全固态发射机中大功率场效应晶体管的工作原理与使用维修

分析高频大功率场效应晶体管的工作原理、结构特点。MOSFET的存放、使用和测量方法。

半导体功率器件直流特性的自动脉冲测量

为了消除大功率场效应晶体管静态测量时的自加热效应对器件测量结果的影响,提出了一种基于Sagittarius实验测量操作平台设计的新型自动脉冲式电流-电压(I-V)测量系统.用短脉冲技术加低负载循环,通过补偿因子进行系统校准,分析对比直流I-V测量方法和脉冲式I-V测量方法.实验结果表明,所设计的脉冲式I-V测量方法正确有效,能够得到大功率半导体器件真实的输出电导和跨导,自动测量系统相比常规测量方法可以提高测量效率约12倍,为构建大功率场效应晶体管器件的精确模型和工业生产监控提供相关测量数据.

碳化硅电力电子器件

以硅器件为基础的电力电子技术，因大功率场效应晶体管(功率MOS)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)等新型电力电子器件的全面应用而日臻成熟。目前这些器件的开关性能，已随其结构设计和制造工艺的相当完善，而接近其材料特性决定的理论极限，依靠硅器件继续完善和提高电力电子器件装置与系统的潜力已十分有限。伴随新世纪的到来，实用化和商品化的碳化硅肖特基势垒功率晶体管以其初露的优势特性，证实了它在改善以硅器件为基础的电力电子技术方面将引起革命性变化。

二极管正向浪涌电流测试方法

该文讲述了二极管正向浪涌电流测试的基本要求和标准测试方法,针对标准测试方法存在的不足,设计实现了采用信号控制、电容储能和大功率场效应管晶体管电流驱动的电路解决方案,简洁而又高效地实现了二极管正向浪涌电流的测试。