有机光致变色材料的合成与多阶存储实验研究

本实验介绍了用于多阶光存储材料的有机光致变色的二芳基乙烯化合物合成,存储的膜片制作和多阶光存储实验。结果显示:用1,2-双(2-甲基-5-(4-醛基苯基)噻吩-3-基)全氟环戊烯作为多阶光存储的记录材料,与PMMA掺杂,采用旋涂法制成存储膜片,可以实现八阶光信息存储。

用于多阶光盘游长检测的PRML系统

对用于多阶光盘游长检测的部分响应最大似然(PRML)检测器的设计和实现进行了详细研究。分析了多阶光盘的编码形式,并将编码进行简化以减小维特比检测器的路径数和运算复杂度。为了提高PR均衡器和维特比检测器的性能,分析了目标PR多项式系数和记忆长度的选择。阐述了多阶光盘游长识别的维特比算法,对算法进行仿真,分析了维特比算法的识别效果,并与与传统识别算法的效果进行了比较。

光盘多阶调制编码优化方法研究

传统的光存储系统中采用游程长度受限(RunLengthLimited,RLL)调制技术,受限于光学衍射极限,容量提升难度大。多阶光存储技术采用新型多阶记录介质或多阶调制技术,在不改变光学参数的情况下可以显著的提高光存储的密度和容量。多阶RLL调制编码则是多阶光存储技术中的关键技术,为提高光存储的密度和容量,针对光盘存储研究多阶调制编码优化方法,提出4阶RLL(1,7)调制编码方法,相较于蓝光光盘现采用的17PP编码方法,最大记录密度可达2.4bit,光盘容量提升50%,并具有一定的纠错能力。

光致变色材料多阶光存储模型与实验

光致变色材料具有光子型反应的特点,控制光致变色材料吸收的光子数就可以控制材料的反应程度,从而实现多阶存储。根据光化学反应的原理,分析了光致变色材料的写入过程,建立了光致变色多阶存储写入过程的反射率模型。根据该模型的仿真计算结果,设定了一组合适的曝光量,在1,2_双(2_甲基_5_(4_(1,3_二氧戊环基)苯基)噻吩_3_基)全氟环戊烯材料上实现了8阶存储。

一种使MLC实现准SLC效能的方法

FLASH存储器工艺已经普及到25 nm,并正在进军15 nm,其存储密度也从单阶存储单元提高到多阶存储单元。相比于单阶存储单元,多阶存储单元可以降低存储器的价格,但是存储性能会降低。提出了一种针对多阶存储单元器件编程的方法,该方法能够提高多阶存储单元的速度,且能够减少位错误率,从而获得接近单阶存储单元器件的性能。

多阶光存储研究进展

多阶光存储是一种在不改变原有光路和机械系统的情况下,利用先进的信号处理与调制编码技术,显著提高存储容量和数据传输率的新型技术。综述了多阶光存储的发展历史及研究现状,并针对多阶光存储的两种类型(信号多阶和介质多阶),列举了几种典型的多阶光存储方案。从本质上分析了信号多阶技术和介质多阶技术的不同,展望了其发展方向。

多阶光存储的调制原理分析与编码设计研究

根据编码理论的状态切分算法,提出一种新型的8阶(1,3)游程长度受限码,在最小记录符上能够存储3·0比特的用户数据,并且编码与译码逻辑简明,可用于未来高密度多阶游程长度调制光盘系统.

光致变色多阶光数据存储中激光功率的调制

多阶激光功率调制是光致变色多阶光数据存储的一项核心技术。该文描述了一种基于工业标准结构(ISA)总线和复杂可编程逻辑器件(CPLD)的多阶激光功率调制方法。采用中断方式与计算机进行交互,通过功率探测元件进行反馈控制,采用射极耦合逻辑(ECL)高速集成电路技术进行激光驱动。多阶功率调制实验结果表明:采用该调制方法可使650nm激光器在多种功率下快速、稳定工作,而且写入时间和写入功率分别独立可调;该多阶功率调制模块可应用于4阶或更高阶的光致变色多阶光数据存储系统。

多阶游程长度受限编码的光盘读出信号

多阶游程长度受限(ML-RLL)编码可以在保持原有记录符尺寸和记录单元数量的情况下将CD光盘存储容量提高2.4倍。借助标量衍射理论建立了多阶游程长度受限记录符的计算模型,对采用多阶游程长度受限编码的CD光盘的读出信号进行了仿真分析。结果表明,记录坑长度的变化对读出信号幅值影响较小,有利于将记录坑长度和记录坑的宽度两个参数进行分离检测,但在3T长度、不同宽度的记录坑相连的情况下,从读出信号中很难分辨出记录符的分界位置。

光致变色多阶光盘的光学通道模型

光致变色多阶存储系统的光学通道分析是分析和设计后续信号处理部分的前提。该文以Fourier光学作为理论工具,研究光盘表面的反射场变化引起的光学头出瞳面上光场分布变化;利用Fourier光学和光致变色记录斑的可叠加性,得到了光致变色多阶光盘的光学通道模型,并根据此模型研究了单记录斑的读出信号及其各组成部分之间的关系。实验中采用俘精酸酐类光致变色材料作为记录层,使用不同的激光功率和写入时间的组合,由大、中、小3种幅值和零功率写入实现了4阶存储。结果表明,实验的读出信号与仿真计算的结果相吻合。