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抛光参数对超薄晶圆表面抛光效果影响的研究
被引量:
1
1
作者
常庆麒
刘子阳
衣忠波
《电子工业专用设备》
2020年第1期41-44,62,共5页
介绍了抛光工艺及其在硅材料中的应用,重点分析了直径300 mm、厚度50μm±2.5μm的晶圆在抛光加工过程中抛光液的浓度、抛光压力和抛光垫等因素对晶圆表面粗糙度及表面平整性的影响,通过试验确定了超薄晶圆在抛光过程中合适的工艺...
介绍了抛光工艺及其在硅材料中的应用,重点分析了直径300 mm、厚度50μm±2.5μm的晶圆在抛光加工过程中抛光液的浓度、抛光压力和抛光垫等因素对晶圆表面粗糙度及表面平整性的影响,通过试验确定了超薄晶圆在抛光过程中合适的工艺参数。
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关键词
抛光
大直径超薄硅片
粗糙度
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职称材料
题名
抛光参数对超薄晶圆表面抛光效果影响的研究
被引量:
1
1
作者
常庆麒
刘子阳
衣忠波
机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出处
《电子工业专用设备》
2020年第1期41-44,62,共5页
文摘
介绍了抛光工艺及其在硅材料中的应用,重点分析了直径300 mm、厚度50μm±2.5μm的晶圆在抛光加工过程中抛光液的浓度、抛光压力和抛光垫等因素对晶圆表面粗糙度及表面平整性的影响,通过试验确定了超薄晶圆在抛光过程中合适的工艺参数。
关键词
抛光
大直径超薄硅片
粗糙度
Keywords
Polishing
Large diameter ultra-thin silicon wafer
Roughness
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
抛光参数对超薄晶圆表面抛光效果影响的研究
常庆麒
刘子阳
衣忠波
《电子工业专用设备》
2020
1
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职称材料
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