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多隧道结单电子动态存储器的Monte Carlo模拟
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作者 许海霞 李钱光 +3 位作者 杨毅 闵永泉 李志扬 刘武 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期214-218,共5页
本文采用MonteCarlo方法模拟了多隧道结单电子动态存储器的存储特性 ,考察了隧道结的个数、隧道结电容、隧道结电阻、脉冲电压幅度等参数对存储器的存储时间和饱和充电电荷的影响 。
关键词 蒙特卡罗模拟 单电子动态存储器 多隧道结 隧道结电容 隧道结电阻 脉冲电压幅度 存储时间 充电电荷
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基于Monte Carlo模拟的三种不同结构单电子动态存储器特性比较 被引量：3
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作者 许海霞 李钱光 +1 位作者 闵永泉 李志扬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期1483-1489,共7页
采用MonteCarlo方法对多隧道结型、对称陷阱型和环型等三种不同结构的单电子动态存储器进行了数值模拟 ,分析了电容、温度等因素对存储器存储时间的影响 ,发现在相同条件下环型和对称陷阱型存储器一般要比多隧道结型存储器的存储时间长 .
关键词 蒙特卡罗模拟 单电子存储器 存储时间 多隧道结型 对称陷阱型
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