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一种使MLC实现准SLC效能的方法
1
作者
杜加友
王维建
+1 位作者
樊凌雁
刘海銮
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2014年第4期84-87,共4页
FLASH存储器工艺已经普及到25 nm,并正在进军15 nm,其存储密度也从单阶存储单元提高到多阶存储单元。相比于单阶存储单元,多阶存储单元可以降低存储器的价格,但是存储性能会降低。提出了一种针对多阶存储单元器件编程的方法,该方法能够...
FLASH存储器工艺已经普及到25 nm,并正在进军15 nm,其存储密度也从单阶存储单元提高到多阶存储单元。相比于单阶存储单元,多阶存储单元可以降低存储器的价格,但是存储性能会降低。提出了一种针对多阶存储单元器件编程的方法,该方法能够提高多阶存储单元的速度,且能够减少位错误率,从而获得接近单阶存储单元器件的性能。
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关键词
闪存
多阶存储单元
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题名
一种使MLC实现准SLC效能的方法
1
作者
杜加友
王维建
樊凌雁
刘海銮
机构
杭州电子科技大学
杭州华澜微科技有限公司
出处
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2014年第4期84-87,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(51376055)
浙江省自然科学基金资助项目(LQ12F01001)
浙江省科技计划公益技术研究资助项目(2013C31074)
文摘
FLASH存储器工艺已经普及到25 nm,并正在进军15 nm,其存储密度也从单阶存储单元提高到多阶存储单元。相比于单阶存储单元,多阶存储单元可以降低存储器的价格,但是存储性能会降低。提出了一种针对多阶存储单元器件编程的方法,该方法能够提高多阶存储单元的速度,且能够减少位错误率,从而获得接近单阶存储单元器件的性能。
关键词
闪存
多阶存储单元
对偶页
Keywords
NAND flash
multi-level cell
paired page
分类号
TP333.5 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种使MLC实现准SLC效能的方法
杜加友
王维建
樊凌雁
刘海銮
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2014
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