TFT-LCD驱动芯片内置SRAM的低功耗设计

内置SRAM是单片集成TFT-LCD驱动控制芯片中的图像数据存储模块.针对内置SRAM的低功耗设计要求,采用HWD结构和动态逻辑的字线译码电路,实现了1.8MbSRAM的低功耗设计.电路采用0.18μm CMOS工艺实现,Hspice和Ultrasim仿真结果表明,与静态字线译码电路相比,功耗减小了20%;与DWL结构相比,功耗减小了16%;当访存时钟频率为31MHz时,SRAM存储单元的读写时间小于8ns,电源峰值功耗小于123mW,静态功耗为0.81mW.

8ns 4M_bit高可靠性静态随机存储器

为了满足目前对大容量、高速、高可靠性静态随机存储器(SRAM)越来越多的需求和解决高集成度的SRAM成品率深受生产工艺影响的问题,文章提出了一个256k×16bit高性能SRAM的设计。主要针对以下几个方面进行了描述:采用分级字线的方法和字线局部译码电路,提高速度;采用全PMOS管启动电路、与电源无关的偏置和加入补偿电容的稳压电路消除振荡、提高可靠性、降低功耗;冗余修补电路提高产品成品率。该4M_bitSRAM芯片采用SMIC0.18μm标准工艺,地址转换和存取时间仅为8ns,在SS模型125℃加入寄生参数且每个I/OPAD端口挂50pF电容的情况下,仿真结果表明从地址建立到数据读出仅需要7.16ns。