大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制

介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并研制出了百瓦级以上大功率射频Si-VDMOS功率晶体管系列产品。产品主要性能如下:在工作电压28 V及连续波下,采用8胞合成时,225 MHz输出功率达200 W以上,500 MHz输出功率达150 W以上;进一步增加子胞数量,采用12胞合成时,225 MHz输出功率达300 W以上,同时具备良好的增益及效率特性,与国外大功率射频Si-VDMOS功率晶体管的产品参数相比,达到了同类产品水平。

高频大功率金刚石薄膜场效应管的研究进展

随着CVD人工合成金刚石薄膜质量的不断提高,其优异的电学性能在高频、大功率领域特别是场效应管中的应用受到了极大地关注.制作金刚石薄膜场效应管,电子级质量的薄膜、形成良好的接触以及半导体的形成是其关键技术.以此为基础,为达到其在高频大功率下使用的目的,减小栅长和各种寄生参数以及提高耐压和散热能力成为决定其性能优劣的关键因素.本文针对金刚石薄膜场效应管制作的关键技术的突破、H端基表面导电机制、目前高频大功率场效应管的水平以及出现的一些相关在研热点进行了综述,展望了其巨大的优越性和广阔的应用前景.

亚微米栅长的高速大功率GaInAsP/InP结型场效应晶体管

由于激光二极管与驱动电路的单片集成能除去不希望有的谐振或限制带宽的寄生元件,所以人们对此工艺很感兴趣。在高比特率的系统中,GaInAsP/InP激光二极管被广泛用作高速光源,因此,值得研究一下用与InP晶格匹配的材料制作晶体管的可行性。最近广泛地研究了InP衬底上制作的结型场效应晶体管(JFET),并采用如GaInAs那样的高电子迁移率材料以及采用短栅长(1μm)结构来改进晶体管的性能。日本富士通实验室采用液相外延生长法成功地制作出大功率、高速GaInAsP/InP JFET,在这种器件中由于采用了短栅制作工艺,所以得到的跨导较高(160mS/mm)。

全固态发射机中大功率场效应晶体管的工作原理与使用维修

分析高频大功率场效应晶体管的工作原理、结构特点。MOSFET的存放、使用和测量方法。

大功率绝缘栅双极晶体管模块缓冲电路的多目标优化设计

针对目前根据工程经验来设计缓冲电路所存在的问题,提出了一种缓冲电路的多目标设计方法。该方法在分析关断尖峰电压产生的原因和缓冲电路工作原理的基础上,考虑了市场上可选取的快速二极管的容量限制等因素,以缓冲电路的成本和抑制关断尖峰能力作为目标,利用模糊寻优算法对缓冲电路进行了优化设计。最后,在大功率混合有源滤波系统中,采用该文方法对逆变器的缓冲电路参数进行了设计。实践表明,设计出的缓冲电路具有良好的综合性能。

大功率场效应管的使用技巧

从场效应管的结构特点、频率特性、工作机理入手分析,全面阐述了全固态发射机功放电路的结构特点、工作原理以及在维修过程中应当注意的问题。特别详细介绍如何正确使用场效应管和使用技巧,以提高技术水平,加强对发射机的维护保障能力。

基于ANSYS的大功率晶体管散热器的研究

针对目前功率设备中的大功率晶体管散热器分析和设计方法的局限性,提出了一种基于有限元仿真的散热器研究方法。介绍了大功率晶体管散热器的散热模型,阐述了散热器的散热理论,以某功放管为例,利用ANSYS定量优选其散热器。研究结果表明,基于ANSYS的大功率晶体管散热器的研究方法与传统的热阻分析方法具有较好的一致性,并进一步提出了改进散热器的方案。

直流条件下高反压大功率开关晶体管可靠性研究

集电极峰值电流(I_(CM))、集电极-发射极击穿电压(V_(CEO))、最大耗散功率(P_(CM))、直流二次击穿临界电压(V_(SB))是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要指标。依据实际电参数指标要求,首先利用TCAD半导体器件仿真软件完成了一款基于三重扩散工艺的双极型高反压大功率开关晶体管的结构设计,然后全面系统地分析了高阻单晶硅电阻率和器件集电区厚度对I_(CM)、V_(CEO)、P_(CM)及V_(SB)影响。仿真结果表明:由器件仿真得到的电学性能满足大功率晶体管电参数指标要求,器件结构参数的选择及工艺条件的设计较合理。增大单晶硅电阻率,虽然有利于提高集-射击穿电压和器件抗二次击穿能力,但不利于集电极峰值电流和最大耗散功率的提高。增大器件集电区厚度只对集-射击穿电压的提高有利,而对集电极峰值电流、最大耗散功率及抗二次击穿能力均产生不利的影响。

大功率晶体管最优驱动电路研究

大功率晶体管深度饱和以降低功率损耗与管子快速关断之间的矛盾并非不可调和。文中针对通常的抗饱和驱动 ,提出了一种新型驱动电路 ,很好地解决了这个矛盾。一方面在功率管饱和导通时 ,比例驱动管子工作于深饱和状态 ,使功率管的损耗达到最小 ;另一方面在功率管关断时 ,驱动电路通过低阻抗抽流回路及高反压辅助抽流的引入 ,在功率管的基极提供很强的基极反抽电流 ,使管子快速关断。实验表明与通常的抗饱和驱动相比 ,本方案由于功率管深度饱和 ,从而使管子的通态饱和压降降低了 0 .5 V,损耗亦降低了 63 .4W;另一方面由于关断时基极反抽电流增大了三倍 ,存储时间增加仅 0 .1 μs。

大功率场效应管在脉冲电刷镀电源中的应用研究

在所设计的脉冲电刷镀电源中，采用Ｈ型开关电路作为主开关电路，选用了大功率场效应管作为斩波开关器件。讨论了大功率场效应管并联运用时应注意的问题及该场效应管的保护措施。

微波大功率晶体管基极镇流方法研究

长期以来 ,解决微波功率晶体管的电流集中问题的通用做法是使用发射极镇流电阻 ,以及 PTC,CTR热敏电阻等无源器件。区别于前者 ,本文提出一种实时有效的基极镇流解决方案 ,采用传感器探测结温 ,后续触发装置触发功率BJT基极发射极之间的镇流 MOS管 ,来完成微波功率晶体管的过温保护 ,和常温解除功能 ,最终实现对功率器件的实时有效保护 ,使器件同时具备更高的可靠性 。

大功率晶体管刻槽与钝化工艺研究

本文介绍一种光刻刻蚀造型和聚酰亚胺钝化方法.这一新方法称耗尽层刻蚀,它可以使平面型晶体管达到理想击穿电压,而只需用负角斜面所占面积的一部份,且其实际击穿电压取决于对刻蚀深度的细心控制. 实验证明:采用这一新方法可以改善功率晶体管的击穿特性;减少低压击穿;抑制小电流H_(FE)退化;减小表面漏电和改善高温反向特性.

金刚石微波功率场效应晶体管

金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性，在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值，金刚石材料已经成为21世纪的战略材料之一。

大功率晶体管BUX10的退化试验与特性分析

大功率晶体管在工作过程中会出现正向电流传输比、饱和压降以及集电极-基极反向击穿电压等参数的退化现象。在此针对BUX10进行试验与特性研究。通过对BUX10进行长时间退化试验得到退化数据,利用Matlab进行常用模型的退化轨迹拟合,通过比较各拟合轨迹的拟合优度,选取拟合最优的退化模型推算出伪失效寿命,然后利用退化试验数据的可靠性分析方法得到产品相应的可靠性信息。

大功率晶体管横向结构参数设计与分析

为研究大功率晶体管的结构和工作原理,提出设计参数指标为集电极最大允许耗散功率P=50 W。采用梳状结构,利用近似方法结合各项工艺条件经过综合分析,计算出大功率晶体管的发射结和集电结面积、发射极总周长、发射极与基极间距、发射极金属电极条长和宽、晶片面积等横向结构参数,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑。计算方法通过实验验证,适用于更大功率晶体管的参数分析和计算。

G3DD164DW型NPN硅低频大功率晶体管低温特性研究

就晶体管的直流增益 h F E在 - 5

大功率MOS场效应管在中波发射机中的应用

本文在介绍分析大功率MOS场效应管的基础上,对大功率MOS场效应管在中波发射机中的应用进行分析论述,以促进全固态中波发射机的推广应用和发展进步。

大功率场效应管在电火花加工装置中的应用探讨

阐述大功率场效应管的性能，进而论述了其在电火花加工装置中的应用问题，结果表明，使用这种效应管可以提高电加工的控制速度和进给精度。