G波段高输出功率发射组件的设计

本文设计了一款基于太赫兹有源器件的G波段高输出功率发射组件。组件通过两次混频,将X波段的中频信号上混频至G波段。通过理论分析及电磁场仿真后,加工制作了实物模型进行测试,整体组件的饱和输出功率优于25mW,带内杂散抑制度优于40dBc,并且在脉冲周期20μs,占空比10%的条件下可正常工作,达到了预期设计目标,满足工程化应用的需求。