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MNOS存储晶体管的研制
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作者 赵守安 刘竞云 刘涛 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 1990年第3期34-40,共7页
用液氮温度下的液氧蒸汽作为氧源,控制 O_2/N_2值在10^(-2)至10^(-3)可生长性能和重复性均为良好的可隧穿的超薄氧化层,结合用 SiH_4—NH_3体系的 LPCVD 技术,所淀积的具有电荷存储陷阱的 Si_3N_4膜能成功地制造 MNOS 结构存储晶体管。... 用液氮温度下的液氧蒸汽作为氧源,控制 O_2/N_2值在10^(-2)至10^(-3)可生长性能和重复性均为良好的可隧穿的超薄氧化层,结合用 SiH_4—NH_3体系的 LPCVD 技术,所淀积的具有电荷存储陷阱的 Si_3N_4膜能成功地制造 MNOS 结构存储晶体管。经测试,这种晶体管阈值窗口可设置在6V,对于管子处于高导态时,保留时间为10~3min,闽值电压变化的典型值为1V;当管子处于低导态时,其保留时间为3×10~3min 时阈电压变化的典型值为0.2V。这种存储管可擦写的次数为10~5以上。表明存储晶体管具有良好的器件特性。 展开更多
关键词 MNOS结构 存储晶体 超薄氧化硅 氮化硅
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星载存储晶体生长机构的计算机控制系统实现
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作者 卢艳君 《科技信息》 2006年第05X期49-49,共1页
设计开发出一套计算机软硬件控制系统,对TDK-40改进型单晶炉加以高精度的下位电子秤,时刻监视晶体生长过程中的重量变化情况,辅以温度反馈信号。用下位机检测信号,上位机来进行数据处理和加载各种控制曲线,实现对温场加以控制,从... 设计开发出一套计算机软硬件控制系统,对TDK-40改进型单晶炉加以高精度的下位电子秤,时刻监视晶体生长过程中的重量变化情况,辅以温度反馈信号。用下位机检测信号,上位机来进行数据处理和加载各种控制曲线,实现对温场加以控制,从而制备出优质的光折变晶体材料。 展开更多
关键词 星载存储晶体 计算机控制系统 AT89C51单片机
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光折变晶体三维存储的几种编码方式之比较
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作者 王昆林 昭日格图 杨立森 《楚雄师范学院学报》 2003年第3期45-47,50,共4页
本文讨论了当今较为前沿的三维存储光折变晶体材料写入全息图的几种编码方式的基本原理 ,详细分析了它们的特点。
关键词 三维存储光折变晶体编码方式
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一种电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管 被引量:1
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作者 杨大力 汪志刚 樊冬冬 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第5期710-713,717,共5页
提出了一种性能优良的电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管(CSTBT)。结合电场调制原理,在器件的载流子存储(CS)层引入P掺杂条,改善器件栅极下方氧化硅拐角处的电场分布,防止器件提前发生雪崩击穿,提高了器件的击穿电压。器件处于关断状... 提出了一种性能优良的电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管(CSTBT)。结合电场调制原理,在器件的载流子存储(CS)层引入P掺杂条,改善器件栅极下方氧化硅拐角处的电场分布,防止器件提前发生雪崩击穿,提高了器件的击穿电压。器件处于关断状态时,内部大量的空穴载流子通过CS层中未完全耗尽的P掺杂条到达发射极,抑制了CS层阻挡空穴的作用,有效提高了器件的关断速度。与传统CSTBT器件相比,改进器件的击穿电压值提高了379V,关断时间缩短了19.1%,器件性能大幅提高。 展开更多
关键词 载流子存储槽栅双极型晶体 电场调制 电场分布 击穿电压 关断时间
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激光让玻璃变身新式存储器可安全存储信息几千年
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作者 刘霞 《今日科苑》 2011年第17期128-128,共1页
据英国《每日电讯报》8月15日(北京时间)报道,英国科学家首次研发出了玻璃存储器。这种存储器块头小,存储能力强,而且,寿命长达几千年,大型机构和公司的海量信息今后可以长时间安全存储其中。相关研究发表在最新一期《应用物理学快报》... 据英国《每日电讯报》8月15日(北京时间)报道,英国科学家首次研发出了玻璃存储器。这种存储器块头小,存储能力强,而且,寿命长达几千年,大型机构和公司的海量信息今后可以长时间安全存储其中。相关研究发表在最新一期《应用物理学快报》杂志上。 展开更多
关键词 安全存储 《每日电讯报》 应用物理学 南安普敦大学 存储晶体 数据备份 系列电影 极化过程 《科技日
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低功耗SoC存储器设计选择
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作者 JudBond 军库 《电子设计应用》 2004年第4期8-9,共2页
关键词 嵌入存储 DRAM SOC 设计 晶体存储 SRAM
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Simulation of strain induced abnormal grain growth in aluminum alloy by coupling crystal plasticity and phase field methods 被引量:2
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作者 Ru-xue LIU Kai LI +4 位作者 Guo-wei ZHOU Wei-qin TANG Yao SHEN Ding TANG Da-yong LI 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第12期3873-3886,共14页
A mesoscale modeling methodology is proposed to predict the strain induced abnormal grain growth in the annealing process of deformed aluminum alloys. Firstly, crystal plasticity finite element(CPFE) analysis is perfo... A mesoscale modeling methodology is proposed to predict the strain induced abnormal grain growth in the annealing process of deformed aluminum alloys. Firstly, crystal plasticity finite element(CPFE) analysis is performed to calculate dislocation density and stored deformation energy distribution during the plastic deformation. A modified phase field(PF) model is then established by extending the continuum field method to consider both stored energy and local interface curvature as driving forces of grain boundary migration. An interpolation mapping approach is adopted to transfer the stored energy distribution from CPFE to PF efficiently. This modified PF model is implemented to a hypothetical bicrystal firstly for verification and then the coupled CPFE-PF framework is further applied to simulating the 2D synthetic polycrystalline microstructure evolution in annealing process of deformed AA3102 aluminum alloy.Results show that the nuclei with low stored energy embedded within deformed matrix tend to grow up, and abnormal large grains occur when the deformation is close to the critical plastic strain, attributing to the limited number of recrystallized nuclei and inhomogeneity of the stored energy. 展开更多
关键词 abnormal grain growth stored deformation energy RECRYSTALLIZATION crystal plasticity phase field
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600V高性能新型槽栅内透明IGBT的仿真 被引量:1
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作者 苏洪源 胡冬青 +4 位作者 刘钺杨 贾云鹏 李蕊 匡勇 屈静 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第12期908-916,共9页
载流子存储层(CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力。为了平衡载流子存储层对器件阻断能力的影响,在器件n-漂移区中CSL层处近哑元胞侧设计了p型埋层(p BL),利用电荷平衡的理念改善电场分布,并借助ISE-TAC... 载流子存储层(CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力。为了平衡载流子存储层对器件阻断能力的影响,在器件n-漂移区中CSL层处近哑元胞侧设计了p型埋层(p BL),利用电荷平衡的理念改善电场分布,并借助ISE-TACD仿真工具,依托内透明集电极(ITC)技术,研究了600 V槽栅CSL-p BL-ITC-IGBT电特性。为了保证器件承受住不小于10μs的短路时间,设置了哑元胞。在此基础上,仿真分析了CSL和p BL的尺寸及掺杂浓度、哑元胞尺寸等对器件特性的影响,并与普通的槽栅ITC-IGBT、点注入局部窄台面(PNM)ITC-IGBT的主要技术指标进行对比,给出CSL和p BL的尺寸及掺杂浓度的最佳范围。结果表明,合理的参数设计可使CSL-p BL-ITC-IGBT具有更优的技术折中曲线。 展开更多
关键词 p型埋层载流子存储层内透明集电极绝缘栅双极晶体管(CSL-pBL-ITC-IGBT) 哑元胞 载流子存储 p型埋层 槽栅
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采用第6代IGBT硅片的IGBT模块
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作者 Taketo Nishiyama Yuji Miyazaki 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2009年第9期85-86,共2页
从2007年开始上市的最新NX系列绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)模块,采用统一的封装和功率硅片,其端子和电路结构具有前所未有的灵活性。在NX系列开发的第1阶段,采用的第5代载流子存储式沟槽型双极型... 从2007年开始上市的最新NX系列绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)模块,采用统一的封装和功率硅片,其端子和电路结构具有前所未有的灵活性。在NX系列开发的第1阶段,采用的第5代载流子存储式沟槽型双极型晶体管(Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor,简称CSTBTTM)硅片技术实现了高效性能。介绍在NX系列开发的第2阶段所采用的1.2kV第6代IGBT硅片技术。新的第6代IGBT模块进一步提高了效率并降低了噪声,从而拓宽了客户的应用范围。 展开更多
关键词 模块/绝缘栅双极型晶体 载流子存储式沟槽型双极型晶体
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大功率两单元MPD系列IGBT模块
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作者 Michael Sleven Prasad Bhalerao Robert Wiatr 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2007年第7期101-102,共2页
作为高密度功率半导体器件的领航者,三菱电机采用最新的CSTBTM硅片技术开发出了大功率两单元功率模块,额定值达到900A/1200V、1400A/1200V和1000A/1700V。这种具有独特设计优势的大功率两单元(MegaPower DualI)GBT模块适用于大功率UPS... 作为高密度功率半导体器件的领航者,三菱电机采用最新的CSTBTM硅片技术开发出了大功率两单元功率模块,额定值达到900A/1200V、1400A/1200V和1000A/1700V。这种具有独特设计优势的大功率两单元(MegaPower DualI)GBT模块适用于大功率UPS、风能发电和大功率电动机驱动。介绍了MPD模块的结构特点和电气特性。 展开更多
关键词 半导体元器件/载流子存储式沟槽栅型双极性晶体 功率循环能力
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