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AEO表面活性剂EO加成数对铜互连阻挡层抛光液的影响
被引量:
7
1
作者
宋国强
檀柏梅
+1 位作者
刘玉岭
王辰伟
《应用化工》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第9期2362-2366,共5页
铜互连化学机械抛光(CMP)是IC制备中的关键工艺,阻挡层抛光液的性能是决定平坦化效果及减少表面缺陷的重要因素。研究了不同环氧乙烷加成数(EO加成数)的AEO表面活性剂对阻挡层抛光液性能的影响。结果表明,随EO加成数增加,抛光液表面张...
铜互连化学机械抛光(CMP)是IC制备中的关键工艺,阻挡层抛光液的性能是决定平坦化效果及减少表面缺陷的重要因素。研究了不同环氧乙烷加成数(EO加成数)的AEO表面活性剂对阻挡层抛光液性能的影响。结果表明,随EO加成数增加,抛光液表面张力和接触角逐渐增大,润湿性逐渐变差,抛光液中大颗粒数先减少后增加,当EO数为9时,大颗粒数最少,且粒径分布(PSD)趋于窄化。随EO加成数增加,Ta去除速率基本不变,Cu和SiO_(2)介质去除速率分别由378/min和695/min降至167/min和234/min,当EO加成数为9时,粗糙度最低,可达0.72 nm,且Cu和SiO_(2)介质去除速率与baseline接近。
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关键词
铜互连
阻挡层CMP
表面活性剂
EO加成数
粗糙度
大颗粒计数
粒径
去除速率
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职称材料
题名
AEO表面活性剂EO加成数对铜互连阻挡层抛光液的影响
被引量:
7
1
作者
宋国强
檀柏梅
刘玉岭
王辰伟
机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
出处
《应用化工》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第9期2362-2366,共5页
基金
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007)
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(61704046)
河北省自然科学基金资助项目(F2018202174)。
文摘
铜互连化学机械抛光(CMP)是IC制备中的关键工艺,阻挡层抛光液的性能是决定平坦化效果及减少表面缺陷的重要因素。研究了不同环氧乙烷加成数(EO加成数)的AEO表面活性剂对阻挡层抛光液性能的影响。结果表明,随EO加成数增加,抛光液表面张力和接触角逐渐增大,润湿性逐渐变差,抛光液中大颗粒数先减少后增加,当EO数为9时,大颗粒数最少,且粒径分布(PSD)趋于窄化。随EO加成数增加,Ta去除速率基本不变,Cu和SiO_(2)介质去除速率分别由378/min和695/min降至167/min和234/min,当EO加成数为9时,粗糙度最低,可达0.72 nm,且Cu和SiO_(2)介质去除速率与baseline接近。
关键词
铜互连
阻挡层CMP
表面活性剂
EO加成数
粗糙度
大颗粒计数
粒径
去除速率
Keywords
copper interconnect
barrier layer CMP
surfactant
EO addition numbers
roughness
large particles count
particle size
material remove rate
分类号
TQ421.4 [化学工程]
TN [电子电信]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AEO表面活性剂EO加成数对铜互连阻挡层抛光液的影响
宋国强
檀柏梅
刘玉岭
王辰伟
《应用化工》
CAS
CSCD
北大核心
2021
7
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