p型Hg_（0．76）Cd_（0．24）Te的子能带结构

制备了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２４）ＭＩＳ器件，用自制的高精度差分电容谱仪测量了器件的Ｃ—Ｖ谱，根据褚君浩等提出的实验模型拟合测得的电容谱，获得了反型层电子子能带结构，与本文的修正变分自洽方法计算结果基本一致．并获得了有关界面态与绝缘层固定电荷的结果．

非量子限条件下p型InSb MOS结构反型层中子能带实验研究

在100K条件下测量了p型InSb MOS器件的变频电容-电压(C-V)谱,在反型区观察到第二子带填充电子的台阶效应,还发现一个位于导带中的共振缺陷态.采用非量子限多带C-V拟合模型获得了子能带结构.

HgGdTe子能带电子的磁光共振

报道P-Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.234、N_A=4×10^(17)cm^(-3))MIS结构样品在电量子限条件下电子子能带朗道能级间磁光共振光跃迁实验结果。测量了不同光子能量和样品在不同表面电子浓度时子能带朗道能级间和自旋能级间的回旋共振和自旋共振。定量地证明了窄禁带半导体量子阱子能带朗道能级的移动和交叉效应,这一效应起源于表面势的反演不对称所导致的较强的表面电子自旋轨道相互作用。

Hg_(1-x)Cd_xTe表面电子的子能带结构

讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe MIS结构N型反型层电子子能带结构的理论和实验研究结果。描述了采用电容-电压谱,回旋共振谱和磁导振荡谱定量地研究电子子能带结构的模型和方法。推导得到的子能带色散关系,朗道能级和有效g~*因子,与测得的子能带电子的回旋共振和自旋共振结果符合得很好,从而可以定量地研究由于表面电子的自旋轨道相互作用引起的零场分裂效应,朗道能级的移动、交叉,波函数的混合效应以及电致自旋分裂的色散关系。

HgCdTe反型层电子子能带物理

本文在4.2K下测定了p-HgCdTe MIS结构样品的量子电容谱,表面磁阻振荡,表面回旋共振以及表面电子自旋共振,确定了HgCdTe反型层电子子能带结构,包括能级位置、费米能级、有效质量、反型层耗尽层厚度等,并推导了由于自旋轨道相互作用而引起的电致自旋分裂子能带的色散关系和朗道能级扇形图,还研究了朗道能级以及自旋能级间的光跃迁问题。

In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs多量子阱子能带跃迁压力效应

用光调制吸收光谱方法在不同压力条件下研究了In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs应变多量子阱的子能带跃迁,发现子能带跃迁能量随压力的变化行为与构成量子阱的组成体材料带间跃迁能量的变化相似,并且子能带跃迁能量压力系数与量子阱的宽度有关。还讨论了压力可能引起的导带不连续率的变化和In_(0.15) Ga_(0.85)As应变层的临界厚度。

铁电180°畴超格子中的子能带

研究了铁电180°畴超格子中畴子对导带底电子特性的影响.这种影响将导致在这种结构中形成电子子能带,从而影响材料的电子特性.电子有效质量的增加将使子能带向畴子低频所形成的子能带方向移动.

在180°畴超格子中的铁电畴层波对能带的影响

铁电180°畴超格子在超声波的作用下将被诱导出铁电畴层波,在这个波的作用下,存在许多新现象,其特征归纳为一个元激发“畴子”。本文研究了在180°畴超格子中导带和价带中的载流子与畴子的相互作用,这样一种相互作用将在导带和价带形成子能带,同时改变电子或空穴分布,从而影响铁电体的电导率。

p-HgCdTe反型层中的子能带色散关系和Landau能级

本文从Kane模型出发并考虑表面自旋轨道相互作用,推出了窄禁带半导体子能带色散关系和Landau能级的表达式,并在4.2K下对p-HgCdTe MIS结构样品测定了电容电压谱、磁导振荡谱和迴旋共振谱,从实验上确定了子能带色散关系和Landau能级表达式中所包括的子能带参数和自旋轨道祸合强度,从而定量地给出HgCdTe反型层电子子能带色散关系和Landau能级扇形图;定量描述了零场分裂效应和Landau能级的移动和交叉效应。

β型烧绿石结构氧化物超导体AOs_2O_6(A=K,Rb,Cs)电子能带结构的第一性原理计算

用全势线性缀加平面波方法计算β型烧绿石结构氧化物超导体AOs2O6(A=K,Rb,Cs)的电子能带结构及态密度.计算发现电子自旋轨道耦合和在位库仑势U的作用增大了费米面处态密度值.通过计算还得到这三种化合物电子关联常数λc分别为1.55,1.12和0.73.由实验测量与能带计算得到的电子比热容系数的比值得到电子质量提高参数.通过分析这三种化合物电子质量提高参数,推算出它们的电声子耦合常数λep分别为1.56,0.78和1.08.由此提出KOs2O6为强电子关联和强电声子耦合系统,而RbOs2O6和CsOs2O6的电子关联性与电声子耦合为中等.

2.5THz量子级联激光器的研制

基于束缚态到连续态跃迁有源区能带结构，实现了2．5 THz量子级联激光器的连续波工作。激光器的输出频率随电流可在2．45-2．47 THz之间可调，在连续波工作模式下的最高输出功率大于6．0mw，最高连续波工作温度为60 K，阈值电流密度为120 A／cm2，经Si透镜整形后的输出光斑为高斯分布。

量子阱中二维电子气的性质

利用提出的三维不对称方势阱模型,对半导体量子阱中二维电子气的性质进行了研究,确定其量子能级和费米能量,并对有关结果进行了讨论。

GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格束缚态电子能级结构的理论研究

我们运用Kronig-Penney模型,研究了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格的束缚态电子能级结构、带宽,跃迁矩随超晶格的结构参量(阱宽、垒宽和Al组分)变化关系,以及子带能量色散关系.计算结果表明:影响光跃迁频率的最大因素是阱宽,随着阱宽的增加,光跃迁频率逐渐减小;影响带宽的较大因素是垒宽,随垒宽的增大,带宽逐渐减小;超晶格结构参量对跃迁矩的影响很小;随着Al组分的增加,光跃迁频率逐渐增大;第一子能带随波矢的变化不是很明显,第二子能带随波矢变化比较明显.这些将对实验测量和器件应用有一定的参考价值和指导意义.

GaAs／GaAlAs单量子阱光调制器电学行为

利用导纳谱研究了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ单量子阱光调制器的电学行为，观察到了量子阱中电子或空穴子能带的“场致去局域化”

电场下应变层量子阱AlN/GaN(001)的子带结构

采用有效质量理论６带模型，研究了电场下应变层量子阱ＡｌＮ／ＧａＮ（００１）的价带子能带结构．具体计算了价带子能级的色散曲线，分析了电场和应变效应对子能带的影响．还计算了不同电场和不同阱宽的空穴子能级．

温度对于交换作用下的能带劈裂的影响

晶体中电子之间交叠形成电子的能带.格点的电子之间具有交换作用时使能带劈裂成自旋上下的两个子能带.这样的系统是既具有电子巡游性又具有局域磁矩的系统.当两种自旋的跃迁积分不同时,上下两个能带的形状、宽度、峰高等不同.我们利用格林函数方法研究了温度对于此系统的能带的效应.随着温度升高,两个子能带不断靠近,磁化强度也就不断减小.在一定温度,两个子能带中心完全重合,磁化强度为零.两个子能带的裂距的变化与相交可定性地说明系统随温度的变化出现绝缘体、半导体、金属之间的转变.

表面超晶格在电场下的子带结构和带间光跃迁

本文着重研究了表面超晶格，即二维调制电子气在外加电场下的子能带结构．计算结果表明，对于本文研究的一种特殊构型的表面超晶格，由外加调制结构引起的子能带带隙，态密度和与子能带带间光跃迁相联系的光学吸收峰都会随着电场的变化而发生显著的变化．

纳米阴极材料电弧分散特性的理论分析

采用扫描电子显微镜观察了纳晶结构和粗晶结构的W-20%Cu和Cu的首击穿烧蚀形貌,指出纳晶电弧烧蚀痕迹分散,烧蚀比较轻微;常规材料烧蚀比较集中,且烧蚀比较严重。通过分析阴极材料的微观结构,建立了多晶材料电子所处势场结构模型,通过数值计算得出:晶粒越小,对应价电子子能带间能隙越大。分析认为,纳米晶结构的阴极材料电弧分散是由于较大的能隙阻碍了大量电子同时参与导电并迫使阴极斑点快速运动,从而避免大电流产生的焦耳热所导致的严重烧蚀。

超晶格半导体材料及其应用(2)

三、超晶格材料在器件方面的应用第一讲中所叙述的超晶格材料表明,我们在电子波长和平均自由程(～10nm)范围内的空间中,有可能设计和控制对电子和空穴的势能。在这样的微观势场变化中,电子状态的量子化和势垒中的隧道效应等的反映,表现出超晶格结构新的多种物理性质。因为这些物理性质不仅与材料有关,而且还与膜厚等结构参数有很强的依赖关系。因此,对器件设计的自由度很大。外另。

自我振作10招

1、在阳光下散步。 阳光能够使人振奋。研究发现,光线能够抑制皮色激素——这种激素会使人抑郁。如果你非得在室内不可,就选个阳光充足的房间,打开窗帘。 2、听你喜爱的老歌。 放录音或打开收音机,让老歌带给你美好的回忆。 3、给自己买个小礼物。 例如给自己买支明知不用的钢笔,或新的袜子或新的牙膏。 4、打个电话给你很长时间没有联系的朋友。