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氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延
被引量:
4
1
作者
沈波
杨学林
许福军
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第11期1953-1969,共17页
以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备。由...
以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈,严重影响了材料和器件性能的提升。本文简要介绍了氮化物半导体金属有机化学气相沉积(MOCVD)大失配异质外延的发展历史,重点介绍了北京大学在蓝宝石衬底上AlN、高Al组分AlGaN的MOCVD外延生长和p型掺杂、Si衬底上GaN薄膜及其异质结构的外延生长和缺陷控制等方面的主要研究进展。最后对Ⅲ族氮化物宽禁带半导体MOCVD大失配异质外延的未来发展做了简要展望。
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关键词
氮化镓
氮化铝
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
大失配异质外延
宽禁带半导体
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职称材料
题名
氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延
被引量:
4
1
作者
沈波
杨学林
许福军
机构
北京大学宽禁带半导体研究中心
北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室
北京大学物理学院
量子物质科学协同创新中心
教育部纳光电子前沿科学中心
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第11期1953-1969,共17页
基金
国家重点研发计划(2018YFE0125700,2016YFB0400100)
国家自然科学基金(1634002,61521004,61927806)。
文摘
以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈,严重影响了材料和器件性能的提升。本文简要介绍了氮化物半导体金属有机化学气相沉积(MOCVD)大失配异质外延的发展历史,重点介绍了北京大学在蓝宝石衬底上AlN、高Al组分AlGaN的MOCVD外延生长和p型掺杂、Si衬底上GaN薄膜及其异质结构的外延生长和缺陷控制等方面的主要研究进展。最后对Ⅲ族氮化物宽禁带半导体MOCVD大失配异质外延的未来发展做了简要展望。
关键词
氮化镓
氮化铝
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
大失配异质外延
宽禁带半导体
Keywords
GaN
AlN
metal organic chemical vapor deposition(MOCVD)
large lattice-mismatched heteroepitaxial growth
wide bandgap semiconductor
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延
沈波
杨学林
许福军
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020
4
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