“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项推进会在京召开

3月26日，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项推进会在京召开，这标志着我国“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项进入全面实施阶段。会议由国家科技部曹健林副部长主持，全国政协副主席、科技部万钢部长出席并讲话。来自国家发改委、科技部、财政部、工信部、教育部、北京市、上海市、相关地方科技部门、项目承担单位、咨询委员会、总体组等单位代表共200多人参加会议。

“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项进入全面实施阶段

3月26日，国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”推进会在科技部召开，科技部部长万纲、专项领导小组成员单位的领导出席会议。会议的召开标志着该重大专项已经进入全面实施阶段。

我国全面实施“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项

我国“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项进入全面实施阶段。 据介绍，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项旨在开发集成电路关键制造装备，掌握具有．自主知识产权的成套先进工艺及相关新材料技术，打破我国高端集成电路制造装备与工艺完全依赖进口的状况，带动相关产业的技术提升和结构调整。

“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项进入全面实施阶段

3月26日，国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”推进会在科技部召开，科技部部长万纲、专项领导小组成员单位的领导出席会议。会议的召开标志着该重大专项已经进入全面实施阶段。

国家科技重大专项极大规模集成电路制造装备及成套工艺专项2011年度工作总结暨部署大会

2011年12月22日,极大规模集成电路制造装备及成套工艺重大专项（以下简称＂集成电路装备专项＂）工作总结暨部署大会在上海召开。专项领导小组组长、科技部副部长曹健林,专项第一行政责任人、上海市副市长沈晓明,

集成电路制造装备发展现状及展望

集成电路制造产业是现代电子信息产业的核心,是实现中国制造的重要技术和产业支撑,对加快工业转型升级具有重要的战略意义。集成电路制造装备作为集成电路制造产业链中的关键环节,是实现技术突破和产业升级的基础。全球集成电路装备正朝着更先进工艺、更小制程方向发展。随着全球贸易战、科技战愈加复杂,国内集成电路制造装备产业更需要走自主可持续发展道路,提升战略竞争力和国际地位。分析了国内集成电路制造装备发展现状,并结合政策、行业态势研究,指出国产装备现阶段发展现状、发展机遇及建议,助力推动我国集成电路制造装备的技术创新和产业升级。

超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的探讨

集成电路是信息化产业建设发展的重要内容,然而近些年,随着超大规模集成电路精细化程度的不断提高,硅片平坦化技术遇到了发展瓶颈问题。为了解决此类问题,文章先分析了硅片平坦化技术研究现状,包括化学机械抛光技术原理和具体应用,随后介绍了超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术全新进展,包括固结磨料加工、游离磨料研磨抛光、电化学机械抛光、能场辅助抛光等技术,希望能给相关人士提供有效参考。

超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的未来发展

在集成电路(IC)制造中,化学机械抛光(CMP)技术在单晶硅衬底和多层金属互连结构的层间全局平坦化方面得到了广泛应用,成为制造主流芯片的关键技术之一。然而,传统CMP技术还存在一定的缺点或局限性,人们在不断完善CMP技术的同时,也在不断探索和研究新的平坦化技术。在分析传统CMP技术的基础上,介绍了固结磨料CMP、无磨料CMP、电化学机械平坦化、无应力抛光、接触平坦化和等离子辅助化学蚀刻等几种硅片平坦化新技术的原理和特点以及国内外平坦化技术的未来发展。

超大规模集成电路的可制造性设计

以Synopsys推出的TCAD软件TSUPREM-Ⅳ和Medici为蓝本,结合100nm栅长PMOSFET的可制造性联机仿真与优化实例,阐述了超大规模集成电路DFM阶段所进行的工艺级、器件物理特性级优化及工艺参数的提取。

“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”获重大进展

“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项主要任务目前已全面启动，重点任务全面展开，已完成立项53项，若干任务已经取得阶段性成果。“十一五”期间重点实施的内容和目标分别是：重点实现90纳米制造装备产品化，若干关键技术和元部件国产化；研究开发出65纳米制造装备样机；

超大规模集成电路(VLSI)制造技术

在通往信息社会的道路上,以VLSI为主体的微电子工业是居功至伟的前哨,也是“信息技术链”循环前进的动力和源泉。事实证明,微电子工业已经成为与钢铁、能源、化工工业同等重要,甚至在未来发展中超过这些支柱工业,成为具有战略意义的国家命脉工业。 一、VLSI制造技术的特征 自从1952年英国雷达研究所的达默提出集成电路的思想。

国外超大规模集成电路的生产状况

介绍了国外超大规模集成电路的发展趋势,列举了21世纪需要研究的7类集成电路新技术。阐述 了超大规模集成电路在武器装备中的作用,美、欧、日、韩今后的发展对策及其集成电路生产厂的主流产品 与生产状况。

国外军用超大规模集成电路的应用与发展趋势

论述了国外超大规模集成电路的发展趋势及在武器装备中的作用。介绍了美、欧、日、韩今后发展超大规模集成电路的对策。分析了国外超大规模集成电路民技军用的背景,随着集成电路技术的发展,民用市场上会有更多质优价廉的民用集成电路产品适合军事装备的需要,民技军用是国外军用集成电路今后的发展趋势。

极大规模集成电路制造技术及成套工艺：国产化步履唯艰

集成电路制造技术及成套工艺是当今全球装备制造业中最尖端的技术之一，是信息技术硬件的核心。其国产化正在艰难起步。随着极大规模集成电路制造装备及成套工艺被列入16大重大专项，无疑为其发展又添一注新的砝码。从科技部2009年申报课题不难归纳，该项目分集成电路装备、关键部件与核心技术、成套工艺、关键材料、前瞻性研究五个主题，38个项目。

超大规模集成电路制造工厂照明设计

结合《洁净厂房设计规范》与超大规模集成电路制造工厂的特点 ,阐述了照明电源、照度标准、备用照明、照明灯具的选择及安装等 。

用激光器制造超大规模集成电路

日本东亲芝浦电气公司最近利用紫外线激光器的化学反应,研制成功了一种新型的超大规模集成电路制造技术。这项新技术是向放置在氯气中的硅衬底照射激光束蚀刻出电路图形的。

超大规模集成电路多层互连新技术

1998年6月在美国加州硅谷Santa Clara举行了第15届国际超大规模集成电路多层互连技术会议(International VLSI Multilevel Interconnection Conference—VMI(-98)。参加会议的有美国、亚洲和欧洲各大半导体器件公司、研究机构和大学的数百位专家和技术人员。会上发表论文145篇,其中大会报告63篇,张贴展示82篇。