MOSFET的大信号动态集总模型及射频电路模拟

针对 RF电路模拟的需要 ,在文中提出了一个基于表面势的 MOSFET大信号动态集总模型。这个模型是由 MOSFET的 PDE模型简化推导而来。它不仅比传统的模型能更精确地描述晶体管在高频大信号情况下的伏 -安特性 ,而且比 PDE模型易于求解 ,从而大大提高了电路模拟的速度。通过模拟几个具体的 RF电路 ,将这个模型与 PDE模型作了比较 ,结果表明两者吻合得很好。

基于动态负载线GaN HEMT模型的谐波调谐功放设计

基于动态负载线GaN HEMT大信号模型和负载牵引技术设计并制作了一款工作在2 GHz的高效率谐波调谐功放。在晶体管寄生参数和封装参数未知的情况下,通过负载牵引技术初步确定满足性能要求的最佳基波和谐波阻抗值,并根据动态负载线大信号模型所观察到的漏极电流、电压波形对功放整体电路进行调谐和优化。测试结果表明,当输入功率为27 dBm时,该功放漏极效率可达81.53%,功率附加效率为76%,输出功率为38.69 dBm,增益为11.69 dB。采用该方法所设计的高效率谐波调谐功放在满足较高性能的同时,具有结构简单、调谐方便的优点。

准谐振变换器的变结构控制

以Boost零电流开关准谐振变换器(ZCS-QRCs)为例,首先根据其工作原理建立了高阶动态电路方程,并推导出适合于变结构控制的大信号电路模型;其次根据变结构控制的具体思路选取切换面函数并求取控制率。仿真结果表明该控制方法的有效性,系统具有良好的动态性能和鲁棒性。