PVA辅助生长大面积连续少层MoS_(2)薄膜

以MoS_(2)为代表的二维半导体材料是有望用于下一代光电子器件的新兴材料,实现大面积连续二维半导体薄膜材料的制备将促进相关材料的工业应用。在(NH_(4))_(2)MoS_(4)前驱体溶液中添加聚乙烯醇(PVA)提高(NH_(4))_(2)MoS_(4)旋涂薄膜的均匀性,然后在H_(2)气氛下加入硫粉,利用高温热解工艺在SiO_(2)/Si基片上制备了大面积、连续均匀的层状MoS_(2)薄膜。采用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见(UV-Vis)分光光度计以及输出特性曲线对MoS_(2)薄膜的形貌、结构和光电性能进行了表征。结果表明,所制备的少层MoS_(2)薄膜具有良好的结晶性和层状结构,并可实现大面积的薄膜转移。