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2.82~4.04GHz CMOS差分调谐LC VCO的设计
1
作者
彭仁国
吴琦
+2 位作者
张成
谈熙
闵昊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期483-488,共6页
通过对SMIC 0.13μm CMOS工艺的反型MOS电容的特性研究与测试验证,实现了一个2.82~4.04GHz的低调谐增益变化、低子带频率间隔变化、差分调谐宽带电感电容压控振荡器(LC VCO)。测试结果显示,频率覆盖范围为2.82~4.04 GHz,子带间距变化从1...
通过对SMIC 0.13μm CMOS工艺的反型MOS电容的特性研究与测试验证,实现了一个2.82~4.04GHz的低调谐增益变化、低子带频率间隔变化、差分调谐宽带电感电容压控振荡器(LC VCO)。测试结果显示,频率覆盖范围为2.82~4.04 GHz,子带间距变化从12~6.9 MHz,中心差分调谐增益从23~17 MHz/V,相位噪声在频偏1 MHz处为-113^-118 dBc/Hz。
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关键词
宽
带
压控振荡器
反型金属氧化物半导体电容
差分调谐
Kvco
相噪
子带频率间隔
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职称材料
题名
2.82~4.04GHz CMOS差分调谐LC VCO的设计
1
作者
彭仁国
吴琦
张成
谈熙
闵昊
机构
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期483-488,共6页
基金
新一代宽带无线移动通信网(2010ZX03001-004)
文摘
通过对SMIC 0.13μm CMOS工艺的反型MOS电容的特性研究与测试验证,实现了一个2.82~4.04GHz的低调谐增益变化、低子带频率间隔变化、差分调谐宽带电感电容压控振荡器(LC VCO)。测试结果显示,频率覆盖范围为2.82~4.04 GHz,子带间距变化从12~6.9 MHz,中心差分调谐增益从23~17 MHz/V,相位噪声在频偏1 MHz处为-113^-118 dBc/Hz。
关键词
宽
带
压控振荡器
反型金属氧化物半导体电容
差分调谐
Kvco
相噪
子带频率间隔
Keywords
wide band voltage controlled oscillator
inversion MOS capacitor
differential tuned
Kvco
phase noise
sub-bands frequency step
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
2.82~4.04GHz CMOS差分调谐LC VCO的设计
彭仁国
吴琦
张成
谈熙
闵昊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
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