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傅山与船山子学思想之比较
被引量:
1
1
作者
王兴国
《船山学刊》
CSSCI
2008年第1期5-7,共3页
傅山与船山均重视子学研究,并且都特别会心于道家、道教,但两人研究子学的立足点有异,而在对老庄一些著作的具体诠释上又有其一致之处。
关键词
傅山
船山
子学研究
比较
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职称材料
《唐前孟学史》“史笔”探析
2
作者
刘国钦
《宜宾学院学报》
2023年第7期85-92,共8页
孟子学说及相关历史传承历来为中国古典学术研究者所重视,多元化的研究视角使其存在细节深入而系统性不足的弊端,而《唐前孟学史》运用恢弘“史笔”,全面梳理孟学九百余年发展脉络,以宽广时间跨度及相关认知来促成宏大学术史观,同时继...
孟子学说及相关历史传承历来为中国古典学术研究者所重视,多元化的研究视角使其存在细节深入而系统性不足的弊端,而《唐前孟学史》运用恢弘“史笔”,全面梳理孟学九百余年发展脉络,以宽广时间跨度及相关认知来促成宏大学术史观,同时继承史家实录与批判精神,改进以往学术研究思路以实现创新。作者以“史笔”为基础深入考据文献典籍及其内涵,逐步确立孟学之根本并将其与后世著述及学者勾连,两相配合理清孟学历史发展轨迹。同时,此书在主干之外又横向延展,广泛关涉历代不同门类和流派之学说,并始终联系孟子之学的地位变化与社会影响。作为具有高度创新性的立体化“新子学”研究成果,此书将为未来孟学研究的深化发展提供值得借鉴的全新研究视角。
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关键词
唐前孟
学
史
孟
子
子学研究
学
术思想史
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职称材料
GaAs/Si异质外延的新进展
3
作者
黄善祥
林金庭
+6 位作者
陆正
沈浩瀛
王翠莲
郑有(火斗
张荣
严勇
冯端
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期324-331,共8页
本工作从原理和实验技术上证实了氯化物VPE技术可用于CaAs/Si异质外延.CaAs/Si外延层表面平整光亮.对外延层进行了组分测量、高分辨率电镜和X-射线衍射分析.结果表明,外延层是符合化学计量比的CaAs单晶,外延层浓度可控范围为10^(14)~10...
本工作从原理和实验技术上证实了氯化物VPE技术可用于CaAs/Si异质外延.CaAs/Si外延层表面平整光亮.对外延层进行了组分测量、高分辨率电镜和X-射线衍射分析.结果表明,外延层是符合化学计量比的CaAs单晶,外延层浓度可控范围为10^(14)~10^(17)cm^(-3),纵向掺杂分布平坦.用这种材料制成MESFET样管,跨导为40mS/mm.
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关键词
GAAS/SI
异质外延
外延生长
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职称材料
题名
傅山与船山子学思想之比较
被引量:
1
1
作者
王兴国
机构
湖南省社会科学院
出处
《船山学刊》
CSSCI
2008年第1期5-7,共3页
文摘
傅山与船山均重视子学研究,并且都特别会心于道家、道教,但两人研究子学的立足点有异,而在对老庄一些著作的具体诠释上又有其一致之处。
关键词
傅山
船山
子学研究
比较
分类号
B249.2 [哲学宗教—中国哲学]
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职称材料
题名
《唐前孟学史》“史笔”探析
2
作者
刘国钦
机构
上海财经大学人文学院
出处
《宜宾学院学报》
2023年第7期85-92,共8页
文摘
孟子学说及相关历史传承历来为中国古典学术研究者所重视,多元化的研究视角使其存在细节深入而系统性不足的弊端,而《唐前孟学史》运用恢弘“史笔”,全面梳理孟学九百余年发展脉络,以宽广时间跨度及相关认知来促成宏大学术史观,同时继承史家实录与批判精神,改进以往学术研究思路以实现创新。作者以“史笔”为基础深入考据文献典籍及其内涵,逐步确立孟学之根本并将其与后世著述及学者勾连,两相配合理清孟学历史发展轨迹。同时,此书在主干之外又横向延展,广泛关涉历代不同门类和流派之学说,并始终联系孟子之学的地位变化与社会影响。作为具有高度创新性的立体化“新子学”研究成果,此书将为未来孟学研究的深化发展提供值得借鉴的全新研究视角。
关键词
唐前孟
学
史
孟
子
子学研究
学
术思想史
Keywords
History of Mencius Theory Before Tang Dynasty
Mencius
study of Chinese ancient philosophers
history of academic thought
分类号
I206.2 [文学—中国文学]
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职称材料
题名
GaAs/Si异质外延的新进展
3
作者
黄善祥
林金庭
陆正
沈浩瀛
王翠莲
郑有(火斗
张荣
严勇
冯端
机构
南京电子器件研究所
南京大学物理系
南京大学固体微结构实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期324-331,共8页
文摘
本工作从原理和实验技术上证实了氯化物VPE技术可用于CaAs/Si异质外延.CaAs/Si外延层表面平整光亮.对外延层进行了组分测量、高分辨率电镜和X-射线衍射分析.结果表明,外延层是符合化学计量比的CaAs单晶,外延层浓度可控范围为10^(14)~10^(17)cm^(-3),纵向掺杂分布平坦.用这种材料制成MESFET样管,跨导为40mS/mm.
关键词
GAAS/SI
异质外延
外延生长
Keywords
[1] O. Zgareshi, J.Electrochem. Soc., 119 (1972), 1430.[2] W. I. Wang, Appl. Phys. Lett., 44(1984), 1149.[3] 陈福荫,固体电
子学研究
与进展,11(1991)2,137.[4] R. Cacloret, L. Hollan, J. B. Loyau, et al. J. Crystal Growth,29(1975), 187,[5] P. E. Gre
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
傅山与船山子学思想之比较
王兴国
《船山学刊》
CSSCI
2008
1
下载PDF
职称材料
2
《唐前孟学史》“史笔”探析
刘国钦
《宜宾学院学报》
2023
0
下载PDF
职称材料
3
GaAs/Si异质外延的新进展
黄善祥
林金庭
陆正
沈浩瀛
王翠莲
郑有(火斗
张荣
严勇
冯端
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1991
0
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职称材料
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