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缓冲层结构RSD机理研究
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作者 洪武 梁琳 余岳辉 《湖北工业大学学报》 2011年第1期101-105,共5页
研究大功率半导体开关RSD(Reserve Switching Dynistor)的阻断及开通特性,通过高电平大注入理论对其正向特性进行分析,器件通态压降随开通电流、基区载流子寿命、基区宽度变化,而随基区宽度变化最为剧烈.引入缓冲层压缩场结构减小基区宽... 研究大功率半导体开关RSD(Reserve Switching Dynistor)的阻断及开通特性,通过高电平大注入理论对其正向特性进行分析,器件通态压降随开通电流、基区载流子寿命、基区宽度变化,而随基区宽度变化最为剧烈.引入缓冲层压缩场结构减小基区宽度,以获得阻断特性与开通特性的折中.缓冲层结构RSD在Silvaco TCAD下阻断及开通特性.仿真结果表明,缓冲层结构提高了器件性能. 展开更多
关键词 大功率半导体开关 开通特性 阻断特性 缓冲层 半导体仿真
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