衍射光学元件的反应离子束蚀刻研究

本文提出了一种制作衍射光学元件的新方法———反应离子束蚀刻法对此技术研究的结果表明：反应离子束蚀刻法具有高蚀刻速率、蚀刻过程各向异性好、蚀刻参数控制灵活等特点，对于衍射光学元件和微光学元件的精细结构制作十分有利本文详细总结了反应离子束蚀刻过程中各工艺参数对蚀刻速率的影响。

反应离子束蚀刻中温度效应的研究

介绍了一种新型的干法刻蚀方法──冷源反应离子束刻蚀法用来到蚀各种激光学器件，并着重研究了刻蚀过程中的温度效应，提出了解决温度效应的有效方法。

反应离子束蚀刻中温度效应的研究

微光学器件加工技术是微光学研究领域中最关键的技术,而蚀刻技术是衍射光学元件加工的关键技术之一。目前,常用的方法是等离子体蚀刻和反应离子蚀刻技术。本文提出一种新的蚀刻技术方案——反应离子束蚀刻 RIBE,并着重研究了蚀刻过程中的温度效应,提出了解决温度效应的有效方法。

用反应离子束蚀刻制备1.3μmGaInA sP/InP横模掩埋新月激光器

用反应离子束蚀刻(RIBE)技术制做了稳定的横模1.3μm Ga InAsP/InP 掩埋新月激光器。在11-25mA 的低阈值电流下实现了高达95%的单横模效率。在高功率和长运转周期(50℃,20mA,1000h)的条件下证明了横模的稳定性。进入到单模光纤的耦合效率为63%,160mA 时的耦合功率为40mW。同时证明了在5mW 的恒定功率(50—70℃)和20mW(50℃)的老化试验中有稳定的连续工作。

微透镜阵列反应离子束蚀刻传递研究

提出一种微透镜阵列复制的新方法反应离子束蚀刻法（ＲＩＢＥ）。它在工作原理和参数控制等方面较传统的蚀刻方法有很大的先进性，能够实现蚀刻过程的精确控制。本文详细阐述了反应离子束蚀刻过程中蚀刻选择性的控制方法，通过对各种蚀刻参数的控制，最终实现了微透镜阵列在硅等红外材料上面形传递的深度蚀刻。口径１００μｍ的Ｆ／２微透镜阵列在硅基底上的传递精度达１１．０３，无侧向钻蚀。

SiO_2薄膜辅助硅-玻璃热键合技术的研究

为了解决Si和普通玻璃进行直接键合时材料的热失配问题,提出了利用SiO2薄膜辅助进行硅-玻璃热键合(SGTB)的技术.通过分析SiO2薄膜辅助SGTB技术的化学物理过程,对键合过程中的工艺条件进行了优化.利用反应离子束蚀刻(RIBE)对基片进行抛光,使得键合表面达到2 nm级的表面粗糙度.在大气的环境下将处理过的玻璃、Si基片干燥, 进行预键合.预键合好的Si、玻璃基片在200℃的氧化环境下退火,基片之间的硅烷醇键发生聚合反应,形成硅氧键键合.实验结果表明,硅和玻璃基片的表面能经过预键合后有了提高,水分子和Si表面SiO2中的氧原子交连在一起,OH-数量增加,形成硅烷醇键.Si表面热生长SiO2薄膜的存在,减少了由Si、玻璃热膨胀系数和热传导系数差异引起的诱导应力.

超微细加工及设备

TN305.7 98063982衍射光学元件的反应离子束蚀刻研究=Reactive ionbeam etching for diffractive optical elements[刊,中]/杨李茗,虞淑环,许乔,舒晓武,杨国光(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室.浙江。