测率分别为1.4×1011、6×1010cm.Hz1/2/W。 展开更多
关键词 量子红外探测器 双色 暗电流密度 响应光谱 探测 二维光栅
下载PDF
128×128三电极中/长波双色量子阱红外探测器 被引量:3
10
作者 苏艳梅 种明 +4 位作者 曾一平 胡小燕 于艳 孙捷 张晓燕 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第9期2249-2252,共4页
量子阱红外探测器(QWIP)阵列具有重要的实用意义。国外的研究已经相当成熟,但是在国内,量子阱红外探测器阵列的研究水平还较低,尤其是对于双色量子阱红外探测器阵列的研究更是刚刚起步。文中使用GaAs/AlGaAs、InGaAs/AlGaAs应变量子阱... 量子阱红外探测器(QWIP)阵列具有重要的实用意义。国外的研究已经相当成熟,但是在国内,量子阱红外探测器阵列的研究水平还较低,尤其是对于双色量子阱红外探测器阵列的研究更是刚刚起步。文中使用GaAs/AlGaAs、InGaAs/AlGaAs应变量子阱和三端电极引出的器件结构研制出128×128中/长波双色量子阱红外探测器阵列。该结构实现了同像元同时引出双色信号。器件像元中心距为40μm,像元有效面积为36μm×36μm。探测器芯片与读出电路互连并完成微杜瓦封装。在65 K条件下测试,峰值波长为:中波5.37μm,长波8.63μm,器件的平均峰值探测率为:中波4.75×109cmHz1/2W-1,长波3.27×109cmHz1/2W-1。并进行了双波段的红外演示成像。 展开更多
关键词 红外探测器 量子 双色
下载PDF
3~5微米双势垒量子阱红外探测器结构在不同偏压下的光伏响应 被引量:4
11
作者 崔丽秋 江德生 +3 位作者 张耀辉 刘伟 吴文刚 王若帧 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第7期557-560,共4页
首次采用不同偏压下的光伏谱方法无损测量到双势垒量子阱红外探测器结构的量子阱带间跃迁光伏谱响应.分析结果支持探测器有源区存在内建电场的说法:量子阱区存在由生长不对称引起的指向衬底的内建电场,同时势垒区存在相反的内建电场.
关键词 双势垒量子 红外探测器 光伏响应
下载PDF
GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究 被引量:3
12
作者 崔丽秋 江德生 +6 位作者 张耀辉 吴文刚 刘伟 宋春英 李月霞 孙宝权 王若桢 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期573-580,共8页
本文综述了有关新型的GaAs/AlGaAs体系双色量子阱红外探测器的结构特性和光电特性的研究工作.双色探测器工作在3~5μm及8~12μm大气窗口波段范围,是光伏响应模式和光导响应模式相结合的偏压控制型两端器件.研究内容包括探测器的... 本文综述了有关新型的GaAs/AlGaAs体系双色量子阱红外探测器的结构特性和光电特性的研究工作.双色探测器工作在3~5μm及8~12μm大气窗口波段范围,是光伏响应模式和光导响应模式相结合的偏压控制型两端器件.研究内容包括探测器的器件结构特性、红外光吸收特性、红外光电流响应、暗电流、噪声特性和探测率测试分析等等.首次从理论和实验两方面探讨有关量子阱束缚子能带到扩展态中不同虚能组之间的光跃迁问题及光电子输运问题. 展开更多
关键词 量子 红外探测器 光电性质 砷化镓
下载PDF
Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器的光荧光表征 被引量:2
13
作者 蔡炜颖 李志锋 +4 位作者 李宁 陆卫 沈学础 周均铭 黄绮 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期66-68,共3页
对 Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器器件进行显微荧光光谱 (μ- PL)测量 ,光谱中表征势垒、势阱基态间光跃迁能量位置的荧光峰直接与势垒中 Al含量相关 ,通过光谱实验上对势垒和量子阱带间跃迁能量的确定并结合有效质量理论的计算 ,获... 对 Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器器件进行显微荧光光谱 (μ- PL)测量 ,光谱中表征势垒、势阱基态间光跃迁能量位置的荧光峰直接与势垒中 Al含量相关 ,通过光谱实验上对势垒和量子阱带间跃迁能量的确定并结合有效质量理论的计算 ,获得了 Al组分和阱宽值 ,并由此推算出相应的红外探测响应波长 ,与光电流谱的实验结果相比吻合良好 . 展开更多
关键词 量子 红外探测器 多量子 峰值响应波长 显微荧光光谱 铝组分 宽度 GaAs ALGAAS
下载PDF
GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声特性分析 被引量:5
14
作者 盛怀茂 王嘉宽 +2 位作者 高启安 夏冠群 赵建龙 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期26-29,共4页
分析了第一激发态在势垒以上的GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器中存在的几种基本噪声,
关键词 噪声特性 红外探测器 量子 超晶格
下载PDF
量子阱红外探测器响应峰值波长的Raman散射测量 被引量:2
15
作者 程兴奎 连洁 +3 位作者 王青圃 周均铭 黄绮 闫循领 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期97-99,共3页
通过测量多量子阱材料的Raman散射谱,可以预测出:由该种材料制出的量子阱红外探测器的响应峰值波长.它既不需要实际制出量子阱红外探测器,也不需要对多量子阱结构材料进行抛光处理,方法简便,结果可靠.
关键词 量子红外探测器 峰值波长 散射测量 响应 Raman散射谱 多量子材料 抛光处理 结构材料
下载PDF
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的特性研究 被引量:3
16
作者 黄醒良 方晓明 +4 位作者 陆卫 沈学础 李言谨 袁诗鑫 周小川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期301-308,共8页
测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)... 测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)拟合给出器件的光电流谱的峰值波长λ_P和半峰宽λ_w。 展开更多
关键词 多量子 红外探测器 拟合
下载PDF
新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器暗电流特性 被引量:3
17
作者 史衍丽 邓军 +6 位作者 杜金玉 廉鹏 高国 陈建新 沈光地 尹洁 吴兴惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期503-506,共4页
对基于 Ga As/ Al Ga As系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器 ,采用 Poisson方程和 Schrodinger方程 ,计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性 ,在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟 ,计算结... 对基于 Ga As/ Al Ga As系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器 ,采用 Poisson方程和 Schrodinger方程 ,计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性 ,在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟 ,计算结果与器件实测的暗电流特性吻合得很好 ,说明热离子发射、热辅助遂穿机制是形成器件暗电流的主要构成机制 ,增加垒高、降低阱中掺杂浓度及降低工作温度是抑制器件暗电流的主要途径 ,计算结果对进一步优化器件的设计将起到重要的理论指导作用 . 展开更多
关键词 GAAS/AIGAAS 量子红外探测器 暗电流特性分析 砷化镓
下载PDF
质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的影响 被引量:3
18
作者 李娜 陆卫 +9 位作者 李宁 刘兴权 袁先漳 窦红飞 沈学础 FU Lan Tan H H C Jagadish M B Johnston M Gal 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期25-28,共4页
利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化.在质子注入剂量为2.5×1015cm-2、快速退火... 利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化.在质子注入剂量为2.5×1015cm-2、快速退火条件为950℃、30s时,峰值探测波长移动2μm. 展开更多
关键词 质子注入 快速退火 量子红外探测器
下载PDF
AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器暗电流特性 被引量:3
19
作者 赵永林 李献杰 +3 位作者 蔡道民 周洲 郭亚娜 韩丽丽 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z5期68-71,共4页
介绍了 AlGaAs/GaAs 多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径;基手湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm台面单元器件,并用变温液氦杜瓦测试系统在不同温度下对红外探测器暗电流进行了测试并分析。在温度小... 介绍了 AlGaAs/GaAs 多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径;基手湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm台面单元器件,并用变温液氦杜瓦测试系统在不同温度下对红外探测器暗电流进行了测试并分析。在温度小于40 K 时,随着温度的改变暗电流没有明显的变化;当温度大于40 K 时,暗电流随着温度的升高迅速变大,正、负偏压下 QWIP 暗电流具有不对称特性。 展开更多
关键词 ALGAAS/GAAS 量子红外探测器 暗电流
下载PDF
GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器 被引量:2
20
作者 张耀辉 江德生 +7 位作者 夏建白 刘伟 崔丽秋 杨小平 宋春英 郑厚植 周增圻 林耀望 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期151-154,共4页
本文报道我们在国内率先研制的GaAs/GaAlAs中红外(3~5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能.GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体... 本文报道我们在国内率先研制的GaAs/GaAlAs中红外(3~5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能.GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3.0×109cm·Hz1/2/W,峰值探测率达到5×1011cm·Hz1/2/W,阻抗为50MΩ.GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3~5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下500K黑体探测率为3.0×109cm·Hz1/2/W,当偏压为2V时,该探测器的响应切换到8~12μm波段,峰值响应波长为9.0μm,85K温度下的黑体探测率为1.0×109cm·Hz1/2/W. 展开更多
关键词 红外探测器 砷化镓 GAALAS 量子 探测器
下载PDF
上一页 1 2 14 下一页 到第
使用帮助 返回顶部