八台阶二元光学器件套刻误差的逐层分析法研究

用逐层分析法就八台阶二元器件套刻误差对器件衍射效率的影响进行了详细的分析和讨论，给出了简便。

分步重复投影光刻机套刻误差模型的研究

本文讨论了套刻误差的组成及误差模型的建立，并介绍了套刻误差的表示方法。套刻误差教学模型对于光刻机整机套刻精度的估计、对于光刻机的多机（单机）套刻匹配等工作将会是一个非常重要的工具。

基于套刻误差测试标记的彗差检测技术

为了满足光刻机投影物镜彗差测量精度的要求,提出一种基于套刻误差测试标记的彗差检测技术,分析了彗差对套刻误差测试标记空间像的影响,详细叙述了该技术的测量原理,并利用PROLITH光刻仿真软件对不同数值孔径与部分相干因子设置下套刻误差相对于彗差的灵敏度系数进行了仿真实验。结果表明,与目前国际上通常使用的投影物镜彗差检测技术相比,该技术在传统照明条件下灵敏度系数Kz7与Kz14的变化范围分别增加了27.5%和34.3%,而在环形照明条件下则分别增加了20.4%和22.1%,因此彗差的测量精度可提高20%以上。

光刻套刻误差测量技术

集成电路制造中光刻工艺特征尺寸不断减小,制造商对套刻误差指标的要求逐步提升,对具有亚纳米精度的套刻误差测量技术与系统有极为迫切的需求。针对该需求,对比介绍了基于衍射原理的套刻测量(DBO)和基于图像的套刻测量(IBO)技术原理与特点;在对比分析中,针对具有更高精度测量能力的DBO路线,梳理了其技术发展脉络,对DBO技术中存在的挑战和未来的发展方向进行了论述。所述内容有望为我国先进节点光刻机的独立自主开发提供技术参考。

14 nm工艺光刻对准之异常问题与对策分析

探讨14 nm工艺生产过程中,在光刻晶圆对准时遇到的异常问题及其解决方案。通过预对准温控单元TSU与14 nm产品晶圆高度的有效控制,可有效改善对准异常问题且套刻精度OVL状况保持不变。

集成电路制造在线光学测量检测技术:现状、挑战与发展趋势

在线测量检测技术与装备是保证集成电路(IC)制造质量和良率的唯一有效技术手段,在IC制造过程中必须对IC纳米结构的关键尺寸、套刻误差,以及缺陷等进行快速、非破坏、精确测量与检测。本文首先从尺寸测量和缺陷检测两个方面介绍了IC制造在线光学测量检测技术的研究现状。在此基础上,进一步分析了先进技术节点中所面临的一些新的纳米测量挑战,如更小的特征尺寸、更复杂的三维结构。最后,展望了IC制造在线光学测量检测技术的未来发展趋势。