直接存储器存取在数据采集系统中的应用设计

介绍TMS320VC5402DSP的直接存储器存取(DMA)的特点,给出一种适用的DMA结合多通道缓冲串行口McBSP组成的数据采集系统的设计方案,该设计具有设计灵活、硬件简单、CPU执行效率高的特点。

新型MRAM存储器存取核心技术的研究

通过分析MRAM存取技术的基本原理,研究了1T1MTJ架构和XPC架构下MRAM的存取机制,探讨了MRAM作为下一代新型存储器的应用前景。

静态随机存取存储器质子单粒子效应实验研究

描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。采用金箔散射法可以降低加速器质子束流五六个量级 ,从而满足半导体器件质子单粒子效应的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。提高了存储器单粒子效应长线测量系统的性能 ,保证了翻转数的准确测量。实验测得静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面为 1 0 - 1 4 cm2 / bit量级 ,随质子能量的增大略有增大。

静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究

应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。实验结果表明 ,可以用 2 52

磁阻式随机存取存储器研究

研究了MRAM存取技术的基本原理,比较分析了1T1MTJ架构和XPC架构下MRAM的存取机制,探讨了MRAM作为下一代新型存储器的应用前景.

基于静态随机存取存储器的存内计算研究进展

随着“算力时代”到来,大规模数据需要在存储器和处理器之间往返,然而传统冯·诺依曼架构中计算与存储分离,无法满足频繁访问的需求。存内计算(CIM)技术的诞生突破了冯·诺依曼瓶颈,打破了传统计算架构中的“存储墙”,因此对于“算力时代”具有革命性意义。由于静态随机存取存储器(SRAM)读取数据的速度快且与先进逻辑工艺具有较好的兼容性,因此基于SRAM的存内计算技术受到国内外学者的关注。该文主要概述了基于SRAM的存内计算技术在机器学习、编码、加解密算法等方面的应用;回顾了实现运算功能的各种电路结构,比较了各类以模数转换器(ADC)为核心的量化技术;之后分析了现有存内计算架构面临的挑战并且给出了现有的解决策略,最后从不同方面展望存内计算技术。

巨磁电阻随机存取存储器

用巨磁电阻(GMR)材料制成的磁电子学新器件，已开始在计算机存储领域成功地获得应用。对巨磁电阻用于计算机随机存取存储器的工作原理、性能特点及研究现状和发展趋势作了阐述。

静态随机存取存储器辐射效应测试系统的研制

由于空间辐射效应会导致SRAM器件单粒子翻转、单粒子锁定等现象的产生。文中介绍了SRAM辐射效应测试装置的硬件、软件构成及有关测试技术。通过对SRAM芯片电流的检测、断电保护,解决了在SRAM实验过程中SRAM芯片的损坏问题,利用该装置在不同的辐射实验源上对SRAM进行辐射效应实验研究,获得了预期的实验数据。为星载计算机系统存储器的运行寿命评估及加固设计提供重要参考依据。

随机存取存储器故障分析及测试方案实现

通过随机存取存储器(RAM)物理电路缺陷分析,建立了RAM故障模型.在RAM故障模型的基础上,分析了传统RAM测试算法MARCH-C算法的不足和缺陷,提出了改进的MARCH-C算法.该算法不但适用于面向位的测试,而且适用于面向字节或字的RAM测试.基于该算法,构建了用于SOC片内RAM和通用RAM的系统测试方案.实验表明,RAM故障模型和改进的MARCH-C算法的有效性.

静态随机存取存储器漏电流功耗降低技术

分析了静态随机存取存储器(SRAM)的漏电流,总结了目前业界所用的各种降低漏电流的技术,包括衬底偏压、源极偏压、双电源电压、字线电压反偏和位线电压浮动结构。它们都是通过改变SRAM各个端点的电压来实现的,在降低漏电流的同时,对SRAM器件性能也有一定的影响。基于UMC 55 nm CMOS工艺,对几种方案进行了仿真,并在理论分析的基础上,指出未来发展的趋势。

随机存取存储器的直观体验

当人们看到“随机存取存储器”或者是“RAM”这样的词语时,头脑中浮现出来的画面是怎样的呢?也许是如图1所示的样子。这当然没有错,如果要为自己的计算机添加内存条,那么只要找到和图片中差不多的物件,安装到主板相应位置即可。然而,若说起“随机存取存储器”,头脑中所浮现的画面仅仅像图1所示的样子,那又如何解答以下问题:随机存取存储器存储的究竟是什么?如何读取或写入信息?“随机”一词又是什么意思?笔者经常会考虑,究竟怎样做,才能让应用背后的技术更简单直观地在教学过程中呈现出来?

磁性存储器陶瓷封装磁屏蔽设计与抗磁场干扰测试

磁性随机存取存储器(MRAM)以磁性隧道结(MTJ)作为存储单元来存储信息,并通过外加电流产生磁矩改写MTJ的信息,这种工作原理使得MRAM容易受到外部磁场的干扰,限制了MRAM在强磁场等恶劣环境下的应用。使用COMSOL软件进行仿真,设计并制作了磁屏蔽陶瓷外壳,搭建了基于Xilinx VIRTEX4系列FPGA的MRAM抗磁场干扰能力测试平台,进行了MRAM抗磁干扰能力实验。测试结果表明,采用带磁屏蔽结构的陶瓷外壳进行封装极大地降低了MRAM受外界磁场的干扰程度,所测试芯片的抗磁场干扰能力由35 Oe提高到420 Oe。

电磁故障注入攻击对动态随机存取存储器安全性的影响研究

以探索电磁故障注入(EMFI)攻击对动态随机存取存储器(DRAM)的安全性影响为目标,该文使用电磁故障注入攻击平台对DRAM进行了扫描攻击,对出现的故障进行统计分类,随后基于DRAM的基本结构分析阐述了造成故障的机理,最后展示了通过电磁脉冲攻击DRAM对计算机系统的安全威胁。实验表明电磁脉冲在DRAM中既可以引起瞬时故障也可以引起持续性故障,且以多故障为主。分析发现,电磁脉冲故障攻击技术可以以低的时间和空间分辨率向DRAM的指定地址注入持续性故障。另外,该文成功地将持续性故障注入到了存储在DRAM中的AES-128程序中并破解了其密钥,证明了使用电磁脉冲对DRAM进行攻击能对计算机系统造成安全威胁,展示了DRAM安全性的研究对硬件系统安全具有重要意义。

带有铁电随机存取存储器的高精度实时时钟所具备的优势

1概述 随着DS32X35系列产品的发布，Dallas Semiconductor公司提供了无需电池的非易失存储器。这些器件采用铁电随机存取存储器（FRAM）技术。FRAM是非易失存储器。其读／写操作与RAM类似。该系列器件能够可靠地将数据保持10年之久。与EEPROM和其他非易失存储器不同的是：它不需要考虑系统复杂性、过度开销以及可靠性等问题。从1992年出现第一块FRAM至今。铁电随机存取存储技术已趋于成熟。

一种新型磁随机存取存储器原理型器件问世

物理所韩秀峰课题组最近研制出一种新型磁随机存取存储（MRAM）原理型器件，这种存储器采用100纳米尺度下的磁矩闭合型纳米环状磁性隧道结作为存储单元，正负脉冲极化电流直接驱动比特层磁矩翻转的上作原理，解决了常规MRAM相对功耗高、仔储密度低等瓶颈问题。

三星电子宣布第一个50纳米1Gb动态随机存取存储器问世

据韩联社报道，三星电子宣布开发出了世界第一个50纳米1Gb动态随机存取存储器（DRAM）半导体。

Flash和PSRAM结合构成的高密度低功耗新型随机存取存储器

新型MCP产品IS75V16F64GS16和IS75V16F64GS32是将64Mbit NOR-type Flash和16 Mbit/32 Mbit的PSRAM相结合所构成的高密度、低功耗随机存取存储器。这种先进的存储器解决方案是专门针对移动通信要求高性能、低功耗和小电路板的应用而开发的。

最小静态随机存取存储器元件研制成功

日本东芝公司、美国IBM和AMD公司近日联合发表新闻公报，这3家公司共同利用鳍式场效晶体管开发出面积仅0．128平方微米的静态随机存取存储器（SRAM）元件，并确认这种世界上最小的SRAM元件能够正常工作。