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GaAs MMIC用无源元件的模型
被引量:
8
1
作者
申华军
陈延湖
+5 位作者
严北平
杨威
葛霁
王显泰
刘新宇
吴德馨
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第10期1872-1879,共8页
制作了不同结构参数的GaAsMMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2...
制作了不同结构参数的GaAsMMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2,NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16·1Ω/□.分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知,减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感.
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关键词
MMIC
矩形螺旋电感
MIM电容
薄膜电阻
多项式拟合公式
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职称材料
题名
GaAs MMIC用无源元件的模型
被引量:
8
1
作者
申华军
陈延湖
严北平
杨威
葛霁
王显泰
刘新宇
吴德馨
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第10期1872-1879,共8页
文摘
制作了不同结构参数的GaAsMMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2,NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16·1Ω/□.分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知,减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感.
关键词
MMIC
矩形螺旋电感
MIM电容
薄膜电阻
多项式拟合公式
Keywords
MMIC
rectangle spiral inductor
MIM capacitor
film resistor
fitting polynomial formulas
分类号
TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs MMIC用无源元件的模型
申华军
陈延湖
严北平
杨威
葛霁
王显泰
刘新宇
吴德馨
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
8
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