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AEO表面活性剂EO加成数对铜互连阻挡层抛光液的影响 被引量:7
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作者 宋国强 檀柏梅 +1 位作者 刘玉岭 王辰伟 《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期2362-2366,共5页
铜互连化学机械抛光(CMP)是IC制备中的关键工艺,阻挡层抛光液的性能是决定平坦化效果及减少表面缺陷的重要因素。研究了不同环氧乙烷加成数(EO加成数)的AEO表面活性剂对阻挡层抛光液性能的影响。结果表明,随EO加成数增加,抛光液表面张... 铜互连化学机械抛光(CMP)是IC制备中的关键工艺,阻挡层抛光液的性能是决定平坦化效果及减少表面缺陷的重要因素。研究了不同环氧乙烷加成数(EO加成数)的AEO表面活性剂对阻挡层抛光液性能的影响。结果表明,随EO加成数增加,抛光液表面张力和接触角逐渐增大,润湿性逐渐变差,抛光液中大颗粒数先减少后增加,当EO数为9时,大颗粒数最少,且粒径分布(PSD)趋于窄化。随EO加成数增加,Ta去除速率基本不变,Cu和SiO_(2)介质去除速率分别由378/min和695/min降至167/min和234/min,当EO加成数为9时,粗糙度最低,可达0.72 nm,且Cu和SiO_(2)介质去除速率与baseline接近。 展开更多
关键词 铜互连 阻挡层CMP 表面活性剂 EO加成数 粗糙度 大颗粒计数 粒径 去除速率
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