等离子体平板背光源单元放电特性的研究

采用粒子网格-蒙特卡罗碰撞(P IC-M CC)方法对等离子体平板背光源单元的放电过程进行了数值模拟,获得了放电过程中各带电粒子在空间区域的分布以及各区域的形成和性质,并结合模拟结果,详细分析了等离子体平板背光源单元的放电特性。结果表明,放电单元采用大电极间距可获得正柱区放电,正柱区的形成是正离子在阴极鞘层区不断积累将电位抬高所致。通过增加电极间距以增加正柱区的长度,可以有效地改善放电特性,从而提高背光源的发光效率。