基于ANSYS的大功率晶体管散热器的研究

针对目前功率设备中的大功率晶体管散热器分析和设计方法的局限性,提出了一种基于有限元仿真的散热器研究方法。介绍了大功率晶体管散热器的散热模型,阐述了散热器的散热理论,以某功放管为例,利用ANSYS定量优选其散热器。研究结果表明,基于ANSYS的大功率晶体管散热器的研究方法与传统的热阻分析方法具有较好的一致性,并进一步提出了改进散热器的方案。

大功率晶体管最优驱动电路研究

大功率晶体管深度饱和以降低功率损耗与管子快速关断之间的矛盾并非不可调和。文中针对通常的抗饱和驱动 ,提出了一种新型驱动电路 ,很好地解决了这个矛盾。一方面在功率管饱和导通时 ,比例驱动管子工作于深饱和状态 ,使功率管的损耗达到最小 ;另一方面在功率管关断时 ,驱动电路通过低阻抗抽流回路及高反压辅助抽流的引入 ,在功率管的基极提供很强的基极反抽电流 ,使管子快速关断。实验表明与通常的抗饱和驱动相比 ,本方案由于功率管深度饱和 ,从而使管子的通态饱和压降降低了 0 .5 V,损耗亦降低了 63 .4W;另一方面由于关断时基极反抽电流增大了三倍 ,存储时间增加仅 0 .1 μs。

微波大功率晶体管基极镇流方法研究

长期以来 ,解决微波功率晶体管的电流集中问题的通用做法是使用发射极镇流电阻 ,以及 PTC,CTR热敏电阻等无源器件。区别于前者 ,本文提出一种实时有效的基极镇流解决方案 ,采用传感器探测结温 ,后续触发装置触发功率BJT基极发射极之间的镇流 MOS管 ,来完成微波功率晶体管的过温保护 ,和常温解除功能 ,最终实现对功率器件的实时有效保护 ,使器件同时具备更高的可靠性 。

大功率晶体管BUX10的退化试验与特性分析

大功率晶体管在工作过程中会出现正向电流传输比、饱和压降以及集电极-基极反向击穿电压等参数的退化现象。在此针对BUX10进行试验与特性研究。通过对BUX10进行长时间退化试验得到退化数据,利用Matlab进行常用模型的退化轨迹拟合,通过比较各拟合轨迹的拟合优度,选取拟合最优的退化模型推算出伪失效寿命,然后利用退化试验数据的可靠性分析方法得到产品相应的可靠性信息。

大功率晶体管横向结构参数设计与分析

为研究大功率晶体管的结构和工作原理,提出设计参数指标为集电极最大允许耗散功率P=50 W。采用梳状结构,利用近似方法结合各项工艺条件经过综合分析,计算出大功率晶体管的发射结和集电结面积、发射极总周长、发射极与基极间距、发射极金属电极条长和宽、晶片面积等横向结构参数,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑。计算方法通过实验验证,适用于更大功率晶体管的参数分析和计算。

大功率晶体管（GTR）工艺的计算机模拟

针对集成电路工艺模拟中的扩散模型不适宜大功率器件工艺，对模型作了适当修正。在此基础上对大功率晶体管（ＧＴＲ）的三重扩散工艺进行了模拟，结果与实验吻合很好。此外，在模拟中将离子注入引入ＧＴＲ工艺，对改进ＧＴＲ工艺具有一定的参考价值。

蓄电池测试装置中大功率晶体管散热的研究

在介绍蓄电池测试装置主电路的基础上,设计出水冷散热及强迫风冷散热器;并对两种散热效果进行了分析与比较。

大功率晶体管脉宽调制直流调速系统

该系统采用电流、速度双闭环的控制结构 ,主电路由大功率晶体管构成H型电路 ,H型电路与控制电路配合可以使电动机的电枢电压频率为大功率晶体管开关频率的 2倍。围绕主电路的控制规律 ,介绍了控制电路中的脉宽调制电路(PWM)、延时电路、驱动电路等电路的实现方法。测试结果表明 ,系统反应快速 ,调速范围宽 ,真正实现转速无静差。

大功率晶体管开关辅助电路的设计

本文通过对大功率晶体管开关过程的分析,指出了开关过程中大功率晶体管产生电流尖峰和电压尖峰的原因。为减小晶体管的开关损耗,本文提出了一个开关辅助电路,使得晶体管大部分开关损耗转移到该电路,从而提高了晶体管运行的可靠性,并给出了该电路元件参数的计算方法。

浅谈大功率晶体管变流器的保护问题

半导体电力电子器件的工艺及电力电子装置技术的发展,每年都有成千上万只大功率GTR用于装置中的直流调速、交流调速、DC-DC交流器、变频电源等系统以取代原有的晶闸管.然而由于晶体管是电流控制器件,它自身存在二次击穿等问题,所以它的应用、驱动及保护技术远比晶闸管复杂,它的安全工作区。

大功率晶体管材料参数计算与分析

为更好地研究大功率晶体管的工作原理,针对集电极最大允许耗散功率P=50 W的具体大功率晶体管参数要求,利用近似方法结合制造工艺条件进行综合分析,计算出大功率晶体管的晶片电阻率、基区和发射区表面浓度、外延层杂质浓度和电阻率等材料参数;并分析了材料质量对大功率晶体管成品率的影响和大功率晶体管的击穿原因,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑。分析方法通过实验验证,具有较好的实用性。

大功率晶体管纵向参数计算与分析

大功率晶体管是功率驱动电路的核心元件,通常工作在极限参数状态下。本文分析了大功率晶体管的纵向结构,并计算了晶体管的纵向结构尺寸等参数。

大功率晶体管和集成电路的热过程分析

本文从分析晶体管的热过程入手 ,得出了晶体管的热阻Rt 与最大允许集电极耗散功率Pcm的关系式。再通过对晶体管散热途径的分析及前面所得的关系式 ,得出了大功率晶体管及集成电路为什么要安装散热器。这种分析方法逻辑合理 ,过程清楚 ,理论充分 ,这种分析方法以前是没有的。

G3DD164DW型NPN硅低频大功率晶体管低温特性研究

就晶体管的直流增益 h F E在 - 5

大功率晶体管GTR驱动电路的设计

介绍了大功率开关晶体管GTR基极驱动电路的设计，分析了基极驱动电路的要求及其设计方法，并给出一种实用的驱动电路。

双极大功率晶体管背面工艺优化

针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件。实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的是背面减薄工艺和背面金属化工艺前的清洗工艺,芯片背表面的状态是影响器件BC正向压降的主要因素,优化后功率晶体管的BC正向压降优于指标要求,提高了批次间芯片参数的一致性,确保了双极大功率晶体管的工作稳定性。

提高所选用的大功率晶体管可靠性的途径与方法

一、前言 元器件优胜劣汰的过程直接影响着整机的质量和性能.多年来,本厂制造的设备,选用了众多的电子元器件,采用了先进的工艺技术,辅以比较先进的测试设备.

改善高频大功率晶体管二次击穿提高f_T的特殊设计方法

本文主要讨论改善高频大功率晶体管正偏（电流集中型）二次击穿并以３ＤＡ１５０、３ＣＡ１５０型高频大功率晶体管为例，介绍一种特殊的版图设计方法，使发射结面积得到充分利用，有效地提高了电流容量，消除了大电流时发射极电流集边效应，改善了电流集中型二次击穿，减慢了大电流时β０的衰减程度，从而相应地提高了特征频率ｆＴ．

浅谈大功率晶体管和GTR变频器的维修

交流电机的变频拖动,可使普通交流电动机实现高性能无级调速及高效节能,因此在各行业中越来越普及。在众多种类的逆变器中,GTR逆变器由于可靠性高,调速性能好,制造技术成熟,已成为当今市场主导产品。对于电器维修人员来说,充分了解大功率晶体管的性能,掌握GTR逆变器的维修步骤是十分必要的。本文将介绍大功率晶体管。

大功率晶体管模块易损的主要原因及解决途径

大功率晶体管模块易损的主要原因及解决途径谢俊杰（电气工程系）目前中小容量的变频调速装置中大多采用大功率晶体管模块ＧＴＲ作逆变电源的开关元件，但经常因几个微秒的过压过流而造成突然损坏．本文研究了晶体管在应用中出现的二次击穿现象．当集电极电压升到一定值时...