奇模抑制孔缝阵列速度补偿型弯曲共面波导

提出了一种可以抑制奇模的速度补偿型弯曲共面波导结构。该结构采用在弯曲共面波导较长缝隙中的介质上打孔的方式降低其等效介电常数,加快该缝隙中的电波速度,从而使得较长缝隙中的信号经过弯曲段后与较短缝隙中的信号同相输出。仿真和实验结果表明:所提出的结构可以有效抑制奇模辐射,显著降低传输损耗和减小反射。

Ka波段GaN HEMT高效率功率放大器MMIC

研制了一款基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的Ka波段功率放大器(PA)单片微波集成电路(MMIC)。MMIC采用三级级联放大结构,在末级采用簇丛型合成网络实现8胞功率合成,电路输入端和级间采用低通电抗式匹配网络,输出端采用带通电抗式匹配网络,并结合稳定网络实现高效稳定的特性。对所设计的功率放大器MMIC进行了流片验证,芯片面积为4.3 mm×2.9 mm。测试结果表明,在漏极偏置电压为20 V(100μs脉宽、10%占空比),栅极偏置电压为-1.6 V,输入功率为18 dBm的条件下,该款功率放大器MMIC的工作频率为27~33 GHz,饱和输出功率大于10 W,功率增益大于22 dB,功率附加效率高达30%。