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适用于嵌入式五口SRAM的多频率内建自测电路
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作者 华林 王佳静 +1 位作者 俞军 章倩苓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期270-275,共6页
提出了一种多频率带有扫描链的 BIST方案 ,用于五口的 32× 32嵌入式 SRAM的可测性设计。分析了多口 SRAM的结构并确定其故障模型 ,在此基础上提出了一种名为“对角线移动变反法”( OMOVI)的新算法及其电路实现。与传统的“移动变... 提出了一种多频率带有扫描链的 BIST方案 ,用于五口的 32× 32嵌入式 SRAM的可测性设计。分析了多口 SRAM的结构并确定其故障模型 ,在此基础上提出了一种名为“对角线移动变反法”( OMOVI)的新算法及其电路实现。与传统的“移动变反法”( MOVI)相比 ,在保证故障覆盖率前提下 ,测试图形的测试步数由原来的12 N log2 N减小为 N/ 2 +2 N log2 N( N为 SRAM的容量 )。该方案集功能测试、动态参数提取和故障分析定位于一体 。 展开更多
关键词 嵌入式SRAM 多频率内建自测电路 寄存器堆 扫描链 性设计 存储器
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