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新型镁基固态氢存储材料通过鉴定
1
《浙江化工》 CAS 2024年第4期41-41,共1页
由上海铼恩氢能科技有限公司研发的纳米碳镁基固态氢存储材料,是一种在低压(储氢压力为0.3~0.7 MPa)、常温下储存固态氢的材料,具有安全性高、高容量优势。该产品为可逆固态储氢纳米碳镁基金属复合材料,应用超微颗粒制造技术,基于金属... 由上海铼恩氢能科技有限公司研发的纳米碳镁基固态氢存储材料,是一种在低压(储氢压力为0.3~0.7 MPa)、常温下储存固态氢的材料,具有安全性高、高容量优势。该产品为可逆固态储氢纳米碳镁基金属复合材料,应用超微颗粒制造技术,基于金属材料粒子与氢粒子的电子交互跃迁原理,使氢分子成为固态氢粒子,大幅缩小氢分子的体积,储氢体积密度达到116 kg H_(2)/m^(3)(水容积)。 展开更多
关键词 纳米碳 超微颗粒 储氢 镁基 复合材料 氢分子 金属材料 存储材料
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电子俘获光存储材料的研究进展 被引量:6
2
作者 孙力 王永生 +2 位作者 董金凤 何志毅 徐征 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期262-265,共4页
电子俘获光存储技术是一种新型的存储技术 ,有望从存储机制方面突破现有的光存储介质的限制 ,实现大密度稳定可重复擦写存储。文中详细报道了近年来电子俘获光存储材料的研究进展。着重介绍了电子俘获材料光存储机制 ,以及各种材料的存... 电子俘获光存储技术是一种新型的存储技术 ,有望从存储机制方面突破现有的光存储介质的限制 ,实现大密度稳定可重复擦写存储。文中详细报道了近年来电子俘获光存储材料的研究进展。着重介绍了电子俘获材料光存储机制 ,以及各种材料的存储特性 ,并探讨了存在的问题。 展开更多
关键词 电子俘获材料 存储 存储材料
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有机光致变色存储材料进展 被引量:29
3
作者 李瑛 谢明贵 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期113-120,共8页
本文综述了最近二十年来在有机光致变色存储材料方面的进展。
关键词 光盘 有机 存储材料 光致变色化合物
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苯胺低聚物-二氧化硅复合纳米粒子作为高密度信息存储材料的初步探讨 被引量:4
4
作者 王策 张亚红 +6 位作者 高军波 张万金 卢云峰 白玉白 李铁津 李丽娟 危岩 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第9期1491-1493,共3页
An access to an increase in the information storage capacity is to reduce memory units to a nano-scale. There fore, we used carboxylized phenyl-capped polyaniline tetramer (PCAT) as the functional component and silica... An access to an increase in the information storage capacity is to reduce memory units to a nano-scale. There fore, we used carboxylized phenyl-capped polyaniline tetramer (PCAT) as the functional component and silica as the carrier to prepare PCAT/silica composite nano-particles (= 60 nm) with a structure of core-shell. The functionalized particles were two-dimensionally arrayed on substrates such as silicon, glass and ITO glass at pH 3.SEM and AFM results proved the arraying regularity of these particles under any given conditions, and the electrostatic force microscopy showed their response to +3 V bias applied. 展开更多
关键词 二氧化硅 苯胺低聚物 纳米粒子 信息存储材料
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优良全息光折变存储材料—双掺铌酸锂晶体 被引量:4
5
作者 孔勇发 许京军 +15 位作者 李冠告 黄自恒 陈绍林 李兵 陈云琳 张玲 刘士国 阎文博 刘宏德 王岩 孙骞 张心正 张国权 黄晖 张万林 张光寅 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期310-313,共4页
我们生长与后处理了一系列双掺铌酸锂晶体 ,通过光折变存储性能的测试 ,在这些晶体中 ,我们发现了三种双掺晶体 :LN :Fe ,Mg ;LN∶Fe ,In ;LN∶Fe,Zn ,它们具有优良的光折变存储性能 ,即高衍射效率 (高达 6 0~ 80 %)、快光折变响应 (... 我们生长与后处理了一系列双掺铌酸锂晶体 ,通过光折变存储性能的测试 ,在这些晶体中 ,我们发现了三种双掺晶体 :LN :Fe ,Mg ;LN∶Fe ,In ;LN∶Fe,Zn ,它们具有优良的光折变存储性能 ,即高衍射效率 (高达 6 0~ 80 %)、快光折变响应 (比LN∶Fe晶体缩短了一个数量级 )、和强抗光散射能力 (比LN∶Fe提高近两个数量级 )。我们还系统地研究了光强阈值效应与全息写入的关系以及全息写入与入射光强的关系 ,发现在光强阈值附近耦合强度有一最大值 ,从而提出了最佳写入光强的概念。另外 ,全息光栅热固定研究还显示 ,双掺铌酸锂晶体比单掺Fe的铌酸锂晶体具有更优良的热固定性质 :快固定时间、高固定效率、长固定寿命等。 展开更多
关键词 全息光折变存储材料 双掺铌酸锂晶体 光折变 存储
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高密度可录光盘存储材料:金属卟啉配合物 被引量:6
6
作者 陈志敏 左霞 吴谊群 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 2004年第5期820-828,共9页
金属卟啉配合物在 4 0 0— 6 5 0nm波段具有优良的光学性质 ,是一类新型高密度可录光盘存储介质材料。本文在总结近年来最新研究成果的基础上 ,阐述了金属卟啉配合物的结构特点、合成方法和作为高密度可录光盘存储介质的作用机理 ,讨论... 金属卟啉配合物在 4 0 0— 6 5 0nm波段具有优良的光学性质 ,是一类新型高密度可录光盘存储介质材料。本文在总结近年来最新研究成果的基础上 ,阐述了金属卟啉配合物的结构特点、合成方法和作为高密度可录光盘存储介质的作用机理 ,讨论了影响卟啉配合物性质和光存储性能的主要因素 。 展开更多
关键词 高密度可录光盘存储材料 金属卟啉配合物 结构 合成 作用机理
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有机光存储材料及其进展 被引量:16
7
作者 李军 陈萍 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第1期1-6,共6页
本文介绍了光盘写入及读出过程的基本原理,并就有机光存储材料性能、作用以及当前的发展趋势进行了讨论。
关键词 光盘 光数据存储 有机光存储材料
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超高密度信息存储材料及技术研究进展 被引量:9
8
作者 吴惠萌 宋延林 +2 位作者 赵彤 江雷 高鸿钧 《自然科学进展》 北大核心 2002年第12期1246-1252,共7页
信息技术的飞速发展,要求不断开发出具有更高信息存储密度及更快响应速度的材料和器件,因而在纳米尺寸上实现信息存储功能的新型超高密度信息存储材料已成为当前信息领域一个发展速度快、学科交叉多、竞争十分激烈的研究热点,简要介绍... 信息技术的飞速发展,要求不断开发出具有更高信息存储密度及更快响应速度的材料和器件,因而在纳米尺寸上实现信息存储功能的新型超高密度信息存储材料已成为当前信息领域一个发展速度快、学科交叉多、竞争十分激烈的研究热点,简要介绍了近年来该领域主要的研究方法,并着重对利用扫描隧道显微镜/原子力显微镜(STM/AFM)写入信息的存储材料的最新研究进展进行了综述。 展开更多
关键词 存储材料 研究进展 超高密度信息存储 纳米电子学 扫描探针显微镜 存储技术 存储密度
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高温固相反应法制备CaS:Eu^(2+),Sm^(3+)光存储材料及其性能研究 被引量:6
9
作者 张希艳 姜薇薇 +1 位作者 卢利平 米晓云 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2003年第4期1-3,共3页
采用高温固相反应法在还原气氛下制备了CaS :Eu2 + ,Sm3 + 光存储材料。研究了工艺因素 (灼烧温度和灼烧时间 )对样品性能的影响。XRD图谱表明 ,样品在 70 0℃就可以形成CaS晶格。光谱分析表明 ,在紫外光激发后 ,用 980nm半导体激光照... 采用高温固相反应法在还原气氛下制备了CaS :Eu2 + ,Sm3 + 光存储材料。研究了工艺因素 (灼烧温度和灼烧时间 )对样品性能的影响。XRD图谱表明 ,样品在 70 0℃就可以形成CaS晶格。光谱分析表明 ,在紫外光激发后 ,用 980nm半导体激光照射样品 。 展开更多
关键词 存储材料 性能 高温固相反应法 制备 灼烧温度 灼烧时间 XRD
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基于相变存储器的相变存储材料的研究进展 被引量:3
10
作者 汪昌州 翟继卫 姚熹 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第15期96-102,共7页
相变存储器具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、多级存储、与现有集成电路工艺相兼容等诸多优点,被认为是最具潜力的下一代存储器。简要介绍了相变存储材料的工作原理和对相变存储材料的性能要求,综述了近年来国内外在相变... 相变存储器具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、多级存储、与现有集成电路工艺相兼容等诸多优点,被认为是最具潜力的下一代存储器。简要介绍了相变存储材料的工作原理和对相变存储材料的性能要求,综述了近年来国内外在相变材料存储性能的优化、存储机理以及面临的关键问题等方面的最新研究成果,最后展望了相变存储材料的研究和发展趋势。 展开更多
关键词 相变存储 相变存储材料 Ge2Sb2Te5
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X射线影像存储材料BaF_xCl_(2-x)Eu^(2+)的制备及其热释发光和 被引量:2
11
作者 王永生 熊光楠 +1 位作者 徐叙 张光寅 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第1期44-47,55,共5页
本文采用了不同温度下两次烧结的新方法,制备了系列X射线影象存储材料BaF_xCl_(2-x):Eu ̄(2+)(x=0.90,0.95,1.00,1.05,1.101.15)。通过改变F/Cl比值,研究了在X射线辐照后... 本文采用了不同温度下两次烧结的新方法,制备了系列X射线影象存储材料BaF_xCl_(2-x):Eu ̄(2+)(x=0.90,0.95,1.00,1.05,1.101.15)。通过改变F/Cl比值,研究了在X射线辐照后BaF_xCl_(2-x):Eu ̄(2+)的热释发光性质,给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系。最后,我们研究了BaF_xCl_(2-x):Eu ̄(2+)的光激励发光性质,给出了F/Cl比值与光激励发光强度的关系。 展开更多
关键词 X射线影像存储材料 制备 热释发光 光激励发光
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光存储材料及其存储机理 被引量:1
12
作者 菅冀祁 张启程 +2 位作者 王玉英 贾惠波 徐端颐 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期419-420,425,共3页
对卤化银胶片、全息材料、光谱烧孔材料、电子俘获材料等及其光存储机理进行了综述,介绍了清华大学光盘国家工程研究中心在基于卤化银胶片的多波长光存储等方面所做的一些工作.
关键词 存储 存储材料 存储机理 卤化银胶片
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自旋转换配位聚合物——新型分子存储材料探索 被引量:1
13
作者 牛淑云 宿艳 +1 位作者 金晶 谷源鹏 《辽宁师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2001年第2期161-166,共6页
论述了dn(4≤n≤ 7)过渡金属配合物的自旋转换现象的原理和表征方法以及可能作为分子基信息存储(记忆 )材料的自旋转换配合物的条件 .介绍了国内外研究状况及展望 .
关键词 自旋转换 配位聚合物 双稳态 记忆效应 分子存储材料 过渡金属配合物 信息存储
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信息存储材料的现状与未来 被引量:3
14
作者 张怀武 王豪才 杨仕清 《电子科技导报》 1996年第11期9-14,共6页
信息存储材料的研究与开发直接影响着整个信息技术的发展进程。本文从磁光存储材料、磁存储材料、光存储材料和纳米存储材料四个方面评述了现代信息存储材料应用于电子领域中的现状。
关键词 信息技术 信息存储材料 磁记录材料
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铁电薄膜存储材料的进展
15
作者 张惠丰 王本民 +2 位作者 张瑜瑛 朱金祥 张林妹 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 1993年第2期24-35,共12页
在计算机中应用的半导体动态存储器(DRAM)和静态存储器(SRAM)具有快速存取信息的优势,但它们共同的缺点是,在断电时存储的信息会消失。现在人们正在研究开发用铁电薄膜电容器代替半导体存储器中的SiO<sub>2</sub>电容... 在计算机中应用的半导体动态存储器(DRAM)和静态存储器(SRAM)具有快速存取信息的优势,但它们共同的缺点是,在断电时存储的信息会消失。现在人们正在研究开发用铁电薄膜电容器代替半导体存储器中的SiO<sub>2</sub>电容器来存储信息,其目的就是使存储器具有同半导体存储器一样快或者更快的存取速度。 展开更多
关键词 铁电薄膜 存取速度 快速存取 FRAM 存储单元 薄膜技术 存储密度 存储材料 铁电材料 化学气相沉积
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基于STM/AFM技术的信息存储材料研究现状及进展
16
作者 凌智勇 宋向前 丁建宁 《真空》 CAS 北大核心 2007年第1期51-54,共4页
信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快的存取速率,因而能在纳米尺度上实现信息存储功能的新型超高密度信息存储材料已经成为信息技术领域的研究热点。简要地介绍了近年来利用扫描隧道显微镜/原子力显微镜(STM/AFM)实... 信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快的存取速率,因而能在纳米尺度上实现信息存储功能的新型超高密度信息存储材料已经成为信息技术领域的研究热点。简要地介绍了近年来利用扫描隧道显微镜/原子力显微镜(STM/AFM)实现信息写入的纳米信息存储材料的研究进展,并进一步列举了尚待解决的问题。 展开更多
关键词 扫描探针显微镜 超高密度信息存储 存储材料
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光存储材料CaS∶Eu,Sm的正交实验制备及表征
17
作者 安春爱 卢利平 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2013年第3期101-103,共3页
CaS∶Eu,Sm材料在光存储、光探测领域具有广阔应用前景,但制备过程中影响其发光性能的因素较多,彼此又有交互作用,不易获得最佳工艺参数。本文采用高温固相反应法,通过正交实验设计系统研究了灼烧温度、灼烧时间、稀土掺杂浓度、助溶剂... CaS∶Eu,Sm材料在光存储、光探测领域具有广阔应用前景,但制备过程中影响其发光性能的因素较多,彼此又有交互作用,不易获得最佳工艺参数。本文采用高温固相反应法,通过正交实验设计系统研究了灼烧温度、灼烧时间、稀土掺杂浓度、助溶剂用量对CaS:Eu,Sm发光性能影响的主次关系,经正交分析和验证实验确定了最佳工艺参数应为:Eu∶Sm∶Ca mol%=0.3∶0.3∶99.4%,1100℃灼烧0.5h,助熔剂LiF用量为7%。采用X射线粉末衍射仪、荧光分光光度计(耦合1064nm激光激励源)对样品的物相及发光性能进行了测试与表征。 展开更多
关键词 存储材料 硫化物 正交实验
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新型三维存储材料及应用
18
作者 许京军 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期32-32,共1页
通过实施双掺杂工程,既控制光折变晶体中的光折变敏感中心(即施主中心),又控制其中的电子陷阱中心,优化双掺LN晶体的光折变存储特性,得到了优良的光存储材料,同时,利用光折变全息记录以及全光固定光栅技术,研制成三维全息存储器原型。... 通过实施双掺杂工程,既控制光折变晶体中的光折变敏感中心(即施主中心),又控制其中的电子陷阱中心,优化双掺LN晶体的光折变存储特性,得到了优良的光存储材料,同时,利用光折变全息记录以及全光固定光栅技术,研制成三维全息存储器原型。具体研究成果如下: (1)首次在国际上发现光强阈值效应,打破了国际上传统的“与光强无关”的概念,同时,首次提出最佳写入光强的概念;首次发现高掺镁晶体的紫外光折变增强效应,打破了国际上的“掺镁抗光折变”的概念的绝对化; 展开更多
关键词 存储 三维存储材料 铌酸锂晶体 双掺杂
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三维光折变存储材料及其存储器的研究
19
作者 许京军 孙骞 +9 位作者 张光寅 张心正 孔勇发 黄晖 刘思敏 张国权 乔海军 陈晓军 李冠告 丁大同 《天津科技》 2003年第6期39-40,共2页
未来信息系统中对存储容量、数据传输速率及数据的存储可靠性的要求将更高,高密度数据存储技术始终是信息技术和计算机技术发展中不可缺少的关键研究领域.利用新原理,采用新技术,启用新材料,研究开发新一代高密度、高速存储技术和系统,... 未来信息系统中对存储容量、数据传输速率及数据的存储可靠性的要求将更高,高密度数据存储技术始终是信息技术和计算机技术发展中不可缺少的关键研究领域.利用新原理,采用新技术,启用新材料,研究开发新一代高密度、高速存储技术和系统,已经成为国际信息领域的热点和前沿研究方向. 展开更多
关键词 三维光折变存储材料 存储 数据存储 铌酸锂材料 结构模型 掺杂晶体
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相变存储材料的研究现状及未来发展趋势 被引量:2
20
作者 宋志昊 张昆华 +3 位作者 闻明 郭俊梅 陈家林 谭志龙 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第21期21099-21104,共6页
作为一种新型存储技术,相变存储技术表现出非易失性、读写速度快、使用寿命长以及与现有半导体技术兼容性好等优点,自进入人们视野以来,便引起了众多研究者的关注,尤其在近10年发展飞速。学者们也在不断探索相变存储材料的相变原理,目... 作为一种新型存储技术,相变存储技术表现出非易失性、读写速度快、使用寿命长以及与现有半导体技术兼容性好等优点,自进入人们视野以来,便引起了众多研究者的关注,尤其在近10年发展飞速。学者们也在不断探索相变存储材料的相变原理,目前已有的如伞状跳跃理论、多元环理论、共振键理论等可从一定角度解释相变存储材料的相变机理。此外,研究者们还建立了理论模型,这将极有利于新型相变存储材料的开发。相变存储材料存在结晶速度慢、结晶温度低、热稳定性差以及操作电压高等缺点,目前常用的改性方法为在原材料基础上通过掺杂非金属元素或金属元素,使其结晶速度、电阻率、热稳定性、晶粒尺寸、操作电压以及使用寿命等得到优化。如近几年开发的Ti-Sb-Te及Sc-Sb-Te新型相变存储材料,其在结晶温度、结晶速度以及热稳定性等多个方面的性能均有所提升,有望成为相变存储器的候选材料。目前,相变存储材料的制备方法主要有磁控溅射法,该方法沉积速度快,且制得的薄膜纯度高。然而,学者们目前尚未对相变存储材料的相变机理形成统一定论,相变存储材料性能较差,无法满足产业化要求,仍需进行深入研究。本文围绕相变存储材料的发展,综述了相变存储材料的相变机理、掺杂改性、制备方法、表征手段及产业化进展等方面的研究工作,深入分析了相变存储材料相变的机理以及掺杂机制。未来相变存储材料的研究模式将转变为设计、开发、优化的方式,这将进一步缩短相变存储材料的研究周期。 展开更多
关键词 相变存储 相变存储材料 相变机理 掺杂
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