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三轴高g值加速度传感器的测试技术研究 被引量:12
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作者 陈宏亮 马少杰 +1 位作者 张英忠 张锦明 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期175-179,共5页
针对压阻式传感器敏感结构设计的需要,提出一种MEMS三轴高g值加速度传感器敏感结构。对设计的传感器进行Hopkinson杆冲击试验,标定了传感器的灵敏度、线性度和交叉耦合误差参数。对标定的传感器进行了动态侵彻试验,试验结果表明在48 000... 针对压阻式传感器敏感结构设计的需要,提出一种MEMS三轴高g值加速度传感器敏感结构。对设计的传感器进行Hopkinson杆冲击试验,标定了传感器的灵敏度、线性度和交叉耦合误差参数。对标定的传感器进行了动态侵彻试验,试验结果表明在48 000 gn幅值、3 ms脉宽和15 000 gn幅值、13 ms脉宽的冲击载荷下,传感器测试的位移误差为6%,性能良好,能够满足大脉宽、高冲击测试的需要。 展开更多
关键词 MEMS 三轴加速度传感器 标定 高G值 侵彻试验 大脉宽
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Continuous wave and passively Q-switched Nd:Lu_(0.15)^- Y_(0.85)VO_4 laser with 885nm direct pumping 被引量:1
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作者 李奇楠 赵斌 +4 位作者 张韬 李瑞 刘相梅 郑亚辉 刘晓军 《Optoelectronics Letters》 EI 2015年第3期199-202,共4页
The 885 nm direct pumping directly into the^4F_(3/2)emitting level of Nd^(3+)is applied on an Nd:Lu_(0.15)Y_(0.85)VO_4 crystal.The maximum output power of 2.8 W for continuous wave(CW)operation is obtained.For Q-switc... The 885 nm direct pumping directly into the^4F_(3/2)emitting level of Nd^(3+)is applied on an Nd:Lu_(0.15)Y_(0.85)VO_4 crystal.The maximum output power of 2.8 W for continuous wave(CW)operation is obtained.For Q-switched operation,the maximum average output power is 1.2 W with pulse repetition of 23.69 kHz and pulse width of 35 ns at the pump power of 27.9 W.The high-quality fundamental transverse mode can be observed owing to the reduction of thermal effect for Nd:Lu_(0.15)Y_(0.85)VO_4 crystal by 885 nm direct pumping. 展开更多
关键词 Pumping (laser) Q switching
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