大规模集成电路测试程序开发技术及流程应用

大规模集成电路测试程序开发技术及流程应用是现代电子工程领域的重要议题,有效的测试程序对保障集成电路质量和可靠性至关重要。本研究旨在探讨大规模集成电路测试程序的关键技术和流程,以及在电路设计和生产中的影响,以期提升大规模集成电路测试程序的开发与应用效果,进一步促进电子产业的发展,为电子产业的创新和进步提供有力支撑。

4H-SiC CMOS高温集成电路设计与制造

设计、制造并测试了基于碳化硅材料的横向MOSFET器件和CMOS电路。常温时,N型和P型MOSFET在片测试的阈值电压分别约为5.4 V和-6.3 V;温度达到300℃时,N型和P型MOSFET的阈值电压分别为4.3 V和-5.3 V。由N型和P型MOSFET组成的CMOS反相器在常温下输出的上升时间为1.44μs,下降时间为2.17μs,且在300℃高温条件下仍可正常工作。由CMOS反相器级联成的环形振荡器在常温下的测试工作频率为147 kHz,在高温下也可正常工作。

基于BGR芯片设计的CMOS集成电路教学新范式

针对集成电路专业实验教学中软件使用难度高以及教学模式单一的问题,结合专业培养方案对课程知识与能力的要求,提出一种基于BGR芯片设计的CMOS集成电路教学新范式。该文采用调研分析、调查问卷、理论+实践、系统评估等方法,培养学生实验技能、设计思想、EDA方法和分析方法,从而提高学生在模拟芯片设计方面的实践能力和创新意识。教学实践表明,该教学模式在集成电路人才培养实践教学中取得了良好的教学效果。

CMOS集成电路总剂量效应加固技术研究现状

在核设施运行、乏燃料后处理、可控核聚变、航天卫星与太空探索、核军工、γ辐照站等存在强辐射的场景下,高能粒子、射线会与器件中的半导体材料相互作用产生辐射效应,对信号的完整性和精度产生较大影响。本文首先介绍了总剂量效应(TID)的作用机制,及其在MOS器件中的主要影响:总剂量效应会导致MOS管阈值电压漂移、跨导下降、载流子迁移率降低和电流额外泄漏等问题。其次,按照时间顺序依次阐述了近代以来总剂量效应在半导体器件特别是是CMOS器件中的具体影响,尤其对浅槽隔离氧化物(Shallow Trench Isolation, STI)受到总剂量效应的影响做了着重描述。最后,分析了在电路级中的总剂量效应,以及目前流行的几种抗辐射加固技术。

用于光伏电力传输的CMOS集成电路的优化设计

作为一种重要的可再生能源技术,光伏电力传输对于解决能源需求和降低环境污染具有重要意义。该技术的关键在于利用限流NMOS晶体管和额外的偏置电压来控制电路中的工作电流。优化设计光伏电力传输中的CMOS集成电路,通过调节偏置电压,灵活调节光伏电力传输系统的开关电压和电流,以满足电力传输的需求,降低功耗,提高能量转换效率,降低设备故障和损坏的风险,从而确保系统的稳定运行。

超大规模集成电路适应性测试方法综述

随着现代半导体工艺的迅猛发展,超大规模集成电路(VISI)的研发和制造技术日臻成熟,一个普通芯片,甚至由几亿个晶体管组成。随着集成电路设计和制造复杂度的提高,工艺技术的不断创新,电路测试难度大幅度提升,测试成本飙升,因此,自适应测试的发展至关重要,动态地调整测试流程,消除测试模式冗余,减少了测试时间,提升了测试效率,降低了测试成本。

超大规模集成电路设计基础 第五讲 CMOS本单元电路

反相器也是CM-OS VLSI 电路中的最基本的单元电路。常用的CMOS 静态反相器有三种,如图5.1所示。CMOS 反相器是由一对互补的MO-SFET 组成的。

超大规模集成电路设计基础 第六讲 CMOS主要设计问题

一个复杂的电子集成系统可以分割成若干个VLSI/LSI 芯片和其它电子元件,其中的ASIC 都要专门设计。这些ASIC 设计和制作的好坏往往是整个集成系统成败的关键。不论ASIC 芯片的功能有多么复杂,也不论它们的集成度有多高的。

超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的探讨

集成电路是信息化产业建设发展的重要内容,然而近些年,随着超大规模集成电路精细化程度的不断提高,硅片平坦化技术遇到了发展瓶颈问题。为了解决此类问题,文章先分析了硅片平坦化技术研究现状,包括化学机械抛光技术原理和具体应用,随后介绍了超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术全新进展,包括固结磨料加工、游离磨料研磨抛光、电化学机械抛光、能场辅助抛光等技术,希望能给相关人士提供有效参考。

超大规模集成电路芯片的激光缺陷检测技术研究

超大规模集成电路芯片的激光缺陷检测技术是一种通过使用激光来检测集成电路芯片上的缺陷和欠缺的技术。这项技术可以帮助生产商在生产过程中及时发现并修复芯片上的缺陷,提高芯片的质量和性能。激光缺陷检测技术使用激光器对集成电路芯片进行照射,激光的功率和频率可以根据需要进行调节。激光照射后,通过激光反射或透射的特征来检测芯片上的缺陷,对反射或透射光进行分析,可以确定芯片的质量和性能,更好的为芯片的生产制造带来参考。因此,本文在研究中将进一步展开对芯片缺陷以及激光缺陷检测技术的分析,在此基础上,探讨超大规模集成电路芯片的激光缺陷检测技术,更好的确定芯片缺陷的类型和程度,提高集成电路芯片质量。

适用于CMOS超大规模集成电路计算机辅助设计的MOS FET的阈值模拟

本文提出了一种简单的模型来描述增强型MOS场效应晶体管的阈值和弱反型工作。对照两维数字模拟对这种模型进行了检查,得到了晶体管特性的准确描述。这种模型具有电流和电导的连续性,适合于低电压低功耗CMOS集成电路的计算机辅助设计。

超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的未来发展

在集成电路(IC)制造中,化学机械抛光(CMP)技术在单晶硅衬底和多层金属互连结构的层间全局平坦化方面得到了广泛应用,成为制造主流芯片的关键技术之一。然而,传统CMP技术还存在一定的缺点或局限性,人们在不断完善CMP技术的同时,也在不断探索和研究新的平坦化技术。在分析传统CMP技术的基础上,介绍了固结磨料CMP、无磨料CMP、电化学机械平坦化、无应力抛光、接触平坦化和等离子辅助化学蚀刻等几种硅片平坦化新技术的原理和特点以及国内外平坦化技术的未来发展。

超大规模集成电路制造中硅片化学机械抛光技术分析

目前半导体制造技术已经跨入0.13μm 和300mm时代,化学机械抛光(CMP)技术在ULSI制造中得到了快速发展,已经成为特征尺寸0.35μm以下IC制造不可缺少的技术。CMP是唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的方法,但CMP的材料去除机理至今还没有完全理解、CMP系统过程变量和技术等方面的许多问题还没有完全弄清楚。本文着重介绍了化学机械抛光材料去除机理以及影响硅片表面材料去除率和抛光质量的因素。

大规模集成电路浮栅ROM器件总剂量辐射效应

提出了一种大规模集成电路总剂量效应测试方法在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误和器件功耗电流与辐射总剂量的关系.根据该方法利用60Coγ射线进行了浮栅ROM集成电路(AT29C256)总剂量辐照实验,研究了功耗电流和出错数量在不同γ射线剂量率辐照下的总剂量效应,以及参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系,并利用外推实验技术预估了电路在空间低剂量率环境下的失效时间.

新一代大规模集成电路高温动态老化测试系统的研制

本文充分利用分布式网络控制、可编程ASIC技术及数据库技术 ,在我国第三代集成电路高温动态老化系统BTI2 0 0 0的基础上 ,研制开发了新一代大规模集成电路高温动态老化系统 。

日本超大规模集成电路项目合作开发的启示

通过回顾1976年日本通产省所成功组织的超大规模集成电路研发项目,着重分析了日本政府在VL- SI研究项目中的组织方式、联合研究项目的技术和参与成员选择、联合实验室的组织形式、资源分配等方面所发挥的重要作用,在此基础上,指出了政府在构建以企业为主体的研发机制中应特别注意在研发成员组成、技术领域、组织形式等方面的选择。

面向超大规模集成电路物理设计的通孔感知的并行层分配算法

随着集成电路规模的日益增长,需要处理的线网数量显著增多,层分配算法运行时间增大成为限制高效设计布线方案的重要因素;此外在生产工艺中,通孔的制造成本较高.针对以上两个问题,本文提出了两种新颖的策略分别用于优化算法运行时间和通孔数量:(1)一种高效的基于区域划分的并行策略,实现各区域在并行布线阶段负载均衡,以提高并行布线的效率;(2)基于线网等效布线方案感知的通孔优化策略,决定各线网对布线资源使用的优先级,进而减少层分配方案的通孔数量.最终将上述两种策略相结合,提出了一种面向超大规模集成电路物理设计的通孔感知的并行层分配算法.实验结果表明该算法对通孔数量和运行时间均有良好的优化效果.

大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法

空间辐射环境会对电子器件产生辐射损伤。由于商用器件性能普遍优于抗辐射加固器件,所以从商用器件中筛选出抗辐射性能优异的器件将在一定程度上提高空间电子系统的可靠性。结合数学回归分析与物理应力实验的方法,研究了集成电路抗辐射性能无损筛选技术。通过不同的外界能量注入及总剂量辐照实验,探究电路典型参数的应变情况与电路耐辐射性能的关系,并确定其辐射敏感参数;建立预测电路抗辐射性能的多元线性回归方程,并对应力条件下的回归方程进行辐照实验验证。结果显示,物理应力实验与数学回归分析结合的筛选方法减小了实验值与预测值的偏差,提高了预估方程的拟合优度和显著程度,使预估方程处于置信区间。

六苯胺环三磷腈的制备及其对大规模集成电路封装用环氧模塑料的无卤阻燃

采用滴加工艺,制备了六苯胺基环三磷腈(HPACTPZ),对合成工艺进行了优化,并对其进行了FTIR、NMR表征和分析。采用自制的HPACTPZ作为阻燃剂,制备了无卤阻燃的大规模集成电路封装用环氧树脂模塑料(EMC)。结果表明,HPACTPZ对环氧树脂具有优异的阻燃作用,所制备的EMC可达到UL-94V0级阻燃性能,其氧指数达到35.8%,阻燃性能大大优于传统含溴阻燃体系,同时HPACTPZ加快了环氧树脂的固化反应,可用于制备快速固化及无后固化的大规模集成电路封装用EMC。

降低超大规模集成电路用高纯水中总有机碳的能量传递光化学模型

本文提出用 185nm紫外线降低高纯水中总有机碳 (TOC)的能量传递光化学模型 .计算了水的流量、TOC的浓度、照射腔的尺寸与所需紫外光能量的关系 ,从而解决了在工程设计中 185nm紫外灯的选择和计算方法 .根据理论计算出的结果和实验十分一致 ,证实了本模型的正确性 .使高纯水中的TOC由 4 2 0 0 μg/l降至 0 .3μg/l,是目前国内外高纯水中TOC浓度的最好水平 .