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2.82~4.04GHz CMOS差分调谐LC VCO的设计
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作者 彭仁国 吴琦 +2 位作者 张成 谈熙 闵昊 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期483-488,共6页
通过对SMIC 0.13μm CMOS工艺的反型MOS电容的特性研究与测试验证,实现了一个2.82~4.04GHz的低调谐增益变化、低子带频率间隔变化、差分调谐宽带电感电容压控振荡器(LC VCO)。测试结果显示,频率覆盖范围为2.82~4.04 GHz,子带间距变化从1... 通过对SMIC 0.13μm CMOS工艺的反型MOS电容的特性研究与测试验证,实现了一个2.82~4.04GHz的低调谐增益变化、低子带频率间隔变化、差分调谐宽带电感电容压控振荡器(LC VCO)。测试结果显示,频率覆盖范围为2.82~4.04 GHz,子带间距变化从12~6.9 MHz,中心差分调谐增益从23~17 MHz/V,相位噪声在频偏1 MHz处为-113^-118 dBc/Hz。 展开更多
关键词 压控振荡器 反型金属氧化物半导体电容 差分调谐 Kvco 相噪 子带频率间隔
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