大直径单晶生长中稳定真空度和优化气流控制的改进措施

随着国内大直径直拉单晶技术的发展,一些原先在小直径单晶中并未引起重视的问题,对大直径单晶生长的负面影响日渐显现。大直径单晶对其生长环境有很高的稳定性要求。本文就其中真空度的稳定和气流控制的优化两个方面,提出了改进方案,以提高大直径单晶生长的成晶率和内在品质。

213 mm大直径单晶硅直拉法制备过程的热场模拟研究

基于有限体积法得到单晶炉腔内的温度场,研究加热功率、晶体转速以及坩埚转速对液-固界面的影响。计算结果表明,加热功率对液-固界面及热场影响显著,加热功率的精确控制对于稳定的液-固界面至关重要;在一定范围内,晶体转速的增加会使得液-固界面的位置出现抬升,而坩埚转速对液-固界面的影响不太明显。

氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响

研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷 (voids)的影响 .样品在 10 5 0～ 12 0 0℃范围进行氢退火 ,退火前后样品上的流水花样缺陷 (FPD)和晶体原生粒子 (COP)在腐蚀后分别用微分干涉光学显微镜和激光记数器进行观察 .实验结果表明在氢退火以后 ,FPD缺陷的密度随温度升高不变 ,而样品上的 COP密度大量减少 .分析可知 ,氢气退火仅仅消除了硅片表面的 voids,而对于硅片体内的 voids不产生影响 ,并在实验的基础上 ,讨论了氢退火消除 voids的机理 .

我国大直径硅单晶技术领先世界

1997年8月30日设在北京有色金属研究总院的半导体材料国家工程研究中心,成功地拉制出我国第一根直径12英寸(300mm)等径长度400mm、晶体重量81kg的直拉硅单晶,这标志着我国大直径单晶的研究又跨上一个新的台阶,已进入世界领先行列。 北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心,是我国半导体材料研究开发的主要基地。

大直径重掺硼硅单晶生长工艺研究

在CG6000型单晶炉上,开展了硼掺杂浓度8×1019cm-3以上的150 mm(6英寸)硅单晶生长试验。通过对热场和生长工艺进行优化,抑制了重掺硼硅单晶拉制过程中的严重组分过冷,成功拉制出了电阻率1.5×10-3Ω·cm以下的无位错重掺硼硅单晶,并对单晶拉制过程中的一些工艺参数设定进行了分析和探讨,提高了该类硅单晶生长的效率和成品率。

纳米集成电路用大直径硅及硅基材料研究进展

本文叙述了大直径硅单晶生长、杂质缺陷行为、表面质量控制及硅基材料的研究现状,讨论了应变硅与绝缘体上硅(SOI)相结合的发展趋势,展望了纳米集成电路用大直径硅及硅基材料的技术经济前景.

纳米集成电路用大直径硅与硅基材料的研究进展

本文阐述了大直径硅单晶的生长、杂质缺陷行为、表面质量控制及硅基材料的研究现状;讨论了应变硅与绝缘体上硅(SOI)相结合的发展趋势;展望了纳米集成电路用大直径硅及硅基材料的技术经济前景。

半导体硅及硅基材料研究中的几个问题

叙述了大直径硅单晶生长,计算机数值模拟以及绝缘体上硅(SOI)、锗硅(SiGe)和应变硅等硅基材料的研究进展,讨论了硅中缺陷演化、杂质特性、缺陷工程和表面与界面质量控制,展望了后摩尔时代半导体硅及硅基材料的发展前景。

中澳联合生产太阳能电池板

据报道,中国河北省金龙集团和澳大利亚太阳能发展公司日前达成联合生产太阳能电池板协议。项目首期工程将建设一条能生产25MEGA太阳能晶片的生产线,预计双方总投资为6000万人民币(740万美元)。生产线将于今年底竣工。

有研硅股 新增长周期来临

■公司中报预计三季度业绩增长300-400%■股价近期突然发放量有转强迹象■公司业绩拐点得到了确立■当前股价:30.

有研硅股 硅业龙头 进军新能源

大直径单晶硅是8英寸,12英寸半导体生产用耗材,由于公司处在半导体制造产业链的上游,且公司高度重视生产技术的保密性以及生产工艺的高难度,使得公司具有较强的市场定价能力。