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VDMOSFET沟道区的研究 被引量：1
1
作者 石广源 李严 +1 位作者 李永亮 高嵩 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2007年第1期11-14,共4页
讨论了影响沟道长度及沟道的夹断区长度的因素,通过沟道区的优化促进了VDMOSFET性能的提高.
关键词 沟道长度 夹断区 VDMOSFET
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