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垂直布里奇曼法生长Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的位错分布研究
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作者 王智贤 赵北君 +4 位作者 朱世富 邱春丽 李新磊 何知宇 陈宝军 《新疆大学学报（自然科学版）》 CAS 2008年第4期458-460,465,共4页
使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe(CZT)单晶体位错分布规律.实验中选择(110)面几乎平行于径向的晶片,使用EAg-II腐蚀剂对晶片进行腐蚀,观察了晶面上蚀坑的形貌及分布,计算了位错蚀坑密度,得到CZT单晶体位... 使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe(CZT)单晶体位错分布规律.实验中选择(110)面几乎平行于径向的晶片,使用EAg-II腐蚀剂对晶片进行腐蚀,观察了晶面上蚀坑的形貌及分布,计算了位错蚀坑密度,得到CZT单晶体位错密度的分布趋势.结合晶体生长工艺,运用完全弛豫弹性应力近似理论讨论了CZT晶体位错密度分布规律. 展开更多
关键词 CDZNTE晶体 蚀坑 位错分布 完全弛豫弹性应力近似
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