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基于布拉格光纤的磁场调制液晶太赫兹开关 被引量:5
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作者 吴犇 张会 +4 位作者 朱良栋 郭澎 王倩 高润梅 常胜江 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期1838-1843,共6页
利用中空布拉格光纤结构,设计了一种新型的磁场调制液晶太赫兹开关.通过在包层中采用周期交错的高密度聚乙烯和向列相液晶E7,并施加外磁场控制液晶的取向来改变液晶的折射率,从而实现开关的功能.该设计使开关宜于与光纤耦合,损耗小且能... 利用中空布拉格光纤结构,设计了一种新型的磁场调制液晶太赫兹开关.通过在包层中采用周期交错的高密度聚乙烯和向列相液晶E7,并施加外磁场控制液晶的取向来改变液晶的折射率,从而实现开关的功能.该设计使开关宜于与光纤耦合,损耗小且能实现单模传输.采用有限元法模拟了开关的各项参数,数值计算表明,此开关的消光比可达26.34dB. 展开更多
关键词 太赫兹开关 布拉格光纤 液晶
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太赫兹波段二氧化钒薄膜的研究进展 被引量:5
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作者 张化福 沙浩 +4 位作者 吴志明 蒋亚东 王操 孙艳 景强 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第15期2513-2523,共11页
在68℃附近,二氧化钒薄膜就能实现低温半导体相和高温金属相之间的一级可逆相变,相变时二氧化钒薄膜的太赫兹透过率和反射率等都会发生急剧的变化。更为重要的是,除了加热之外,其他激励方式,如光照、电场、太赫兹场等也能使二氧化钒薄... 在68℃附近,二氧化钒薄膜就能实现低温半导体相和高温金属相之间的一级可逆相变,相变时二氧化钒薄膜的太赫兹透过率和反射率等都会发生急剧的变化。更为重要的是,除了加热之外,其他激励方式,如光照、电场、太赫兹场等也能使二氧化钒薄膜发生相变。这一独特、优异的半导体-金属相变性能使得二氧化钒薄膜在太赫兹开关、调制器等领域具有巨大的应用前景。因此,二氧化钒薄膜已成为太赫兹材料与功能器件方面的一个研究热点。研究工作主要集中在二氧化钒薄膜的制备方法、相变性能及在太赫兹器件领域的应用三个方面。探究制备高质量二氧化钒薄膜的方法是其获得优异的相变性能及应用的前提条件。在太赫兹波段,二氧化钒薄膜的常用制备方法有脉冲激光沉积法、磁控溅射法及溶胶-凝胶法。脉冲激光沉积法是最早用来研究太赫兹波段二氧化钒薄膜相变性能的薄膜制备方法,该法制备的薄膜质量高、相变性能好。磁控溅射法制备二氧化钒薄膜时,主要采用在氩气/氧气混合气氛下溅射金属钒靶的反应磁控溅射法。然而,利用反应溅射法时,二氧化钒薄膜的成膜条件范围很窄(尤其是氧流量比),不利于薄膜结构及性能的优化。为此,研究者们探索利用二氧化钒陶瓷材料作为溅射靶材来制备二氧化钒薄膜。尽管脉冲激光沉积法和溅射法被广泛应用于制备二氧化钒薄膜,但所需设备复杂且成本高。相比之下,溶胶-凝胶法设备简单、成本低且易于实现掺杂和成分控制,但薄膜附着性差。二氧化钒薄膜的相变性能研究主要包括不同的相变激励方式及相变性能的优化提高两个方面。二氧化钒薄膜的热致相变简单易控,但响应时间长;而光致及电致相变响应快,但实现相变的条件要求高,且调制幅度较小。二氧化钒薄膜相变性能的提高一直颇受关注,优化工艺条件、掺杂及制作超材料结构是目前常用的方法。在应用方面,二氧化钒薄膜主要是被用来制作太赫兹开关和太赫兹线偏振器、可调频滤波器、频率选择表面器及吸收器等太赫兹调制器。本文对近年来太赫兹波段二氧化钒薄膜的制备方法、相变性能以及在太赫兹方面的应用进展进行了综述。 展开更多
关键词 赫兹 二氧化钒薄膜 相变 脉冲激光沉积法 溅射法 溶胶-凝胶法 太赫兹开关 赫兹调制器
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基于等离子体镜的太赫兹单脉冲选择方法
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作者 赵苏宇 吴岱 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2020年第6期957-961,共5页
研究了一种用于中国工程物理研究院太赫兹自由电子激光装置(CTFEL)输出的太赫兹的单脉冲选择方法,以满足一些对太赫兹脉冲的时间分辨率和峰值强度提出较高要求同时要保证较低平均功率的实验的需要。利用自诱导等离子体开关技术,太赫兹... 研究了一种用于中国工程物理研究院太赫兹自由电子激光装置(CTFEL)输出的太赫兹的单脉冲选择方法,以满足一些对太赫兹脉冲的时间分辨率和峰值强度提出较高要求同时要保证较低平均功率的实验的需要。利用自诱导等离子体开关技术,太赫兹能够被短脉冲激光打靶产生的等离子体镜反射,从而使等离子体镜可以作为门控开关,选出单个太赫兹微脉冲。通过理论分析计算出等离子体临界密度和激光功率密度阈值,采用辐射流体模拟软件对激光打靶过程进行数值模拟。模拟结果表明,激光激发出的等离子体密度远大于临界密度。由此证明了实验的可行性,进而给出实验所需装置的参数指标以及实验光路设计。 展开更多
关键词 赫兹 自由电子激光 等离子体镜 太赫兹开关 单脉冲选择
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A novel terahertz device with multi-function of polarization and switch based on phase transition of VO_2
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作者 谷文浩 常胜江 范飞 《Optoelectronics Letters》 EI 2016年第6期409-412,共4页
A terahertz(THz) polarizer and switch structure is proposed based on the phase transition of vanadium dioxide(VO_2). When VO_2 is in the insulation phase, the resonance frequencies of the proposed structure are 1.49 T... A terahertz(THz) polarizer and switch structure is proposed based on the phase transition of vanadium dioxide(VO_2). When VO_2 is in the insulation phase, the resonance frequencies of the proposed structure are 1.49 THz and 1.22 THz for the x- and y-polarization, respectively. It can perform as a THz polarizer with extinction ratios of 52.5 dB and 17 dB for the y- and x-polarization, respectively; When VO_2 transforms into metallic phase, the resonance frequency for x-polarization wave shifts from 1.49 THz to 1.22 THz, while that remains still for the y-polarization component. It means that the structure can work as a polarization-dependent THz switch with a high extinction ratio of 32 dB. 展开更多
关键词 switch terahertz extinction metallic vanadium insulation pumping resonator dioxide tetragonal
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