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背入射Al_(0.42)Ga_(0.58)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器
被引量:
1
1
作者
成彩晶
丁嘉欣
+6 位作者
张向锋
赵鸿燕
鲁正雄
司俊杰
孙维国
桑立雯
张国义
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期566-569,共4页
在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω.器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%...
在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω.器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×1011cm.Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一.
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关键词
太阳光盲
紫外探测器
理想因子
串联电阻
外量子效率
探测率
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职称材料
背入射AlxGa1-xN64×1线列焦平面太阳光盲探测器
2
作者
丁嘉欣
成彩晶
+6 位作者
张向锋
张晓兵
鲁正雄
司俊杰
孙维国
桑立雯
张国义
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期187-189,共3页
在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.5Ga0.5NP-I-N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应,其截止波长为285nm,在275nm峰值波长处的零偏电流响应率为20mA/W。测试了线列器件各元在5V反...
在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.5Ga0.5NP-I-N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应,其截止波长为285nm,在275nm峰值波长处的零偏电流响应率为20mA/W。测试了线列器件各元在5V反偏压下的暗电流,结果表明暗电流大约在10-8A数量级,暗电流分布均匀。线列器件各元的紫外光响应均匀性较好。
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关键词
ALGAN
背入射
线列焦平面
太阳光盲
探测器
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职称材料
题名
背入射Al_(0.42)Ga_(0.58)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器
被引量:
1
1
作者
成彩晶
丁嘉欣
张向锋
赵鸿燕
鲁正雄
司俊杰
孙维国
桑立雯
张国义
机构
中国空空导弹研究院
北京大学物理系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期566-569,共4页
文摘
在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω.器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×1011cm.Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一.
关键词
太阳光盲
紫外探测器
理想因子
串联电阻
外量子效率
探测率
Keywords
solar-blind UV photodetector
ideality factor
series resistance
photoresponse
detectivity
分类号
TN23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
背入射AlxGa1-xN64×1线列焦平面太阳光盲探测器
2
作者
丁嘉欣
成彩晶
张向锋
张晓兵
鲁正雄
司俊杰
孙维国
桑立雯
张国义
机构
中国空空导弹研究院
北京大学物理系
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期187-189,共3页
文摘
在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.5Ga0.5NP-I-N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应,其截止波长为285nm,在275nm峰值波长处的零偏电流响应率为20mA/W。测试了线列器件各元在5V反偏压下的暗电流,结果表明暗电流大约在10-8A数量级,暗电流分布均匀。线列器件各元的紫外光响应均匀性较好。
关键词
ALGAN
背入射
线列焦平面
太阳光盲
探测器
Keywords
AlGaN
back-illuminated
linear FPA
solar-blind
photodetector
分类号
TN23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
操作
1
背入射Al_(0.42)Ga_(0.58)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器
成彩晶
丁嘉欣
张向锋
赵鸿燕
鲁正雄
司俊杰
孙维国
桑立雯
张国义
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
下载PDF
职称材料
2
背入射AlxGa1-xN64×1线列焦平面太阳光盲探测器
丁嘉欣
成彩晶
张向锋
张晓兵
鲁正雄
司俊杰
孙维国
桑立雯
张国义
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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职称材料
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