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PVA辅助生长大面积连续少层MoS_(2)薄膜
1
作者
郭佳兴
王进
+1 位作者
曹林洪
符亚军
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第6期485-491,共7页
以MoS_(2)为代表的二维半导体材料是有望用于下一代光电子器件的新兴材料,实现大面积连续二维半导体薄膜材料的制备将促进相关材料的工业应用。在(NH_(4))_(2)MoS_(4)前驱体溶液中添加聚乙烯醇(PVA)提高(NH_(4))_(2)MoS_(4)旋涂薄膜的...
以MoS_(2)为代表的二维半导体材料是有望用于下一代光电子器件的新兴材料,实现大面积连续二维半导体薄膜材料的制备将促进相关材料的工业应用。在(NH_(4))_(2)MoS_(4)前驱体溶液中添加聚乙烯醇(PVA)提高(NH_(4))_(2)MoS_(4)旋涂薄膜的均匀性,然后在H_(2)气氛下加入硫粉,利用高温热解工艺在SiO_(2)/Si基片上制备了大面积、连续均匀的层状MoS_(2)薄膜。采用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见(UV-Vis)分光光度计以及输出特性曲线对MoS_(2)薄膜的形貌、结构和光电性能进行了表征。结果表明,所制备的少层MoS_(2)薄膜具有良好的结晶性和层状结构,并可实现大面积的薄膜转移。
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关键词
MoS_(2)
聚乙烯醇(PVA)
(NH_(4))_(2)MoS_(4)
高温热解
大面积连续薄膜
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职称材料
题名
PVA辅助生长大面积连续少层MoS_(2)薄膜
1
作者
郭佳兴
王进
曹林洪
符亚军
机构
西南科技大学材料科学与工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第6期485-491,共7页
基金
四川省科技厅重点项目(2020YJ0333)
西南科技大学博士基金资助项目(19ZX7131,18ZX7132)。
文摘
以MoS_(2)为代表的二维半导体材料是有望用于下一代光电子器件的新兴材料,实现大面积连续二维半导体薄膜材料的制备将促进相关材料的工业应用。在(NH_(4))_(2)MoS_(4)前驱体溶液中添加聚乙烯醇(PVA)提高(NH_(4))_(2)MoS_(4)旋涂薄膜的均匀性,然后在H_(2)气氛下加入硫粉,利用高温热解工艺在SiO_(2)/Si基片上制备了大面积、连续均匀的层状MoS_(2)薄膜。采用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见(UV-Vis)分光光度计以及输出特性曲线对MoS_(2)薄膜的形貌、结构和光电性能进行了表征。结果表明,所制备的少层MoS_(2)薄膜具有良好的结晶性和层状结构,并可实现大面积的薄膜转移。
关键词
MoS_(2)
聚乙烯醇(PVA)
(NH_(4))_(2)MoS_(4)
高温热解
大面积连续薄膜
Keywords
MoS_(2)oly(vinyl alcohol)(PVA)
(NH_(4))_(2)MoS_(4)
high temperature pyrolysis
large-area continuous film
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PVA辅助生长大面积连续少层MoS_(2)薄膜
郭佳兴
王进
曹林洪
符亚军
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
0
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职称材料
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