有源箝位正激式高频脉冲直流环节逆变器大信号特性

有源箝位正激式高频脉冲直流环节逆变器具有优良的综合性能。然而 ,当输入电源电压或负载大信号瞬变时 ,有源箝位电路的动态特性严重影响了变压器最大磁化电流和功率开关承受的最大峰值电压。本文采用平均状态轨迹法深入分析了闭环反馈控制、输入电压前馈控制有源箝位正激式高频脉冲直流环节逆变器瞬态大信号特性 ,获得了瞬态大信号特性与系统控制带宽、箝位支路谐振频率参数间的关系。

电力机车PET中直流母线电压的大信号建模及分析

为了准确分析电力电子变压器在大信号扰动下的动态特性,给出一种基于功率平衡的回转器建模方法。利用该方法对额定容量为3 MW的电力电子变压器进行了建模,并与传统的开关模型进行了比较分析。仿真结果表明,基于功率平衡的回转器建模方法具有实用性和有效性。该模型不仅可以精确反映系统在大信号扰动下的行为特性,而且可以减低仿真时间。为了实现前后级直流母线电压的解耦控制,提出了电压前馈补偿策略。在此基础上,建立了母线电压的统一时域解析方程,定量分析了在大信号扰动下系统参数对各直流母线电压的影响,给出了关系曲线,为各模块控制器的设计提供了准则。

GaN HFET的大信号射频工作模型

分析了GaN HFET大信号工作特性随器件漏压、栅压、栅长和工作频率变化的实验特征,发现器件的射频输出功率和功率附加效率随频率升高、漏压增大和栅长缩短而下降的规律及在3mm波段短栅长的高截止频率场效应管没有输出功率的现象。从场效应管电极边界条件出发导出了势垒层的解析表面势及其微商,研究了表面势随漏压、栅压和栅长的变化。通过自洽能带计算求出了不同漏压、栅压和栅长下的能带和电子状态。研究了GaN HFET射频工作中产生的能带畸变。从不同漏压、栅压和栅长变化下的能带畸变出发,提出了沟道电子状态随栅压、漏压和栅长变化的GaN HFET大信号射频工作模型。用此大信号模型解释了实验中观察到的高频、大功率器件特性及3mm瓶颈。提出了研发大功率GaN HFET的新见解。

采用功率测量负载牵引的阻抗匹配方法

介绍了典型功率测量负载牵引系统组成,以及验证系统准确性的ΔGt方法。通过调节输入输出阻抗,得到微波功率晶体管在4 GHz频率下的匹配阻抗,从而得到了器件在4 GHz条件大信号下真实性能,最大输出功率为22 dBm、最高效率为60%、并给出了输出电流和增益等,为器件和电路的优化设计提供了有力的帮助。

浅议《电子电路基础》（第二版）

浅议《电子电路基础》（第二版）清华大学董在望北京航空航天大学张凤言教授编著的《电子电路基础》──高性能模拟电路和电流模技术（第二版）一书，已由高等教育出版社出版，不久将与读者见面。作为这本书的审者，有幸提前阅读了全书，深感受益匪浅。书中不仅保留了第一...

半导体器件

Y98-61303-789 9905776固体器件:先进的双极器件和 MOS 器件(含7篇文章)=Session 32:solid state devices-advanced bipolar andMOS devices[会,英]//1997 IEEE International Elec-tron Devices Meeting.—789～818(G)本部分7篇文章的主要内容是有关基于 SiGe 的器件和新的 MOS 工艺的现代技术水平。具体论述了130GHz f_T SiGe 异质结双极晶体管(HBT)工艺,采用具有9.3ps ECL 相延滞的 SMI 电极的选择外延 SiGe-HBT,无线频率 SiGe HBT 的大信号特性,碳结合对SiGe HBT 性能和工艺极限的影响。

晶体管、MOS 器件

应用 GaInP/GaAs 单异质结双极晶体管(HBTs)制作单片宽带跨阻抗放大器。HBTs 的截止频率 f_T 为60GHz,最大振荡频率 fmax 为100GHz。以栅地一阴地放大器设计制作的放大器最大带宽为19GHz.相应的跨阻抗增益为47dBΩ。对具有相同增益的两个跨阻抗放大器的大信号特性进行了探讨,结果表明共射一共基放大器方式对输入功率不敏感。

电真空器件

001609835GHz 三次谐波低电压回旋管理论研究[刊]/黄勇//电子学报.—2000,28(3).—73～76(C)0016099脊加载环板行波管高频特性的研究[刊]/宫玉彬//电子学报.—2000,28(3).—64～68(C)脊加载环板行波管是一种频带相对较宽的大功率行波管,本文用场匹配和变分原理相结合的方法,研究了脊加载环板慢波结构的导波特性及这种行波管的小信号、大信号特性,讨论了结构的几何尺寸及电子注参量对慢波的传播特性、小信号增益及注-波互作用非线性效应的影响。本文的结果将为脊加载环板行波管的设计提供理论基础。