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夹心式a—Si:H光阴极
1
作者
陈元星
海宇涵
等
《薄膜科学与技术》
1991年第4期59-62,共4页
为了提高a-Si:H光电发射的量子效率,设计了夹心式场增强结构。此结构是SnO2-n-pa-Si:H-AI:Cs:O,并在光阴极动态试验系统上进行了初步实验研究,它的光谱响应复盖整个可见光区,长玻限在0.82um,知值波长0.56um。光电发射灵敏度与所加...
为了提高a-Si:H光电发射的量子效率,设计了夹心式场增强结构。此结构是SnO2-n-pa-Si:H-AI:Cs:O,并在光阴极动态试验系统上进行了初步实验研究,它的光谱响应复盖整个可见光区,长玻限在0.82um,知值波长0.56um。光电发射灵敏度与所加偏压有关,在15V偏压下,积分灵敏度为30um/Lm,峰值量子效率为2.1%。
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关键词
非晶硅
薄膜
光阴极
夹心
式
asi
:
h
量子效率
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职称材料
题名
夹心式a—Si:H光阴极
1
作者
陈元星
海宇涵
等
机构
中国科学院电子所
出处
《薄膜科学与技术》
1991年第4期59-62,共4页
文摘
为了提高a-Si:H光电发射的量子效率,设计了夹心式场增强结构。此结构是SnO2-n-pa-Si:H-AI:Cs:O,并在光阴极动态试验系统上进行了初步实验研究,它的光谱响应复盖整个可见光区,长玻限在0.82um,知值波长0.56um。光电发射灵敏度与所加偏压有关,在15V偏压下,积分灵敏度为30um/Lm,峰值量子效率为2.1%。
关键词
非晶硅
薄膜
光阴极
夹心
式
asi
:
h
量子效率
分类号
TN103 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
夹心式a—Si:H光阴极
陈元星
海宇涵
等
《薄膜科学与技术》
1991
0
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