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太阳盲MgZnO光电探测器 被引量：7
1
作者 蒋大勇 张吉英 +8 位作者 单崇新 吕有明 赵延民 韩舜 姚斌 张振中 赵东旭 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期743-746,共4页
利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构。在室温下,实现了太阳盲MgZnO光电探测器,器件的探测峰值位于225 nm,截止边为230 nm。
关键词 MgZnO合金薄膜 太阳盲光电探测器 射频磁控溅射
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MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器 被引量：1
2
作者 鞠振刚 张吉英 +5 位作者 蒋大勇 单崇新 姚斌 申德振 吕有明 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期865-868,共4页
利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10V偏压下,器件的光响应峰值在250nm,截... 利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10V偏压下,器件的光响应峰值在250nm,截止边为273nm的MgZnO太阳盲光电探测器。 展开更多
关键词 MgZnO薄膜 太阳盲光电探测器 金属有机化学气相沉积
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