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大面积薄膜硅太阳电池组件效率优化的研究
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作者 李宏 贾海军 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1865-1868,共4页
产业化的薄膜硅太阳电池组件采用激光划刻技术实现子电池的串联集成。基于单个PN结的二级管模型,建立薄膜硅太阳能组件的等效电路模型。薄膜硅太阳能组件的前后电极电阻、激光划刻子电池有效发电宽度、激光划刻死区宽度、激光划刻后Shun... 产业化的薄膜硅太阳电池组件采用激光划刻技术实现子电池的串联集成。基于单个PN结的二级管模型,建立薄膜硅太阳能组件的等效电路模型。薄膜硅太阳能组件的前后电极电阻、激光划刻子电池有效发电宽度、激光划刻死区宽度、激光划刻后Shunt效应等因素会对电池性能产生影响。在实验室小面积薄膜硅太阳能电学参数基础上,对薄膜硅太阳能组件效率进行优化,通过薄膜硅太阳能组件转换效率和子电池激光划刻宽度的关联性量化,确定适宜的激光划刻子电池宽度。 展开更多
关键词 薄膜硅太阳能组件 激光划刻 子电池宽度 转换效率
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