SiC-MESFET器件的夹断电压

考虑空间电荷区杂质的非完全离化、SiC表面的界面态和反向漏电流等因素的影响,给出了较为精确的计算SiC-MESFET器件夹断电压的方法,计算的结果和实验值符合较好。

EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响

在建立的理论模型基础之上 ,定量地分析了EL2能级对GaAsMESFET夹断电压的影响 ,指出位于本征费米能级以下的EL2能级是影响GaAsMESFET夹断电压大小的主要因素 ,EL2能级对GaAsMESFET夹断电压的影响程度与EL2能级的缺陷密度呈线性关系。

场效应管夹断电压的作用及测试

根据夹断电压能确定可变电阻区与饱和区的分界点，使场效应管可靠地工作在饱和区的原理。研究了夹断电压的测试问题，介绍了测试场效应管夹断电压的方法，进而找出预夹断电压，由此即可确定场效应管的饱和区。

夹断电压可调的高压结型场效应管

基于Double RESURF 700VBCD工艺平台,提出了一种夹断电压可调的高压结性场效应管(J-FET)。这种J-FET的夹断是通过栅源反偏引起的N阱(N-well)表面耗尽和衬源反偏引起的底部耗尽共同作用结果,故夹断电压可受J-FET的栅电位调制。同时通过改变高压J-FET的P型埋层(P-buried)掩膜窗口的大小和间距,来改变P-buried和N-well的杂质浓度分布,达到改变J-FET夹断电压的目的。在不增加工艺步骤和改变原有工艺条件的情况下,通过实验得到击穿电压大于700V,夹断电压在8V和17V之间可自由调整的高压J-FET器件。该器件可以作为启动器件和供电模块的线性调整器件使用。由于其夹断电压受P-buried注入版图尺寸的影响,同时受栅电位调制,所以可以满足线路设计者的不同要求。

半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响

研究了LEC法生长SI GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能 (跨导、饱和漏电流、夹断电压 )的影响 .用AB腐蚀液显示AB微缺陷 (AB EPD :10 3 ～ 10 4cm-2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (EPD :10 4cm-2 量级 ) ,发现衬底上的AB微缺陷对器件性能及均匀性有显著影响 .随着AB EPD的增大 ,跨导、饱和漏电流变小 ,夹断电压的绝对值也变小 .利用扫描光致发光光谱 (PLmapping)对衬底质量进行了测量 ,结果表明衬底参数好的样品 ,PL参数好 ,相应器件的参数也好 。

一种200V垂直型恒流二极管的优化设计

恒流二极管具有很高的动态阻抗、很好的恒流性能以及负温度特性,被广泛应用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中。设计了一种200V垂直耗尽型恒流二极管,对其电学参数进行了仿真,优化了外延厚度与浓度、沟道浓度、JFET区长度、栅氧层厚度等参数,并对终端结构进行了设计。最终成功设计出一个夹断电压小于5V,击穿电压约为250V,电流约为1.5×10^(-5)A/μm,恒流特性良好的恒流二极管。

Theoretical Investigation of Pinch off Voltage of Box-Like Ion-Implanted 4H-SiC MESFETs

A precise theoretical calculation off the pinch of voltage of the box-like ion implantation 4H-SiC MESFETs is investigated with the consideration of the effects of the ion-implanted channel and the depth of MESFETs channel.The implant depth profile is simulated using the Monte Carlo simulator TRIM.The effects of parameters such as temperature,acceptor density,and activation rate on channel depth a,pinch off voltage are studied.

一种基于PJFET的低温漂基准设计方法

本文介绍了一种基于PJFET技术的电压基准源设计方法。该方法利用PJFET夹断电压的温度特性产生负温漂电压,在此基础上叠加一个正温漂电压进行温度补偿,产生低温漂基准电压。根据文中的理论方法,基于1.5μm 32 V双极工艺设计了一款输出5 V的电压基准源。测试结果表明,该电压基准源温漂在5 ppm/℃以内,具有低噪声,低温漂等特性。

类比法在《电子线路》教学中的应用

本文简单阐述类比法在电子线路教学中的具体应用方法和例证,对电子教学中的一些抽象问题作出比较简单的解释。

SITI－V特性模型

提出了一个ＳＩＴＩ－Ｖ特性模型．该模型不仅成功地解释了在小电流工作时的指数Ｉ－Ｖ特性，而且也说明了在中等电流和大电流工作时的线性Ｉ－Ｖ特性．基于这个模型。

一种热敏电阻的R-T非线性特性校正方法

本文给出在测温电路中热敏电阻的R-T非线性特性的一种校正方法,其原理简单,分析表明校正后的线性失真不大于0.2%。本文并给出了实验数据。

Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs异质结构二维电子气晶体管(TEGFET)

制备了耗尽型和增强型TEGFET,耗尽TEGFE单栅长1μm,其室温跨导g_m=90mS/mm;双栅栅长均为2μm。g_m=75mS/mm。双栅的结果优于本实验室相同结构与尺寸的离子注入型常规双栅MESFET与高掺杂沟道MIS结构肖特基势垒FET的实验结果。双栅耗尽型器件在77K下跨导增加到1.7倍。双栅增强型的TEGFET在室温0.6V栅偏压下,g_m=63mS/mm,在77K下增加到1.4倍。如器件中出现平行电导时,则器件性能退化,它不但使跨导降低,且随栅编压变化很大。文中讨论了这一现象。

结型场效应晶体管的主要参数的探讨

本文讨论了结型场效应晶体管的几个主要参数 。

一种250V高动态阻抗恒流器件优化设计

设计了一种250 V高动态阻抗恒流器件,通过在外延层中刻蚀填充氧化槽,形成体内横向沟道结构,提升恒流器件动态阻抗,使器件具有优异的恒流特性。利用MEDICI仿真软件对器件的外延层厚度和浓度、氧化槽深度、调沟注入剂量及栅氧厚度等参数进行模拟仿真,探究各参数对器件特性的影响。最终设计得到的恒流器件击穿电压为300 V,夹断电压约3.5 V,恒流工作区间为5~250 V,在20 V条件下动态阻抗达到189 MΩ·μm,相较于传统恒流器件提升十几倍以上。建立解析模型后采用混合仿真模式对典型LED驱动电路进行模拟,结果显示负载电流相对波动变化率仅为1.5%,实现了LED负载的恒流驱动。

水雷声值更引信中干扰的抑制

本文从水雷工作环境背景出发,在简述门限检测原理的基础上,提出了一种可抑制60dB干扰声值更电路,进而论述了其抑制连续干扰及瞬时干扰的过程及设计方法。

车载防化(生物)控制系统临战前快速调整方法的探讨

根据战车防化(生物)控制系统——T81含磷毒剂报警器的工作原理。运用电路分析理论,推导出主要调整器件对系统工作状态的影响,提出了战车参战前快速准确的调整方法。该方法在学员中进行了实践,效果良好。

感应式语言提示验电器

本文介绍的语言提示验电器,造型美观,新颖实用,是广大电工及供电用电单位必不可少的仪器之一。当它接近220V电源5—10cm,10KV电源3m时,就会发出“有电危险,请勿靠近”的汉语普通音。同时,利用该机的验电功能,还可以判断零线或相线的通、断。 工作原理(见图1):

结型场效应晶体管的主要参数的探讨

本文讨论了结型场效应晶体管的几个主要参数,找出影响它们的主要因素。

超高压JFET器件电参数的合理实现

基于高性价比的10层masks UHVBCD工艺平台,对UHVJFET电参数机理进行分析,并做出实验数据总结,可作为半导体工艺器件研发人员的参考资料。依靠Double Resurf原理实现高击穿电压BVd。Combined结构的JFET漏极击穿电压BVd取决于与其并联的UHVLDMOS,独立结构的JFET则可通过改变漂移宽度Ld,在15~80μm范围内,实现100~900V范围的JFET击穿电压。通过调整DN或DP注入剂量改变沟道掺杂浓度,同时通过沟通区域的DN局部挖空设计来实现VLD变掺杂,可以实现9~30V区间的源极夹断电压Vp。实验还得出圆形结构与直条形结构的UHVJFET,变掺杂设计规则有0.5μm左右的偏差。结果得出JFET在Vp=20V,Vs=0V,Vd=50V时,供电能力在2mA/100μm左右。