氧化铪基铁电场效应晶体管存储器研究进展

铁电存储器是一种具有很多优异性能的非易失性存储器。总结了氧化铪(HfO_(2))基铁电场效应晶体管(FeFET)存储器的研究进展,并对其存储性能进行了探讨。具铁电性的掺杂HfO_(2)的薄膜可以薄至几纳米,并与CMOS工艺兼容,因此,FeFET可作为新型存储器,但其存储的耐久性有限,会导致存储失效。FeFET存储器的失效原因主要有疲劳、印记、保持性损失等。增强其耐久性的主要方法有铁电薄膜掺杂、退火处理、调整薄膜厚度、合理利用应变效应以及正确处理界面效应等。改善FeFET存储器的抗疲劳能力需考虑多种因素,如薄膜成分、加工过程的温度和压力条件等。对HfO_(2)基铁电薄膜抗疲劳问题的研究,应优先考虑薄膜成分,在此基础上研究加工工艺。

一种新型存储器测试辅助分析方法

为了解决存储器测试数据映射到失效存储单元效率较低且精确度不够的问题,本文提出一种存储器测试辅助分析的方法:首先通过修改存储器编译器(memory compiler),使其自动生成存储阵列版图的物理坐标文件(bitmap).然后将测试得到的存储单元的失效信息在已生成的坐标文件中进行寻址,找出被测试失效单元位于版图中的具体物理坐标.最后通过得到的坐标信息自动输出该失效存储单元的译码信息及该存储单元位于整个存储阵列中的物理坐标二维图像.