基于Fluent核桃定向吸附装置设计与仿真试验

为确保核桃果体在吸附摆放过程中姿态固定,基于核桃外形特征、力学特性设计一种核桃定向吸附装置,建立一个核桃吸附过程的受力模型得出在吸附核桃过程中最低的气流速度V=19.67 m/s、最小压强P=55.87 kpa、最大压强P=1.40 MPa。采用Fluent软件,对优化的吸口机构进行气流场仿真模拟;设计了吸口锥角、气孔尺寸、气孔间距3因素3水平正交试验;试验结果表明吸口的最优参数为吸口锥角60°、气孔直径2 mm、气孔间距15 mm。为后续设计核桃定向吸附装置提供新的方法与理论。

ZrO_2-SiO_2纳米复合微粒的制备与性能

以水玻璃为原料制备了3种不同粒径的纳米二氧化硅水分散液,滴加入锆酸四正丁酯异丙醇溶液,使水解的锆酸定向吸附至二氧化硅表面并缩聚为氧化锆从而形成氧化锆包覆的二氧化硅水溶胶。透射电子显微镜、电子能谱分析和不同微粒表面ζ电位与Gouy-Chapman模型计算表明:二氧化硅表面氧化锆的包覆率为57%。紫外可见光研究表明:该纳米微粒紫外吸收随粒径的增大有所下降,可见光的透过性也略有下降。经喷雾干燥成粉后,复合微粉的比表面积为135m2/g。XRD分析表明:有少量的ZrO2单斜晶型存在,600℃煅烧后,粉体比表面积100.5 m2/g,呈单斜晶型;1 300℃煅烧后,粉体比表面积为67.3 m2/g,为四方晶型结构。

退火温度对纳米ZnO结构和形貌的影响(英文)

通过溶胶-凝胶法制备出不同形貌的ZnO纳米结构．详细研究了退火温度对ZnO纳米结构形貌的影响．结果表明退火温度对ZnO纳米结构的形貌有很大的影响．从扫描电镜结果看，900℃可以形成ZnO纳米棒，长度在2～3μm，直径在200nm左右．而且还讨论了ZnO纳米结构的生长机制．

2,2′-联吡啶对化学铜二元络合剂体系沉积过程的影响

二元络合剂化学镀铜体系相较于一元络合体系,因增大了对沉积反应的调控空间而备受关注,稳定剂是二元体系的重要组分之一,当前关于稳定剂在二元络合体系中的作用规律系统性研究较少。本研究以2,2′-联吡啶为乙二胺四乙酸(EDTA)/四羟丙基乙二胺(THPED)化学镀铜二元络合体系为稳定剂,测试了体系的电化学特征和镀层结构的变化规律。基于活性离子的吸附差异,化学镀铜的二元络合体系混合电位分为诱导、过渡和稳定三个反应过程,发现2,2′-联吡啶使体系的混合电位值负向移动的趋势放缓。线性伏安法扫描数据表明,由于2,2′-联吡啶在反应电极表面的吸附,减缓了铜络离子的阴极还原反应,还原峰电流密度下降了34.3%,沉积反应受阴极还原步骤控制;镀层的沉积速率随2,2′-联吡啶浓度增加显著下降,同时由于强络合作用抑制了Cu+氧化,起到了稳定镀液的作用。通过SEM、EDS和XRD揭示,加入了2,2′-联吡啶后二元体系所制备的化学镀层呈均匀致密的菱形颗粒状,晶界面清晰分明,具有较高的纯度,以及明显的(220)晶面择优取向趋势,这与2,2′-联吡啶定向吸附在(111)、(200)生成方向抑制这二类晶面的生长,而在(220)生长方向吸附微弱从而抑制较少有关。

阳离子胁迫下低品位硫化镍矿的氧化浸出行为

本文模拟研究了镁离子和钠离子胁迫对低品位硫化镍矿氧化浸出的影响。主要研究阳离子对有价值金属的浸出效率的影响以及含镍硫化矿石的电化学氧化行为。浸出试验结果表明,部分含镁脉石和含亚铁硫化物会优先溶解在浸出液中,浸出过程中Ni和Cu的浸出效率下降与Mg^2+的浸出浓度增加相关性较大。电化学研究结果表明,低品位硫化镍矿的氧化浸出受中间产物氧化扩散的控制。Mg^2+和Na^+影响Fe^3+/Fe^2+电对和含硫物质的转化,这些阳离子易受硫化矿物表面阴离子吸引并定向粘附在金属硫化物表面荷负电的活性位点,从而增加界面电子转移的电化学活性,促进矿石与浸出介质之间的电子转移。通过比较Mg^2+和Na^+的作用,发现Mg^2+通过促成致密钝化膜的形成,降低了金属矿物的浸出效率,对反应中间产物的氧化扩散不利,而Na^+的不利影响往往是与优先被浸出的Mg^2+和Fe^3+协同作用引起。