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大功率倒装单片集成LED芯片的自隔离散热技术 被引量:2
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作者 吴林枫 唐文婷 +4 位作者 陈宝 易翰翔 李玉珠 王保兴 蔡勇 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第7期565-571,共7页
提出采用自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题。基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通过在AlN陶瓷基板上生长隔离金属岛制备自隔离散热基板。采用多胞串并联网络结构设计大功率倒装单片集成LE... 提出采用自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题。基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通过在AlN陶瓷基板上生长隔离金属岛制备自隔离散热基板。采用多胞串并联网络结构设计大功率倒装单片集成LED芯片,芯片尺寸为1.5 mm×4.5 mm。在200 mA的驱动电流下,大功率倒装单片集成LED芯片的正向电压为8.3 V,反向漏电流小于100 nA。当输入电流为2 A时,大功率倒装单片集成LED芯片的输入功率为20 W,其最大光输出功率为8.3 W,插墙效率为42.08%,峰值热阻约为1.23 K/W,平均热阻约为1.17 K/W。 展开更多
关键词 自隔离散热技术 大功率倒装单片集成led 光输出功率 插墙效率 热阻
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基于单片集成电路的180 GHz大功率倍频器
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作者 郭艳敏 张立森 +2 位作者 顾国栋 宋旭波 郝晓林 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第6期486-491,共6页
随着工作频率的提升,太赫兹倍频链路对第一级倍频器的输出功率要求越来越高,提升其功率承受能力是解决该问题的主要途径之一。设计并制作出高击穿的氮化镓肖特基势垒二极管,并与砷化镓二极管进行了对比。氮化镓二极管大的电容调制能力... 随着工作频率的提升,太赫兹倍频链路对第一级倍频器的输出功率要求越来越高,提升其功率承受能力是解决该问题的主要途径之一。设计并制作出高击穿的氮化镓肖特基势垒二极管,并与砷化镓二极管进行了对比。氮化镓二极管大的电容调制能力弥补了高电阻导致的低效率,使其具有与砷化镓倍频器相当的转换效率。针对传统混合集成电路结构的氮化镓倍频器连续波功率低的问题,研制出基于高热导率碳化硅单片集成电路形式的180 GHz氮化镓大功率倍频器,并与砷化镓倍频器进行了性能对比。在600 mW输入功率下,两种倍频器的转换效率均大于20%,输出功率大于120 mW。氮化镓二极管的高击穿特性和碳化硅衬底的高导热性使得氮化镓倍频器在大功率输入下具有更好的性能。 展开更多
关键词 氮化镓 肖特基二极管 倍频器 大功率 集成电路
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基于超薄贴合技术的单片集成大功率倒装LED 被引量:1
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作者 庞佳鑫 唐文婷 +5 位作者 陈宝瑨 易翰翔 王宝兴 张秀 田立君 蔡勇 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第9期755-760,共6页
采用超薄贴合技术,通过改进封装散热结构来解决大功率倒装发光二极管(LED)芯片散热和电学绝缘之间的矛盾。采用串并联的内部拓扑结构和三角电极原理开发了一款尺寸为5 mm×5 mm的单片集成大功率倒装LED芯片。使用起芯片电学延伸作... 采用超薄贴合技术,通过改进封装散热结构来解决大功率倒装发光二极管(LED)芯片散热和电学绝缘之间的矛盾。采用串并联的内部拓扑结构和三角电极原理开发了一款尺寸为5 mm×5 mm的单片集成大功率倒装LED芯片。使用起芯片电学延伸作用的金属片和绝缘导热凸台这一散热结构对LED芯片进行封装。在驱动电流为0.1 A时,芯片的开启电压为29 V,芯片可正常发光。在2 A的恒流电源驱动下,芯片到散热器的峰值热阻为0.44 K/W,平均热阻为0.38 K/W。加装透镜后,蓝光LED的插墙效率达到42%,白光LED的光效达到86.19 lm/W。使用超薄贴合技术成功地制备了75 W单片集成大功率倒装LED,为开发单片集成大功率LED提供了有效的途径。超薄贴合技术对单片集成大功率倒装LED的发展具有一定的推动作用。 展开更多
关键词 超薄贴合技术 集成大功率倒装led 插墙效率 光效 热阻
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X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器 被引量:7
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作者 彭龙新 李真 +3 位作者 徐波 凌志健 李光超 彭劲松 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第2期99-102,139,共5页
在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限... 在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限幅器插入损耗约0.65dB,输入输出驻波≤1.5;当限幅器输入脉冲功率(9.5GHz,脉宽8ms、占空比40%)达50dBm(100 W)时,保持壳温120℃,输出漏功率最大18dBm,持续时间20min后,未见损坏。 展开更多
关键词 微波集成电路 GAAS PIN 大功率限幅器
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单片集成电路实现大功率开关稳压控制
5
作者 陈本竹 《电讯技术》 北大核心 1992年第4期48-53,共6页
脉冲宽度调制开关稳压集成电路TL494应用在大功率开关稳压器中,可以实现斩波和变换器等多种型式的调压及稳压电路的简化设计,本文介绍了这两种应用。
关键词 集成电路 大功率开关稳压器 脉宽调制稳压器
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Micrel发布集成3.5A FET的高功率单片升压LED驱动器
6
《电子与电脑》 2010年第5期85-85,共1页
Micrel发布了驱动高功率LED的高功率升压调节器MIC3223。MIC3223是一款单片开关调节器,集成了3.5A、37V电源开关,可以用来驱动高亮度1W或3WLED。
关键词 led驱动器 功率led 集成 升压 FET 开关调节器 电源开关
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大功率LED驱动控制器LT3474/LTC3783 被引量:2
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作者 武光玉 邵辉 《电子世界》 2008年第8期13-14,共2页
700mA、1A、1.5A等大功率LED正在汽车、建筑、航空、航海和大屏幕LCD等领域得到应用。凌力尔特公司生产的LT3474和LTC3783单片IC为驱动大功率LED提供了简单和高效的解决方案。
关键词 大功率led 驱动控制器 IC LCD 屏幕
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大功率LED无线可调式驱动电源设计
8
作者 梁真 许济金 《科学技术创新》 2018年第31期134-135,共2页
设计一个输出功率可通过无线方式调节的大功率LED驱动电源系统。该系统由单片机微处理器模块、可调节恒流源模块、开关电源模块、无线遥控模块和键盘模块组成。系统设计将单片机微处理器作为控制核心,通过可调的恒流源模块驱动大功率的... 设计一个输出功率可通过无线方式调节的大功率LED驱动电源系统。该系统由单片机微处理器模块、可调节恒流源模块、开关电源模块、无线遥控模块和键盘模块组成。系统设计将单片机微处理器作为控制核心,通过可调的恒流源模块驱动大功率的LED灯组发光,根据LED灯组的结构及驱动特性,由单片机微处理器负责控制信号,该控制信号主要以PWM方式控制可调节恒流源模块的输出,使其能够驱动相适应的大功率LED灯组。同时为了方便控制,给控制系统添加了键盘模块和无线遥控模块,通过这两个模块使驱动电源的输出功率分档且可随意调节,使得系统的控制更加方便和灵活。 展开更多
关键词 大功率led 微处理器 脉宽调制 无线控制
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基于GaN FET的LED微显示单片集成技术研究进展
9
作者 涂睿 刘宏宇 +3 位作者 孙润光 厉凯 艾世乐 汤昊 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期426-433,共8页
发光二极管(LED)微显示技术由于其潜在应用而倍受关注。与主流的基于硅基驱动器的LED微显示技术不同,采用GaN场效应晶体管(FET)驱动的LED微显示技术制作的器件具有可靠性高和制作工艺简单等优势。总结了各种GaN FET驱动LED微显示的器件... 发光二极管(LED)微显示技术由于其潜在应用而倍受关注。与主流的基于硅基驱动器的LED微显示技术不同,采用GaN场效应晶体管(FET)驱动的LED微显示技术制作的器件具有可靠性高和制作工艺简单等优势。总结了各种GaN FET驱动LED微显示的器件结构及性能,这些器件结构包括:直接利用LED外延结构制作FET驱动微型LED发光像素的横向集成结构、HEMT驱动微型LED发光像素的横向叠层结构、纳米线GaN FET驱动LED发光像素的垂直叠层结构。对基于GaN FET驱动的LED微显示技术的进展进行了综述。对GaN FET驱动的LED微显示技术的应用前景和研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 集成 GaN FET 发光二极管(led) 微型led 微显示
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Ka波段40W功率放大器MMIC的设计和实现
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作者 王彪 王生国 +3 位作者 刘帅 李静强 付兴中 许春良 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期403-407,共5页
采用0.15μm栅长GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ka波段大功率、高效率功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。电路采用三级放大结构,在输入、输出端采用Lange耦合器进行功率分配和合成,输入匹配网络加入RC稳定结构以提升电路... 采用0.15μm栅长GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ka波段大功率、高效率功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。电路采用三级放大结构,在输入、输出端采用Lange耦合器进行功率分配和合成,输入匹配网络加入RC稳定结构以提升电路稳定性,末级器件采用改进型电抗式Bus-bar总线合成匹配网络,在保证各路平衡性的同时,调整器件电压和电流波形,提高电路的输出功率和功率附加效率。测试结果表明,在34~36 GHz频带内,放大器MMIC的饱和输出功率达到40 W,功率增益达到18 dB,功率附加效率达到30%。该功率放大器可有效改善毫米波发射系统的信号传输距离和作用精度。 展开更多
关键词 功率放大器(PA) KA波段 GAN 微波集成电路(MMIC) 大功率 高效率
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16位LED恒流驱动专用集成电路TB62706及其应用
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作者 刘晓文 幸坤涛 《电子世界》 2009年第9期15-17,共3页
TB62706是日本东芝公司生产的16位移位、锁存、恒流驱动LED专用集成电路,是用Bi—COMS工艺连在一起设计而成的单片集成电路,是特别为LED发光或LED显示而设计的恒流驱动器。驱动器输出电流值可以通过外部电阻控制,达到恒流输出,恒流... TB62706是日本东芝公司生产的16位移位、锁存、恒流驱动LED专用集成电路,是用Bi—COMS工艺连在一起设计而成的单片集成电路,是特别为LED发光或LED显示而设计的恒流驱动器。驱动器输出电流值可以通过外部电阻控制,达到恒流输出,恒流范围5-90mA。广泛应用在如大型LED显示,荧光定量PCR等需要二极管稳定发光的场合。 展开更多
关键词 led显示 专用集成电路 恒流驱动 应用 荧光定量PCR 日本东芝公司 集成电路 COMS工艺
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单芯片PowerPSoC系列
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《世界电子元器件》 2009年第5期32-32,共1页
赛普拉斯半导体推出了集成嵌入式功率控制器的PowerPSoC系列产品,这是可同时控制和驱动大功率LED的单芯片解决方案。PowerPSoC系列将四个恒流调节器和四个32VMOSFET与赛普拉斯的PSoC可编程片上系统集成在一起,该片上系统包含微控制器... 赛普拉斯半导体推出了集成嵌入式功率控制器的PowerPSoC系列产品,这是可同时控制和驱动大功率LED的单芯片解决方案。PowerPSoC系列将四个恒流调节器和四个32VMOSFET与赛普拉斯的PSoC可编程片上系统集成在一起,该片上系统包含微控制器、可编程模拟和数字块、以及存储器。 展开更多
关键词 功率控制器 大功率led PSOC 微控制器 上系统 集成 可编程
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倒装焊技术探索 被引量:4
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作者 李孝轩 王听岳 +1 位作者 禹胜林 严伟 《电子机械工程》 2008年第5期28-32,共5页
倒装芯片焊接技术是一种新型的微组装技术。文中概述了倒装芯片焊接技术的发展历程及国内外的研制情况。简要阐述了倒装芯片焊接的概念特点、工艺流程及关键技术。描述了两个应用实例——砷化镓MM IC倒装芯片焊接及采用LTCC和FC技术的... 倒装芯片焊接技术是一种新型的微组装技术。文中概述了倒装芯片焊接技术的发展历程及国内外的研制情况。简要阐述了倒装芯片焊接的概念特点、工艺流程及关键技术。描述了两个应用实例——砷化镓MM IC倒装芯片焊接及采用LTCC和FC技术的集成化LNA,对距离参数完成了微机仿真和实验验证。最后,对应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 倒装 微波 微波集成电路
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C波段75W GaN HEMT高效率功率放大器MMIC 被引量:1
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作者 杨常林 余旭明 +1 位作者 陶洪琪 徐波 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第3期164-168,190,共6页
报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段75 W高效率功率放大器MMIC。为提高功率增益,芯片的整体拓扑结构设计为三级。在末级输出匹配电路上设计了一个高效电抗式匹配拓扑,在末级管芯输入匹配电路上运用了谐波控制技术,同时利用GaN H... 报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段75 W高效率功率放大器MMIC。为提高功率增益,芯片的整体拓扑结构设计为三级。在末级输出匹配电路上设计了一个高效电抗式匹配拓扑,在末级管芯输入匹配电路上运用了谐波控制技术,同时利用GaN HEMT器件大信号模型来优化驱动比,通过这三种技术途径有效提高了芯片的附加效率。为扩展工作带宽及提高稳定性,其他匹配电路采用有耗匹配方式。在漏压28 V、脉宽100μs、占空比10%的工作条件下,芯片在4.8~6.0 GHz频带范围内,典型输出功率达到75 W(最高81 W),增益大于25.5dB,附加效率大于51%(最高55%),芯片面积为3.8 mm×5.5 mm。 展开更多
关键词 GaN功率放大器 微波集成电路 C波段 大功率 高效率
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氰化胺固化环氧树脂体系的导电性能研究
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作者 陆春(编译) 李俊燕(编译) 陈平(编译) 《网络聚合物材料通讯》 2006年第1期1-2,6,共3页
许多重要的电子行业都要用到导电粘合剂。目前高性能的导电产品是将大量的金、银等贵金属粉末加入到环氧体系而制成,所采用的环氧固化剂主要是胺类固化剂。固定胶片是该导电材料的一种,其广泛应用于将混合物粘结在多片或单片集成电路... 许多重要的电子行业都要用到导电粘合剂。目前高性能的导电产品是将大量的金、银等贵金属粉末加入到环氧体系而制成,所采用的环氧固化剂主要是胺类固化剂。固定胶片是该导电材料的一种,其广泛应用于将混合物粘结在多片或单片集成电路、发光二极管(LED)以及其他设备的底板上。胺固化的环氧树脂已经被用于这种固定模片的粘合剂。因此,研究采用含氰乙基量不同的胺固化的具有不同交联密度的环氧树脂的导电性能将有极其重要的意义。本文报道了一系列氰化三乙烯四胺固化的环氧树脂的导电性能。 展开更多
关键词 环氧树脂体系 胺类固化剂 导电性能 氰化 发光二极管(led) 导电粘合剂 贵金属粉末 集成电路 环氧固化剂 三乙烯四胺
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S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器设计 被引量:2
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作者 孔令甲 要志宏 +1 位作者 高长征 陈书宾 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期749-753,共5页
结合混合微波集成电路(HMIC)工艺和砷化镓单片微波集成电路(MMIC)工艺各自优势,设计制作了一款小型化大功率S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器。采用平衡式结构,提高了限幅功率容量和可靠性。由于金丝键合线的等效电感具有更高Q值,... 结合混合微波集成电路(HMIC)工艺和砷化镓单片微波集成电路(MMIC)工艺各自优势,设计制作了一款小型化大功率S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器。采用平衡式结构,提高了限幅功率容量和可靠性。由于金丝键合线的等效电感具有更高Q值,低噪声放大器单片的输入匹配采用外部金丝键合线匹配,有效降低了低噪声放大器单片的噪声系数。限幅器采用混合集成工艺制成,能够耐受较大功率。利用微波仿真软件,设计制作了兰格(Lange)电桥、限幅电路和低噪声放大器输入匹配等电路。最终产品尺寸仅为22 mm×16 mm×6 mm,在2.7~3.5 GHz内增益27~28 d B,噪声系数小于1.3 d B,驻波比小于1.3,该平衡限幅MMIC低噪声放大器可承受功率超过200 W、占空比为15%的脉冲功率冲击。 展开更多
关键词 砷化镓集成电路 低噪声放大器 混合微波集成限幅器 外部匹配 平衡式结构 大功率
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SF3914点/线显示驱动器的应用
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作者 杨柏钧 《集成电路应用》 1991年第3期26-30,共5页
SF3914是驱动10位 LED 显示器显示被检测的模拟电平的单片集成电路。它广泛应用在仪表电讯等领域。本文列举了 SF3914在线图指示、展宽刻度、声光报警点图指示、小电流线图指示、省电的闪光点图指示、高电源电压工作的点图指示、振动指... SF3914是驱动10位 LED 显示器显示被检测的模拟电平的单片集成电路。它广泛应用在仪表电讯等领域。本文列举了 SF3914在线图指示、展宽刻度、声光报警点图指示、小电流线图指示、省电的闪光点图指示、高电源电压工作的点图指示、振动指示、中心零位指示、节能型交流自动稳压器及20位 LED 柱式温度计中应用的实例,供读者参考。 展开更多
关键词 集成电路 led 显示器 驱动器
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微波集成电路、毫米波集成电路
18
《电子科技文摘》 2000年第5期32-33,共2页
Y2000-62085-229 0007558集成了微加工滤波器和倒装有源器件的 K 波段接收机前端集成电路=K-band receive front-end IC integrat-ing micromachined filter and flip-chip assemble active de-vices[会,英]//1999 IEEE MTT-S Internati... Y2000-62085-229 0007558集成了微加工滤波器和倒装有源器件的 K 波段接收机前端集成电路=K-band receive front-end IC integrat-ing micromachined filter and flip-chip assemble active de-vices[会,英]//1999 IEEE MTT-S International Mi-crowave Symposium,Vol.1.—229~232(U)现已开发出一种在硅衬底上集成了微加工低损耗滤波器和倒装片有源器件的新型三维 K 波段接收机前端集成电路。 展开更多
关键词 微波集成电路 毫米波集成电路 低损耗滤波器 微加工 接收机前端 毫米波集成电路 有源器件 倒装 微带线 硅衬底
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利用VIPer53封装上系统实现经济型机顶盒供电
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作者 F.GENNARO F.SALANITRI 《电子设计技术 EDN CHINA》 2004年第B08期19-20,26,共3页
随着小型化的趋势日渐增强,新的封装方法和集成电路互连方法被开发出来。今天,“片上系统”是指在同一个封装内组装两个集成电路的封装方法。这种新的封装方法满足了所有的单片集成电路解决方案无法满足的应用要求,特别是那些功率要... 随着小型化的趋势日渐增强,新的封装方法和集成电路互连方法被开发出来。今天,“片上系统”是指在同一个封装内组装两个集成电路的封装方法。这种新的封装方法满足了所有的单片集成电路解决方案无法满足的应用要求,特别是那些功率要求不断提高而专用的热设计的成本不能提高的交流一直流变流器、大功率系统和高压系统。 展开更多
关键词 封装 机顶盒 集成电路 互连 上系统 热设计 大功率 供电 经济型 系统实现
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