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光子太赫兹通信技术
被引量:
4
1
作者
邓秋卓
张红旗
+1 位作者
张鹿
余显斌
《太赫兹科学与电子信息学报》
2022年第8期790-803,共14页
随着无线数据传输速率需求的爆炸式增长,太赫兹频段(0.1~10 THz)以其丰富的频谱资源备受关注。太赫兹光子学的通信技术因具有超宽带、调制效率高、谐波干扰小等技术优势,被公认可以极大地促进数据传输速率向Tbit/s发展。本文以光子太赫...
随着无线数据传输速率需求的爆炸式增长,太赫兹频段(0.1~10 THz)以其丰富的频谱资源备受关注。太赫兹光子学的通信技术因具有超宽带、调制效率高、谐波干扰小等技术优势,被公认可以极大地促进数据传输速率向Tbit/s发展。本文以光子太赫兹通信3个方面关键技术的综述分析为基础,包括光子太赫兹通信的收发器件、基带信号处理技术、系统架构与实验验证等,探讨光子太赫兹通信技术的发展趋势,并从宏观与微观尺度展望光子太赫兹通信的潜在应用场景。
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关键词
太
赫兹
通信
太
赫兹
光子学
太赫兹收发机
基带信号处理
下载PDF
职称材料
220 GHz低噪声放大器研究
被引量:
2
2
作者
毛燕飞
鄂世举
+1 位作者
SCHMALZ Klaus
SCHEYTT John Christoph
《红外》
CAS
2019年第8期24-30,共7页
基于IHP锗硅BiCMOS工艺,研究和实现了两种220 GHz低噪声放大器电路,并将其应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。一种是220 GHz四级单端共基极低噪声放大电路,每级电路采用了共基极(Common Base,CB)电路结构,利用传输线和金属-...
基于IHP锗硅BiCMOS工艺,研究和实现了两种220 GHz低噪声放大器电路,并将其应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。一种是220 GHz四级单端共基极低噪声放大电路,每级电路采用了共基极(Common Base,CB)电路结构,利用传输线和金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal,MIM)电容等无源电路元器件构成输入、输出和级间匹配网络。该低噪放电源的电压为1.8 V,功耗为25 mW,在220 GHz频点处实现了16 dB的增益,3 dB带宽达到了27 GHz。另一种是220 GHz四级共射共基差分低噪声放大电路,每级都采用共射共基的电路结构,放大器利用微带传输线和MIM电容构成每级的负载、Marchand-Balun、输入、输出和级间匹配网络等。该低噪放电源的电压为3 V,功耗为234 mW,在224 GHz频点实现了22 dB的增益,3 dB带宽超过6 GHz。这两个低噪声放大器可应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。
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关键词
低噪声放大器
220
GHZ
共基级
共射共基
太
赫兹
无线高速通信
收发机
BICMOS工艺
下载PDF
职称材料
题名
光子太赫兹通信技术
被引量:
4
1
作者
邓秋卓
张红旗
张鹿
余显斌
机构
浙江大学信息与电子工程学院
出处
《太赫兹科学与电子信息学报》
2022年第8期790-803,共14页
基金
国家重点研发计划资助项目(2020YFB1805700)。
文摘
随着无线数据传输速率需求的爆炸式增长,太赫兹频段(0.1~10 THz)以其丰富的频谱资源备受关注。太赫兹光子学的通信技术因具有超宽带、调制效率高、谐波干扰小等技术优势,被公认可以极大地促进数据传输速率向Tbit/s发展。本文以光子太赫兹通信3个方面关键技术的综述分析为基础,包括光子太赫兹通信的收发器件、基带信号处理技术、系统架构与实验验证等,探讨光子太赫兹通信技术的发展趋势,并从宏观与微观尺度展望光子太赫兹通信的潜在应用场景。
关键词
太
赫兹
通信
太
赫兹
光子学
太赫兹收发机
基带信号处理
Keywords
terahertz communications
terahertz photonics
terahertz transceiver
baseband signal processing
分类号
TN92 [电子电信—通信与信息系统]
下载PDF
职称材料
题名
220 GHz低噪声放大器研究
被引量:
2
2
作者
毛燕飞
鄂世举
SCHMALZ Klaus
SCHEYTT John Christoph
机构
浙江师范大学工学院
东南大学毫米波国家重点实验室
德国莱布尼兹高性能创新微电子研究所
帕德博恩大学海恩茨-尼克斯多夫研究所
出处
《红外》
CAS
2019年第8期24-30,共7页
基金
浙江省自然科学基金(LQ17F0400)
东南大学毫米波国家重点实验室开放项目(K201817)
文摘
基于IHP锗硅BiCMOS工艺,研究和实现了两种220 GHz低噪声放大器电路,并将其应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。一种是220 GHz四级单端共基极低噪声放大电路,每级电路采用了共基极(Common Base,CB)电路结构,利用传输线和金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal,MIM)电容等无源电路元器件构成输入、输出和级间匹配网络。该低噪放电源的电压为1.8 V,功耗为25 mW,在220 GHz频点处实现了16 dB的增益,3 dB带宽达到了27 GHz。另一种是220 GHz四级共射共基差分低噪声放大电路,每级都采用共射共基的电路结构,放大器利用微带传输线和MIM电容构成每级的负载、Marchand-Balun、输入、输出和级间匹配网络等。该低噪放电源的电压为3 V,功耗为234 mW,在224 GHz频点实现了22 dB的增益,3 dB带宽超过6 GHz。这两个低噪声放大器可应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。
关键词
低噪声放大器
220
GHZ
共基级
共射共基
太
赫兹
无线高速通信
收发机
BICMOS工艺
Keywords
LNA
220 GHz
common base
cascode
high speed THz communication transceiver
BiCMOS technology
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光子太赫兹通信技术
邓秋卓
张红旗
张鹿
余显斌
《太赫兹科学与电子信息学报》
2022
4
下载PDF
职称材料
2
220 GHz低噪声放大器研究
毛燕飞
鄂世举
SCHMALZ Klaus
SCHEYTT John Christoph
《红外》
CAS
2019
2
下载PDF
职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
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