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实物标准电阻器智能输出系统的研究
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作者 朱小明 陆新东 +2 位作者 郭美玉 蒋涛 孙军涛 《上海航天》 CSCD 2019年第5期139-143,共5页
针对实物电阻器输出阻值的改变只能通过手动方式实施的问题,设计了一套智能控制系统,实现实物电阻器阻值的数字化输出。将多只四端标准电阻器以一定的排列顺序串联连接,利用四端标准电阻器的原理特点,所有串联电阻共用一对电位端,在每... 针对实物电阻器输出阻值的改变只能通过手动方式实施的问题,设计了一套智能控制系统,实现实物电阻器阻值的数字化输出。将多只四端标准电阻器以一定的排列顺序串联连接,利用四端标准电阻器的原理特点,所有串联电阻共用一对电位端,在每只电阻器的左右分别都有一个电流输出端,电流输出端线路中接入继电器控制开关,以控制继电器的开通闭合,来实现电阻器的不同组合输出。本系统经试用,性能稳定、准确度高、实时性好、适用范围广、试运行情况良好。 展开更多
关键词 智能输出 实物电阻 四端测量 继电器 电流端 电位端
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两种直流低电阻测试仪校准装置的对比分析 被引量:2
2
作者 经蕾 《电子质量》 2023年第7期66-69,共4页
直流低电阻测试仪是较常见的电学测量设备,测量速度快且精度高,基本取代了直流单、双臂电桥在一般条件下的直流电阻测量。近些年直流低电阻测试仪的计量校准方法较为成熟。使用两种不同的标准器具,对直流低电阻测试仪进行校准,并计算其... 直流低电阻测试仪是较常见的电学测量设备,测量速度快且精度高,基本取代了直流单、双臂电桥在一般条件下的直流电阻测量。近些年直流低电阻测试仪的计量校准方法较为成熟。使用两种不同的标准器具,对直流低电阻测试仪进行校准,并计算其不确定度。其中一种标准器具提供的是模拟电阻,另一种则是实物电阻。对两种不同标准源进行了比较,为广大计量工作者作出合理的选择提供了一定的参考。 展开更多
关键词 直流低电阻测试仪 模拟电阻 实物电阻 不确定度
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高阻计检定装置的研制 被引量:1
3
作者 周健 管锡良 《计量与测试技术》 2020年第11期18-19,22,共3页
研制高阻计检定用标准电阻模拟装置,用于高阻计检定校准。该高阻计检定装置通过测量输入电压,输出可控精准电流源的原理,模拟出高阻值电阻。缓冲补偿电路用于补偿被测设备零位,提高模拟精度。与实物电阻比较,模拟出的高阻值量程提高3个... 研制高阻计检定用标准电阻模拟装置,用于高阻计检定校准。该高阻计检定装置通过测量输入电压,输出可控精准电流源的原理,模拟出高阻值电阻。缓冲补偿电路用于补偿被测设备零位,提高模拟精度。与实物电阻比较,模拟出的高阻值量程提高3个数量级,体积大幅度减少,精度明显提升,成本降低。研制出的高阻计检定装置,用于高阻计检定,比传统高阻电阻箱更方便。 展开更多
关键词 高阻计 检定装置 模拟电阻 实物电阻
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Longitudinal Magnetoresistance and "Chirar' Coupling in Silver Chalcogenides 被引量:1
4
作者 XU Jie ZHANG Duan-Ming 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2011年第3期532-536,共5页
A complex longitudinal magnetoresistance (MR//) effect in the non-stoichiometric silver chaJcogenides (include the silver selenide and telluride) has been found, however the mechanism for the MR// effect is not cl... A complex longitudinal magnetoresistance (MR//) effect in the non-stoichiometric silver chaJcogenides (include the silver selenide and telluride) has been found, however the mechanism for the MR// effect is not clear now. In this work, a new random resistor network for MR// effect is proposed based on the experimental observation. The network is constructed from six-terminal resistor units and the mobility of carries within the network has a Gaussian distribution. Considering the non-zero transverse-longitudinal coupling in materials, the resistance matrix of the six- terminal resistor unit is modified. It is found that the material has the "chiral" transverse-longitudinal couplings, which is suggested a main reason for the complex MR//effect. The model predictions are compared with the experimental results. A three dimension (3D) visualization of current flow within the network demonstrates the "current jets" phenomenon in the thickness of materials dearly. 展开更多
关键词 magnetoresistance effect silver chalcogenides resistor network
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